Влияние допирования ионами Ce3+ на центры окраски в кристалле KY3F10, индуцированные рентгеновским излучением
Наумов А.К.
1,2, Целищева Е.Ю.1,3, Целищев Д.И.1,4, Аглямов Р.Д.
1,2
1Казанский Приволжский федеральный университет, Казань, Россия
2Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского --- ФИЦ "Казанский научный центр РАН", Казань, Россия
3 АО «Транснефть-Автоматизация и метрология», Москва, Россия
4 Всероссийский научно-исследовательский институт расходометрии – филиал федерального государственного унитарного предприятия «Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии им. Д.И. Менделеева», Казань, Россия
Email: aknau@mail.ru, katerina.fizfak@rambler.ru, dimagan@yandex.ru, aglyam92@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2024 г.
В окончательной редакции: 11 ноября 2024 г.
Принята к печати: 27 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 29 сентября 2025 г.
Представлены результаты исследований оптических свойств центров окраски, образующихся при рентгеновском облучении, в номинально чистом кристалле KY3F10 и допированном ионами Ce3+, определены типы и постоянные времени их эволюции. Рассмотрено влияние на эволюцию центров окраски допирования кристалла ионами Ce3+. Проведено сравнение параметров центров окраски в допированном кристалле и номинально чистом. Индуцированные рентгеновским излучением центры окраски определены в номинально чистом кристалле как центры окраски F- и F2-типов, а в допированном - F-, F2- и FA-типов. В кристалле KY3F10, допированном ионами Ce3+, времена рекомбинации свободных носителей заряда, обусловленных центрами окраски F-типа, существенно отличаются от времен рекомбинации зарядов, обусловленных этими типами центров окраски в номинально чистом кристалле. В допированном кристалле (в сравнении с номинально чистым) максимумы полос поглощения смещаются в коротковолновую область. Ключевые слова: KY3F10, Ce, центры окраски, типы центров, оптические спектры пропускания, диаграмма энергетических состояний.
- P.A. Rodnyi, I.V. Khodyuk, G.B. Stryganyuk. Phys. Solid State, 50 (9), 1639-1643 (2008). DOI: 10.1134/S1063783408090072
- W.W. Moses, S.E. Derenzo. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 299 (1-3), 51-56 (1990). DOI: 10.1016/0168-9002(90)90746-S
- A. Gektin, N. Shiran, S. Neicheva, V. Gavrilyuk, A. Bensalah, T. Fukuda, K. Shimamura. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 486 (1-2), 274-277 (2002). DOI: 10.1016/S0168-9002(02)00717-9
- T. Nakazato, Y. Furukawa, M. Cadatal-Raduban, M. Pham, T. Tatsumi, A. Saiki, Y. Arikawa, N. Sarukura, H. Nishimura, H. Azechi, K. Mima, T. Fukuda, M. Hosaka, M. Katoh, N. Kosugi. Jpn. J. Appl. Phys., 49 (12R), 122602 (2010). DOI: 10.1143/JJAP.49.122602
- M.A. Dubinskii, V.V. Semashko, A.K. Naumov, R.Yu. Abdulsabirov, S.L. Korableva. J. Mod. Optics, 40 (1), 1-5 (1993). DOI: 10.1080/09500349314550011
- N. Shiran, A. Gektin, S. Neicheva, V. Voronova, V. Kornienko, K. Shimamura, N. Ichinose. Radiat. Meas., 38 (4-6), 459-462 (2004). DOI: 10.1016/j.radmeas.2004.03.010
- A.M. Prokhorov. Sov. Phys. Usp., 29 (1), 3-19 (1986). DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003077
- N.G. Debelo, F.B. Dejene, K.T. Roro. Mater. Chem. Phys., 190, 62-67 (2017). DOI: 10.1016/j.matchemphys.2016.12.064
- S.L. Chamberlain, L.R. Corruccini. Phys. Rev. B, 71, 024434 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.024434
- А.А. Воробьев. Центры окраски в ЩКГ (Издательство Томского университета, 1968), 386 с
- E.Yu. Tselishcheva, A.K. Naumov, D.I. Tselishchev, O.A. Morozov, S.L. Korableva, Opt. Spektrosc., 114 (6), 901-906 (2013)
- W. Chen, P. Song, Y. Dong, Y. Zhang, W. Hua. Sci. Bull., 58 (11), 1321-1324 (2013). DOI: 10.1007/s11434-012-5615-z
- J.V.R. Kaufman, C.D. Clark. J. Chem. Phys., 38, 1388-1399 (1963). DOI: 10.1063/1.1733863
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук