Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2024, выпуск 11 » Статья стр. 1146
<<<>>>
Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850-960 nm)
Салий Р.А. 1, Малевская А.В. 1, Малевский Д.А.1, Минтаиров С.А. 1, Надточий А.М.1, Калюжный Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.saliy@mail.ioffe.ru, Anmalevskaya@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, mintairov@scell.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 17 сентября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.
PDF версия
Экспериментально показана возможность гибкого управления длиной волны излучения множественных квантовых ям InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As, составляющих активную область светодиодов ближнего ИК диапазона (850-960 nm), путем изменения их толщины и состава x. Методом МОГФЭ получены гетероструктуры с множественными квантовыми ямами, продемонстрировавшие высокую интенсивность фотолюминесценции. Благодаря общей постростовой технологии переноса гетероструктур на подложку-носитель и одинаковым процедурам монтажа изготовленные СИД продемонстрировали близкие электрооптические характеристики: энергоэффективность от 50 до 54% и внешний квантовый выход от 48 до 50%. Ключевые слова: квантовые ямы, светодиоды, InGaAs, МОГФЭ, гетероструктуры.
  1. M. Vasilopoulou, A. Fakharuddin, F. Pelayo Garcia de Arquer, D.G. Georgiadou, H. Kim, A.R.M. Yusoff, F. Gao, M.K. Nazeeruddin, H.J. Bolink, E.H. Sargent. Nat. Photonics, 15, 656-669 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00855-2
  2. C.G. Van de Walle. Phys. Rev., 39 (3), 1871 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1871
  3. S.-D. Kim, H. Lee, J.S. Harris. J. Electrochem. Soc., 142 (5), 1667-1670 (1995). DOI: 10.1149/1.2048636
  4. Y. Yu, X. Qin, B. Huang, J. Weia, H. Zhou, J. Pan, W. Chen, Yun Qi, X. Zhang, Z. Ren. Vacuum, 69, 489-493 (2003). DOI: 10.1016/S0042-207X(02)00560-2
  5. D.-K. Kim, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 18 (3), 2014-2017 (2018). DOI: 10.1166/jnn.2018.14952
  6. D.P. Xu, M.D. Souza, J.C. Shin, L.J. Mawst, D. Botez. J. Cryst. Growth, 310, 2370-2376 (2008). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.218
  7. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Ф.Ю. Солдатенков, Р.В. Левин, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, В.М. Андреев. ЖТФ, 93 (1), 170-174 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22 [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, F.Y. Soldatenkov, R.V. Levin, R.A. Salii, D.A. Malevskii, P.V. Pokrovskii, V.R. Larionov, V.M. Andreev. Tech. Phys., 68 (1), 161-165 (2023). DOI: 10.21883/TP.2023.01.55451.166-22]
  8. А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, Ю.М. Задиранов, П.В. Покровский, А.А. Блохин, А.В. Андреева. ФТП, 55 (11), 1086-1090 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51565.9679 [A.V. Malevskaya, N.D. Il'inskaya, N.A. Kalyuzhnyy, D.A. Malevskiy, Yu.M. Zadiranov, P.V. Pokrovskiy, A.A. Blokhin, A.V. Andreeva. Semicond., 56 (13), 1086-1090 (2021). DOI: 10.21883/SC.2022.13.53906.9679]
  9. J. Cho, E.F. Schubert, J.K. Kim. Laser Photonics Rev., 7 (3), 408 (2013). DOI: 10.1002/lpor.201200025
  10. E.F. Shubert. Light-Emitting Diodes, second edition (Cambridge University Press, 2006). DOI: 10.1017/CBO9780511790546

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme