Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Датчик угла поворота на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом

DOI: 10.21883/OS.2023.07.56141.4568-23

Сидоров А.И.^1,2, Ефимов А.А.²

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: sidorov@oi.ifmo.ru

Поступила в редакцию: 26 января 2023 г.

В окончательной редакции: 26 января 2023 г.

Принята к печати: 20 апреля 2023 г.

Выставление онлайн: 9 августа 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик в ближнем ИК диапазоне. При моделировании использовались слои кремния и диоксида кремния с оптической толщиной 3λ/4, λ/4 и 10λ/4. Изучено влияние угла падения излучения на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к углу поворота лежит в пределах 6-20 nm/deg и 1.7-5.5 dB/deg в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках угла поворота в качестве чувствительного элемента. Ключевые слова: датчик угла поворота, угол падения, фотонный кристалл, фотонная запрещенная зона, передаточная матрица.

A.S.A. Kumar, B. George, S.C. Mukhopadhyay. IEEE Sens. J. 21, 7195 (2021). DOI: 10.1109/JSEN.2020.3045461
A.H. Falkne. IEEE Trans. Instrum. Meas. 43, 939 (1994)
E.B. Mohammed, M. Rehman. IEE Proc.-Sci., Meas. Technol., 150, 15-18 (2003)
B.P. Reddy, A. Murali, G. Shaga. in Proc. 2nd Int. Conf. Frontiers Sensors Technol. (ICFST), Shenzhen, China, 14 (2017)
C. Schott, R. Racz, S. Huber. Sens. Actuators A, Phys. 132, 165 (2006)
M. Shan, R. Min, Z. Zhong, Y. Wang, Y. Zhang. Opt. Laser Technol. 68, 124 (2015). DOI: 10.1007/s12647-020-00410-4
D. Sagrario, P. Mead. Appl. Opt., 37, 6748 (1998). DOI: 10.1364/AO.37.006748
J.B. Markowski. ES 530B: Res. Proj., Hindawi Publ. Corp. 17 (2008)
A.M.R. Pinto, M. Lopez-Amo. J. Sens., 2012, 598178 (2012). DOI: 10.1155/2012/598178
S. Upadhyay, V.L. Kalyan. Intern. J. Eng. Res. Techn., 4, 1006 (2015). DOI: 10.1007/s11468-019-00934-9
Z. Baraket, J. Zaghdoudi, M. Kanzari. Opt. Mater. 64, 147 (2017). DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2016.12.005
A.I. Sidorov, L.A. Ignatieva. Optik 245, 167685 (2021). DOI: 10.1016/j.ijleo.2021
E. Chow, A. Grot, L.W. Mirkarimi, M. Sigalas, G. Girolami. Opt. Lett., 29, 1093 (2004). DOI: 10.1364/OL.29.001093
W.C.L. Hopman, P. Pottier, D. Yudistira, J. van Lith, P.V. Lambeck, R.M. de la Rue, A. Driessen, H.J.W.M. Hoekstra, R.M. de Ridder. IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron., 11, 11 (2005). DOI: 10.1109/JSTQE.2004.841693
B. Neil, X. Chen, J. McCann, C. Blair, J. Li, C. Zhao, D. Blair. Opt. Expr., 29, 15413 (2021). DOI: 10.1364/OE.425433
M. Born, E. Wolf. Principles of optics: electromagnetic theory of propagation, interference and diffraction of light (Cambridge University, 2000)
E.D. Palik. Handbook of optical constants of solids. V. 3 (Academic Press, San Diego, 1998)
Y. Chen, Y. Fan, Z. Zhang, Z. Zhu, K. Liu, J. Zhang, W. Xu, C. Guo. Opt. Expr., 29, 41206 (2021). DOI: 10.1364/OE.443842

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель