Вышедшие номера
Датчик малых перемещений на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом
Министерство науки и высшего образования для университета ИТМО , Программа «Приоритет 2030» , 000
Сидоров А.И.1, Махаева М.В.2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: sidorov@oi.ifmo.ru, mahaevamariya@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 14 апреля 2023 г.
Принята к печати: 28 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 9 августа 2023 г.

Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла (ФК) с дефектом на основе слоев Si-SiO2 в ближнем ИК диапазоне. Оптическая толщина слоев, образующих ФК, составляла λ/4, 3λ/4 и 10λ/4. Дефект был образован воздушным зазором в середине ФК. Изучено влияние толщины дефекта на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к толщине дефекта d лежит в пределах Deltaλ/Delta d=330-1200 nm/μm и 0.6-0.85 dB/nm, в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает 1D ФК с дефектом перспективными для использования в датчиках малых перемещений в качестве чувствительного элемента. Ключевые слова: датчик перемещений, фотонный кристалл, дефект, фотонная запрещенная зона, передаточная матрица.