Маскаева Л.Н.
1,2, Бельцева А.В.
1, Ельцов О.С.
1, Бакланова И.В.
3, Михайлов И.А.
4, Марков В.Ф.
1,21Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: larisamaskaeva@yandex.ru, avbeltseva@mail.ru, o.s.eltsov@urfu.ru, v.f.markov@urfu.ru
Поступила в редакцию: 23 января 2023 г.
В окончательной редакции: 9 октября 2023 г.
Принята к печати: 9 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2023 г.
Методом химического осаждения получены пленки PbS, PbS(KMnO4), PbS(NH4I), PbS(KMnO4,NH4I) с хорошей адгезией к стеклянной подложке толщиной от 250 до 490 nm. Исследованы их состав, морфология и фоточувствительные свойства. Комплексными исследованиями с использованием КР-, ИК и оже-спектроскопии установлено присутствие на поверхности пленок ряда примесных кислородсодержащих фаз (PbO, PbCO3, PbSO4) и цианамида PbCN2. Выявлен синергетический эффект повышения фотоответа пленок PbS, синтезированных в присутствии комбинации добавок KMnO4 и NH4I, который обусловлен образованием на поверхности кристаллитов оптически активной фазы пентаоксида дийода I2O5. Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, сульфид свинца, пентаоксид дийода, ИК, КР-, оже-спектроскопия, фоточувствительные свойства, синергетический эффект.
- C. Nacu, V. Vomir, I. Pop, V. Ionescu, R. Grecu. Mater. Sci. Eng. B, 41 (2), 235 (1996). DOI: 10.1016/s0921-5107(96)01611-x
- P.M. Khanzode, D.I. Halge, V.N. Narwade, J.W. Dadge, K.A. Bogle. Optik, 226 (1), 165933 (2020). DOI: 10.1016/j.ijleo.2020.165933
- S.M. Lee, W. Jang, B.C. Mohanty, J. Yoo, J.W. Jang, D.B. Kim, Y. Yi, A. Soon, Y.S. Cho. Chem. Mater., 30 (21), 7776 (2018). DOI: 10.1021/acs.chemmater.8b03177
- T. Li, X. Tang, M. Chen. Coatings, 12, 609 (2022). DOI: 10.3390/coatings12050609
- D.G. Moon, S. Rehan, D.H. Yeon, S.M. Lee, S.J. Park, S.J. Ahn, Y.S. Cho. Sol. Energy Mater. Sol. Cells., 200, 109963(2019). DOI: 10.1016/j.solmat.2019.109963
- D.H. Yeon, B.C. Mohanty, C.Y. Lee, S.M. Lee, Y.S. Cho. ACS Omega, 2 (8), 4894 (2017). DOI: 10.1021/acsomega.7b00999
- V.V. Burungale, R.V. Devan, S.A. Pawar, N.S. Harale, V.L. Patil, V.K. Rao, P.S. Patil. Mater. Sci. Pol., 34(1), 204 (2016). DOI: 10.1515/msp-2016-000
- И.В. Зарубин, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Н.В. Зарубина, М.В. Кузнецов. Журн. аналит. химии, 72 (3), 266 (2017). DOI: 10.7868/S0044450217030197 [I.V. Zarubin, V.F. Markov, L.N. Maskaeva, N.V. Zarubina, M.V. Kuznetsov. J. Anal. Chem., 72 (3), 327 (2017). DOI: 10.1134/S1061934817030145]
- Т.V. Beatriceveena, E. Prabhu, A. Sree Rama Murthy, V. Jayaraman, K.I. Gnanasekar. Appl. Surf. Sci., 456, 430 (2018). DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.06.145
- V.M. Goossens, N.V. Sukharevska, D.N. Dirin, M.V. Kovalenko, M.A. Loi. Cell Reports Phys. Sci., 2 (12), 100655 (2021). DOI: 10.1016/j.xcrp.2021.100655
- B.Yasabu, F. Gashaw. Inter. J. Agric. Natur. Sci., 14(1), 16 (2021)
- U. Chalapathi, S.-H. Park, W.J. Choi. Mater. Sci. Semicond. Process., 134, 106022 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106022
- U. Chalapathi, S.-H. Park, W.J. Choi. Mater. Sci. Semicond. Process., 136, 106147 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106147
- B.G. Zaragoza-Palaciosa, A.R. Torres-Duarteb, S.J. Castillo. J. Mater. Sci. - Mater. Electron., 32 (9), (2021). DOI: 10.1007/s10854-021-06702-y
- A. Elmadani, R. Essajaia, A. Qachaou, A. Raidou, M. Fahoume, M. Lharch. Adv. Mater. Proces. Techn., 8 (3), 3413 (2022). DOI: 10.1080/2374068X.2021.1970986
- A.S. Barona, M.M. Aboodb, K.A. Mohammed. Chalcogenide Lett., 18 (12), 759 (2021). DOI: 10.1088/0034-4885/23/1/301
- D. Vankhade, T. K. Chaudhuri. J. Appl. Phys., 127(17), 175107 (2020). DOI: 10.1063/1.5138908
- G.P. Kothiyal, B. Gosh, R.Y. Deshpande. J. Phys. D, 13(5), 869 (1980). DOI: 10.1088/0022-3727/13/5/022
- M.S. Ghamsari, M.K. Araghi, S.J. Farahani. Mater. Sci. Eng. B, 133 (1-3), 113 (2006). DOI: 10.1016/j.mseb.2006.06.021
- Z.A. Motlagh, M.E. Azim Araghi. Mater. Sci. Semicond. Process., 40, 701 (2015). DOI: 10.1016/j.mssp.2015.07.039
- S.Espevik, W. Chen-ho, R. H. Bube. J. Appl. Phys., 42(9), 3513 (1971). DOI: 10.1063/1.1660763
- Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 18 (2), 359 (1984)
- M. Kul. Anadolu Univ. J. Sci. Technol. (b ), 7 (1), 46 (2019)
- G. M. Wolten. J. Electrochem. Soc., 122 (8), 1149 (1975). DOI: 10.1149/1.2134413
- I.S. Torriani, M.Tomyiama, S. Bilac, G.B. Rego, J.I. Cisneros, Z.P. Arguello. Thin Solid Films, 77(4), 347 (1981). DOI: 10.1016/0040-6090(81)90328-X
- M. Sasani Ghamsari, M. Khosravi Araghi. Iran J. Sci. Technol. Trans. A, 29 (1), 151 (2005). DOI: 10.22099/ijsts.2005.2793
- I. Pop, V. Ionescu, C. Nascu, V. Vomir, R. Grecu, E. Indrera. Thin Solid Films, 283 (1-2), 119 (1996). DOI: 10.1016/0040-6090(95)08242-5
- L.N. Maskaeva, V. F. Markov, E.V. Mostovshchikova, V.I. Voronin, A.V. Pozdin, S. Santra. J. Alloys Compd., 766, 402 (2018). DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.06.263
- Л.Н. Маскаева, Е.В. Мостовщикова, В.И. Воронин, Е.Э. Лекомцева, В.Ф. Марков, П.С. Богатова. ФТП, 54 (10), 1041 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49941.9448 [L.N. Maskaeva, E.V. Mostovshchikova, V.I. Voronin, E.E. Lekomtseva, P.S. Bogatova, V.F. Markov. Semiconductors., 54 (10), 12 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620100231230-1240]
- В.Г. Буткевич, Е.Р. Глобус, Л.Н. Залевская. Журн. прикладной физики, 2, 96 (1999). [V.G. Butkevitch, E.R. Globus, I.N. Zalevskai. J. Appl. Phys. 2, (1999)]
- A.N. Aleshin, A.V. Burlak, A.V. Ignatov, V.A. Pasternak, A.V. Tyurin. Mater. Transl. Neorg. Mater., 31, 394 (1995)
- E.M. Larramendi, O. Calzadilla, A. Gonzalez-Arias, E. Hernandez, J. Ruiz-Garcia. Thin Solid Films, 389 (1-2), 301 (2001). DOI: 10.1016/s0040-6090(01)00815-x
- V.F. Markov, L.N. Maskaeva, E.V. Mostovshchikova, V.I. Voronin, A.V. Pozdin, A.V. Beltseva, I.O. Selyanin, I.V. Baklanova. PCCP, 24, 16085 (2022). DOI: 10.1039/D2CP01815B
- R.L. Petritz. Phys. Rev., 104, 1508 (1956)
- G.H. Blount, R.H. Bube, A.L. Robinson. J. Appl. Phys., 41(5), 2190 (1970). DOI: 10.1063/1.1659188
- E. Indrea, A. Barbu. In: 2nd ht. Conj: on Photoexcited Processes and Applications (ICPEPA-2, 1995), p. 37. DOI: 10.1016/S0169-4332(97)80012-8
- R. Candee, D. Dadarlat, P. Fitori, R. Turku, E. Indream, A. Darabont, L. Biro, I. Bratu, N. Aldea. Stud. Cercet. Fiz., 38, 410 (1986)
- H.N. Acharya, H.N. Bose. Indian J. Phys., 54A, 6 (1979)
- Г.В. Самсонов, С.В. Дроздова. Сульфиды (Металлургия, М., 1972)
- R.H. Bube. Photoconductivity in solids (Wiley, NY., 1960)
- А.В. Бурлак, В.В. Зотов, А.В. Игнатов. Поверхность. Физика, химия, механика, 2, 121 (1992)
- H.S.H. Mohamed, M. Abdel-Hafiez, B.N. Miroshnikov, A.D. Barinov, I.N. Miroshnikova. Mater. Sci. Semicond. Process., 27, 725 (2014). DOI: 10.1016/j.mssp.2014.08.010
- Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 21 (12), 2159 (1987)
- Т.Б. Федорова, А.В. Вишняков, П.В. Ковтуненко. Исследования в области химии и химической технологии материалов для электронной техники, 133, 73 (1978)
- D. Vankhade, T.K. Chaudhur. Opt. Mater., 98, 109491 (2019). DOI: 10.1016/j.optmat.2019.109491
- J. M. C. da Silva Filho, F.C. Marque. Mater. Sci. Semicond. Process., 91, 188 (2019). DOI: 10.1016/j.mssp.2018.11.029
- M. Hangyo, S. Nakashima, Y. Hamada, T. Nishio, Y. Ohno. Phys. Rev. B, 48(15), 11291 (1993). DOI: 10.1103/physrevb.48.11291
- R.G. Perez, G.H. Tellez, U.P. Rosas, A.M. Torres, J.H. Tecorralco, L.C. Lima, O.P. Moreno. J. Mater. Sci. Eng. A, 3, 1 (2013)
- R. Sherwin, R.J.H. Clark, R. Lauck, M. Cardona. Sol. St. Commun., 134(8), 565 (2005). DOI: 10.1016/j.ssc.2005.02.026
- T. Tohidi, K. Jamshidi-Ghaleh, A. Namdar, Abdi-Ghaleh. Mater. Sci. Semicond. Process., 25, 197 (2014). DOI: 10.1016/j.mssp.2013.11.028
- T.D. Krauss, F.W. Wise , D.B. Tanner. Phys. Rev. Lett., 76, 1376 (1996)
- S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov, A. Cantarero, A. Cros, A.N. Titov. Mater. Sci. Eng. A, 462, 422 (2007). DOI: 10.1016/j.msea.2006.05.175
- M. Cortez-Valadez, A. Vargas-Ortiz, L. Rojas-Blanco, H. Arizpe-Chavez, M. Flores-Acosta, R. Ramirez-Bon. Phys. E, 53, 146 (2013). DOI: 10.1016/j.physe.2013.05.006
- Y. Batonneau, C. Bremard, J. Laureyns, J. C. Merli. J. Raman Spectrosc., 31 (12), 1113 (2000). DOI: 10.1002/1097-4555(200012)31:12<1113::aid- jrs653>3.0.co;2-e
- К.Накамото. ИК спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений (Мир, М., 1991)
- R.A. Nyquist, R.C. Kagel. Infrared Spectra of Inorganic Compounds (3800-45 cm-1) (Academic Press, NY., 1971)
- G.L.J. Trettenhahn, G.E. Nauer, A. Neckel. Vibr. Spectrosc., 5 (1), 85 (1993). DOI: 10.1016/0924-2031(93)87058-2
- M.H. Brooker. Can. J. Chem., 61(3), 494 (1983). DOI: 10.1139/v83-087
- Л. Литтл. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул (Мир, М., 1969)
- Я.М. Григорьев, Д.В. Поздняков, В.Н. Филимонов. Журн. физической химии, 46 (2), 316 (1972)
- Л. Беллами. Инфракрасные спектры сложных молекул (ИЛ, М., 1963)
- Г.-У. Гремлих. Язык спектров. Введение в интерпретацию спектров органических соединений (Оптик, Брукер, 2002)
- O.H. Ellestad. Acta Chem. Scand. B, 35 (3), 155 (1981). DOI: 10.3891/acta.chem.scand.35a-0155
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.