Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2024, выпуск 12 » Статья стр. 1214
<<<>>>
Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Калюжный Н.А.1, Малевский Д.А. 1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamint@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 27 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 12 февраля 2025 г.
PDF версия
Исследованы экспериментальные спектры электролюминесценции для светодиода (площадь 1 mm2) на основе Al0.2Ga0.8As p-i-n-перехода с шестью квантовыми ямами In0.1Ga0.9As шириной 3 nm и получена экспериментальная зависимость интенсивности основного пика электролюминесценции от плотности тока. При малых плотностях эта зависимость линейна (пропорциональна) и сублинейна при больших. Для исследуемого образца расчет показал, что плотность тока, при которой начинается насыщение Jsat~ 30 A/cm2. Предложен экспериментальный метод, позволяющий определить Jsat. Экспериментальное значение для светодиода с шестью квантовыми ямами составило 210 А/cm2, что в пересчете на одну яму дает 35 А/cm2. Ключевые слова: светодиоды, насыщение интенсивности электролюминесценции.
  1. E.F. Schubert. Light-emitting diodes (Cambridge University Press, 2006)
  2. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/\FTP\.2021.08.51143.9665
  3. M. Hirotani, T.E. Sale, J. Woodhead, J.S. Roberts, P.N. Robson, T. Saka, T. Kato. J. of Crystal Growth, 170, 390-393 (1997). DOI: 10.1016/S0022-0248(96)00534-9
  4. N.E.J. Hunt, E.F. Schubert, D.L. Sivco, A.Y. Cho, G.J. Zydzik. Electron. Lett., 28 (23), 2169 (1992). DOI: 10.1049/el:19921392
  5. Y. Yu, X. Qin, B. Huang, J. Wei, H. Zhou, J. Pan, W. Chen, Y. Qi, X. Zhang, Z. Ren. Vacuum, 69 (4), 489-493 (2003). DOI: 10.1016/S0042-\207X\(02)00560-2
  6. H. De Neve, J. Blondelle, P. Van Daele, R. Baets, P. Demeester, G. Borghs. Electron. Lett., 30 (21),1787-1789 (1994). DOI: 10.1049/el:19941216
  7. T. Takamori, A.R. Pratt, T. Kamijoh. Appl. Phys. Lett., 74 (24), 3598-3600 (1999). DOI: 10.1063/1.123193
  8. H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, C.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac. Infrared Phys. Technol., 118, 103879 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
  9. D.-K. Kim, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 18 (3), 2014-2017 (2018). DOI: 10.1166/jnn.2018.14952
  10. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Р.А. Салий, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный. Письма в ЖТФ, 46 (12), 30 (2020). DOI: 10.21883/\PJTF\.2020.12.49524.18284
  11. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, R.A. Salii, M. Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 52 (10), 1244-1248 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618100135
  12. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, M.Z. Shvarts, S.A. Mintairov, R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy. AIP Conf. Proc., 1747, 050003 (2016). DOI: 10.1063/1.4954366

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme