Вышедшие номера
Плазмон-усиленный перенос энергии в гибридных пористых структурах для люминесцентных сенсоров
Российский научный фонд, Российский научный фонд, 23-72-00045
Никитин И.Ю. 1,2, Бородина Л.Н 1,2, Болтенко А.В. 1,2, Баранов М.А.1,2, Парфенов П.С. 1,2, Гладских И.А. 1,2, Вартанян Т.А. 1,2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Международный научно-образовательный центр физики наноструктур, Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikitin0igor512@gmail.com, lborodina141@gmail.com, AlexeyBoltenko@yandex.ru, mbaranov@itmo.ru, qrspeter@gmail.com, 138020@mail.ru, Tigran.Vartanyan@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 18 сентября 2024 г.
Принята к печати: 27 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2024 г.

Синтезирована и исследована гибридная наноструктура, состоящая из островковой серебряной пленки, покрытой нанопористым оксидом алюминия, полученным в результате анодного оксидирования металлической алюминиевой пленки. В присутствии серебряных наночастиц собственная люминесценция анодного оксида алюминия, обусловленная наличием люминесцентных центров в его структуре, усиливается. Нанесение красителя Родамин 6Ж на синтезированную наноструктуру приводит к тушению люминесценции люминесцентных центров оксида алюминия с одновременным усилением интенсивности люминесценции красителя, что свидетельствует об эффективном переносе возбуждения от люминесцентных центров на краситель в присутствии серебряных наночастиц, обладающих плазмонным резонансом в близкой полосе частот. Синтезированная структура может найти применение в оптических сенсорах и приемниках оптического излучения. Ключевые слова: Плазмонный резонанс, Анодированный алюминий, Тонкие пленки, Люминесцентный сенсор.
  1. T. Kondo, T. Sano, T. Yanagishita, H. Masuda, J. Phys. Chem. C, 127 (44), 21629 (2023). DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c05264
  2. U. Malinovskis, R. Poplausks, D. Erts, K. Ramser, S. Tamuleviv cius, A. Tamuleviv ciene, Y. Gu, J. Prikulis, Nanomaterials, 9 (4), 531 (2019). DOI: 10.3390/nano9040531
  3. W.J. Ho, P.Y. Cheng, K.Y. Hsiao, Appl. Surf. Sci., 354, 25 (2015). DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.05.049
  4. O. Stranik, H.M. McEvoy, C. McDonagh, B.D. MacCraith, Sensors Actuators, B Chem., 107 (1 spec. iss.), 148 (2005). DOI: 10.1016/j.snb.2004.08.032
  5. I.Y. Nikitin, K.A. Maleeva, D. Kafeeva, A.V. Nashyokin, I.A. Gladskikh. In: Proc. of SPIE/COS Photonics Asia 2023, (SPIE, 2023), vol. 12774, p. 12774D-1, DOI: 10.1117/12.2686292
  6. N.T.T. Phuong, T.A. Nguyen, V.T. Huong, L.H. Tho, D.T. Anh, H.K.T. Ta, T.H. Huy, K.T.L. Trinh, N.H.T. Tran, Micromachines, 13 (11), 1840 (2022). DOI: 10.3390/mi13111840
  7. A.B. Taylor, P. Zijlstra, ACS Sensors 2 (8), 1103 (2017). DOI: 10.1021/acssensors.7b00382
  8. G. Sun, J.B. Khurgin, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 17 (1), 110 (2011). DOI: 10.1109/JSTQE.2010.2047249
  9. C.R. Simovski, M.S.M. Mollaei, P.M. Voroshilov. Phys. Rev. B, 101 (24), 245421 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.245421
  10. F. Reil, U. Hohenester, J.R. Krenn, A. Leitner, Nano Lett., 8 (12), 4128 (2008). DOI: 10.1021/nl801480m
  11. A. Mohammadpour, I. Utkin, S.C. Bodepudi, P. Kar, R. Fedosejevs, S. Pramanik, K. Shankar, J. Nanosci. Nanotechnol., 13 (4), 2647 (2013). DOI: 10.1166/jnn.2013.7348
  12. R.D. Nabiullina, I.Y. Nikitin, E.O. Soloveva, I.A. Gladskikh, A.A. Starovoytov. In: Proc. of SPIE Photonics Europe 2022, ed. by D.L. Andrews, A.J. Bain, J.-M. Nunzi (SPIE, Strasbourg, 2022), p. 6. DOI: https://doi.org/10.1117/12.2621343
  13. N.A. Toropov, I.A. Gladskikh, P.S. Parfenov, T.A. Vartanyan, Opt. Quantum Electron. 49 (154), 1 (2017). DOI: 10.1007/s11082-017-0996-5
  14. В. Климов, Наноплазмоника, 2-е изд. (Физматлит, Москва, 2010)
  15. F. Cheng, P.H. Su, J. Choi, S. Gwo, X. Li, C.K. Shih, ACS Nano, 10 (11), 9852 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.6b05556
  16. Р.А. Мирзоев, А.Д. Давыдов, Анодные процессы электрохимической обработки металлов, 4-е изд. (Лань, Санкт-Петербург, Москва, Краснодар, 2022)
  17. Y. Yamamoto, N. Baba, S. Tajima, Nature, 289, 572 (1981)
  18. Y. Du, W.L. Cai, C.M. Mo, J. Chen, L.D. Zhang, X.G. Zhu, Appl. Phys. Lett., 74 (20), 2951 (1999). DOI: 10.1063/1.123976
  19. A. Makhal, S. Sarkar, S.K. Pal, H. Yan, D. Wulferding, F. Cetin, P. Lemmens, Nanotechnology, 23 (30), 305705 (2012). DOI: 10.1088/0957-4484/23/30/305705