Импульсные характеристики однопереходных и трёхпереходных фотопреобразователей лазерного излучения
Российский научный фонд, 24-19-00716
Калиновский В.С.1, Толкачев И.А.1, Контрош Е.В.1, Прудченко К.К.1, Юферев В.С.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Email: vitak.sopt@mail.ioffe.ru, TolkachevIA@mail.ioffe.ru, kontrosh@mail.ioffe.ru, prudchenkokk@mail.ioffe.ru, Valyuf@ammp3.ioffe.ru, Ivan@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 31 августа 2025 г.
Принята к печати: 24 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2025 г.
Исследованы импульсные характеристики фотоответа однопереходных и трехпереходных монолитных GaAs/AlGaAs p-i-n-фотопреобразователей (250 μm) в фотовольтаическом режиме при возбуждении импульсным излучением с λ=850 nm. Пиковая плотность мощности лазерного излучения (Pp) варьировалась до 9.6 kW/cm2 при длительности импульсов 140 ps. Показано, что уширение импульса фотоответа для однопереходных фотопреобразователей обусловлено влиянием коллапса электрического поля p-i-n-перехода при Pp≥ 1.1 kW/cm2. В трехпереходных монолитных AlGaAs/GaAs p-i-n-фотопреобразователях при пиковой плотности мощности излучения до 9.6 kW/cm2 продемонстрировано существенное увеличение амплитуды генерируемого электрического импульса и быстродействия в субнаносекундном диапазоне. Ключевые слова: импульсные характеристики, однопереходные и трёхпереходные монолитные p-i-n-фотопреобразователи, коллапс электрического поля, вакуумная пайка.
- Д.Ф. Зайцев, В.М. Андреев, И.А. Биленко, А.А. Березовский, П.Ю. Владиславский, Ю.Б. Гурфинкель, Л.И. Цветкова, В.С. Калиновский, Н.М. Кондратьев, В.Н. Косолобов, В.Ф. Курочкин, С.О. Слипченко, Н.В. Смирнов, Б.В. Яковлев. Радиотехника, 85 (4), 153 (2021). DOI: 10.18127/j00338486-202104-17
- Л.Д. Бахрах, Д.Ф. Зайцев. ДАН, 394 (4), 465?468 (2004)
- Д.Ф. Зайцев, Патент RU2298810, (2005)
- Д.Ф. Зайцев. Нанофотоника и ее применение (АКТЕОН, М.,2014), с. 445
- T. Nagatsuma, H. Ito, T. Ishibashi. Laser \& Photon, 3 (1-2), 123?137 (2009). DOI: 10.1002/lpor.200810024/
- A. Rawat, M. Saif Islam. Proc. SPIE, 12880, 128800Q (2024). DOI: 10.1117/12.3003413
- H. Ito, T. Furata, S. Kodama, T. Ishibashi. Electron. Lett., 36, 1809-1810 (2000). https://doi.org/10.1049/el:20001274
- И.Б. Чистохин, К.С. Журавлев. 3 (1), с. 85-94 (2015)
- D. Maes, S. Lemey, G. Roelkens, M. Zaknoune, V. Avramovic, E. Okada, P. Szriftgiser, E. Peytavit, G. Ducournau, B. Kuyken. APL Photonics 8, 016104, (2023). DOI: 10.1063/5.0119244
- Y. Peng, K. Sun, Y. Shen, A. Beling, J. C. Campbell. Optics express. 28 (19), 28563-28572 (2020). DOI: 10.1364/OE.399102
- V.S. Kalinovskiy, E.V. Kontrosh, G.A. Gusev, A.N. Sumarokov, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.S. Yuferev, T.S. Tabarov, V. M. Andreev. Journal of Physics: Conf. Series, 993 012029, (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/01202
- В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, И.А. Толкачев, К.К. Прудченко, С.В. Иванов. Письма в ЖТФ, 50 (22), 35-38 (2024)
- J. Mathew, S. Krishnan. J. of Electronic Packaging, 144, 010801 (2022). DOI: 10.1115/1.4050002
- Koki Company Limited [Электронный ресурс], http://www.koki.org/pdf/B1-07_TB48-M742_E.pdf
- А.Л. Глазов, В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, К.Л. Муратиков. Письма в ЖТФ, 48 (22), 39-42 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53806.19338
- А.Л. Глазов, В.С. Калиновский, А.А. Капралов, Е.В. Контрош, К.Л. Муратиков, К.К. Прудченко. Письма в ЖТФ, 51 (4), 31-34 (2025). DOI: 10.61011/PJTF.2025.04.59840.20123
- E.V. Kontrosh, V.V. Lebedev, G.V. Klimko, V.S. Kalinovskii, V.M. Andreev. J. Phys.: Conf. Ser., 697 012185, (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012185
- В.С. Юферев, И.А. Толкачев, В.С. Калиновский. Письма в ЖТФ, 50 (1), 39-42 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.01.56925.19674
- K.J. Williams, R.D. Esman, M. Dagenais. IEEE Photonics technology letters, 6 (5), 639-641 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.