Вышедшие номера
Изучение распространения света в режиме мод шепчущей галереи в цилиндрическом микрорезонаторе с частично удаленной кварцевой оболочкой методом травления плавиковой кислотой
Министерство образования и науки Российской Федераци, FSUS-2020-0034
Министерство образования и науки Российской Федераци, FWNG-2024-0015
Макарова Н.А. 1, Терентьев В.С.2, Ватник И.Д. 1,2
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
Email: n.makarova@g.nsu.ru, terentyev@iae.nsk.su, ilya.vatnik@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 21 декабря 2023 г.
Принята к печати: 29 января 2023 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2024 г.

Изучены основные параметры цилиндрических микрорезонаторов на основе оптоволокна с частично удаленной кварцевой оболочкой методом травления с помощью плавиковой кислоты - добротность, вариация эффективного радиуса. Показана возможность возбуждения мод шепчущей галереи в образцах, кварцевая оболочка которых модифицирована методом травления. Установлено, что с увеличением удаленной кварцевой оболочки методом травления с помощью плавиковой кислоты добротность микрорезонатора падает вследствие того, что растет неоднородность поверхности. Ключевые слова: цилиндрический микрорезонатор, моды шепчущей галереи, добротность, вариация эффективного радиуса, кварцевая оболочка.
  1. Y. Zheng, Z. Wu, P. Ping Shum, Z. Xu, G. Keiser, G. Humbert, H. Zhang, S. Zeng, X. Quyen Dinh. Opto-Electronic Advances, 1 (9), 18001501-18001510 (2018). DOI: 10.29026/oea.2018.180015
  2. M. Pollinger, A. Rauschenbeutel. Opt. Express, 18 (17), 17764-17775 (2010). DOI: 10.1364/OE.18.017764
  3. M. Sumetsky. Phys. Rev. Lett., 111 (16), 163901 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevLett.111.163901
  4. Y. Zhang, T. Zhou, B. Han, A. Zhang, Y. Zhao. Nanoscale, 10 (29), 13832-13856 (2018). DOI: 10.1039/C8NR03709D
  5. D. O'Shea, C. Junge, M. Pollinger, A. Vogler, A. Rauschenbeutel. Appl. Phys. B, 105 (1), 129 (2011). DOI: 10.1007/s00340-011-4714-x
  6. Y.-F. Xiao, Z.-F. Han, G.-C. Guo. Phys. Rev. A, 73 (5), 052324 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevA.73.052324
  7. V. Vassiliev, M. Sumetsky. Light Sci. Appl., 12 (1), 197 (2023). DOI: 10.1038/s41377-023-01247-7
  8. M. Sumetsky, Y. Dulashko. Opt. Express, 20 (25), 27896-27901 (2012). DOI: 10.1364/OE.20.027896
  9. M. Crespo-Ballesteros, A.B. Matsko, M. Sumetsky. Commun. Phys., 6 (1), 52(2023). DOI: 10.1038/s42005-023-01168-2
  10. V.B. Braginsky, M.L. Gorodetsky, V.S. Ilchenko. Phys. Lett. A, 137 (7-8), 393-397 (1989). DOI: 10.1016/0375-9601(89)90912-2
  11. V. Dvoyrin, M. Sumetsky. Opt. Lett., 41 (23), 5547-5550 (2016). DOI: 10.1364/OL.41.005547
  12. J.-P. Laine, B.E. Little, H.A. Haus. IEEE Photon. Technol. Lett., 11 (11), 1429-1430 (1999). DOI: 10.1109/68.803068
  13. М.Л. Городецкий. Основы теории оптических микрорезонаторов (Физматлит, М., 2010), p. 164-166
  14. N. Toropov, S. Zaki, T. Vartanyan, M. Sumetsky. Opt. Lett., 46 (7), 1784 (2021). DOI: 10.1364/OL.421104
  15. A. Yariv. Electron. Lett., 36 (4), 321 (2000). DOI: 10.1049/el:20000340
  16. T.A. Birks, J.C. Knight, T.E. Dimmick. IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (2), 182-183 (2000). DOI: 10.1109/68.823510
  17. M. Sumetsky, Y. Dulashko. Opt. Lett., 35 (23), 4006 (2010). DOI: 10.1364/OL.35.004006
  18. M. Sumetsky. Opt. Express, 20 (20), 22537 (2012). DOI: 10.1364/OE.20.022537
  19. L. Wang, L. Li, Y. Liu, S. Wang, H. Cai, H. Jin, Q. Tang, W. Sun, D. Yang. R. Soc. Open Sci., 7 (7), 192029 (2020). DOI: 10.1098/rsos.192029
  20. J.K. Vondeling. J. Mater. Sci., 18 (1), 304-314 (1983). DOI: 10.1007/BF00543840
  21. C. Mazzitelli, M. Ferrari, M. Toledano, E. Osorio, F. Monticelli, R. Osorio. J. Dent. Res., 87 (2), 186-190 (2008). DOI: 10.1177/154405910808700204
  22. G.A.C.M. Spierings. J. Mater. Sci., 28 (23), 6261-6273 (1993). DOI: 10.1007/BF01352182

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.