Вышедшие номера
Влияние интерференции в тонких пленках на оптические характеристики голограмм, зарегистрированных на слоях As-Se
Ганжерли Н.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nina.holo@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 14 апреля 2023 г.
Принята к печати: 8 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 29 сентября 2023 г.

Проведена оценка влияния интерференции в тонких пленках на оптические характеристики голограмм, зарегистрированных на слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника системы As-Se. Измерены изменения величины отражения, пропускания и оптической разности хода лучей в процессе воздействия актиничного излучения He-Ne-лазера на слои. Показано, что интерференционные явления в тонких пленках приводят к колебаниям этих характеристик, а также к колебанию дифракционной эффективности голограмм при изменении толщины слоя. Ключевые слова: интерференция в тонких пленках, халькогенидные стеклообразные полупроводники, показатель преломления, отражение, пропускание, оптическая разность хода лучей, дифракционная эффективность голограмм. DOI: 10.61011/OS.2023.08.56299.4859-23