Оптические свойства ван-дер-ваальсовых гетероструктур на основе 2D-монослоев борофена, нитрида галлия и оксида цинка
Russian Science Foundation , 21-72-00082
Слепченков М.М.
1, Колосов Д.А.
1, Глухова О.Е.
11Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: slepchenkovm@mail.ru, kolosovda@bk.ru, glukhovaoe@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 20 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 19 января 2023 г.
Принята к печати: 6 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июля 2023 г.
Рассмотрены две новые атомные модели ван-дер-ваальсовых вертикальных гетероструктур типа металл-полупроводник на основе 2D-монослоя гофрированного борофена с треугольной кристаллической решеткой, обладающего металлической проводимостью, и графеноподобных 2D-монослоев нитрида галлия GaN и оксида цинка ZnO, являющихся полупроводниками. С помощью теории функционала плотности найдены равновесные конфигурации суперячеек гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO и показана их термодинамическая стабильность при комнатной температуре. В рамках нестационарной теории возмущения первого порядка рассчитаны оптические характеристики - комплексная диэлектрическая проницаемость и коэффициент поглощения - в диапазоне длин волн электромагнитного излучения 0.2-2 μm. Установлено наличие анизотропии оптических свойств гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO при выборе направлении поляризации света, обусловленной различным проявлением оптических свойств составляющих гетероструктуры монослоев. Обнаружен синергетический эффект от сочетания монослоев борофена и ZnO в составе вертикальной гетероструктуры борофен/ZnO, проявляющийся в виде возрастающего участка характеристик действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости в области инфракрасного излучения для обоих направлений поляризации света. Прогнозируется, что на основе гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO могут быть созданы детекторы УФ излучения. Ключевые слова: ван-дер-ваальсовы вертикальные гетероструктуры, комплексная диэлектрическая проницаемость, коэффициент поглощения, анизотропия оптических свойств.
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499, 419 (2013). DOI: 10.1038/nature12385
- K.S. Novoselov, A. Mishchenko, A. Carvalho, A.H. Castro Neto. Science, 353, aac9439 (2016). DOI: 10.1126/science.aac94
- J. Yao, G. Yanga. J. Appl. Phys., 131, 161101 (2022). DOI: 10.1063/5.0087503
- L. Britnell, R.V. Gorbachev, R. Jalil, B.D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M.I. Katsnelson, L. Eaves, S.V. Morozov, N.M. Peres, J. Leist, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L.A. Ponomarenko. Science, 335, 947 (2012). DOI: 10.1126/science.1218461
- C.C. Chen, Z. Li, L. Shi, S.B. Cronin. Nano Res., 8, 666 (2015). DOI: 10.1007/s12274-014-0550-8
- C.E. Ekuma, S. Najmaei. ACS Appl. Nano Mater., 3, 7136 (2020). DOI: 10.1021/acsanm.0c01465
- W. Choi, N. Choudhary, G.H. Han, J. Park, D. Akinwande, Y.H. Lee. Mater. Today, 20, 116 (2017). DOI: 10.1016/j.mattod.2016.10.002
- Z. Kang, Y. Ma, X. Tan, M. Zhu, Z. Zheng, N. Liu, L. Li, Z. Zou, X. Jiang, T. Zhai, Y. Gao. Adv. Electron. Mater., 3, 1700165 (2017). DOI: 10.1002/aelm.201700165
- X. Kong, Q. Liu, C. Zhang, Z. Peng, Q. Chen. Chem. Soc. Rev., 46, 2127 (2017). DOI: 10.1039/C6CS00937A
- Y. Liu, N.O. Weiss, X. Duan, H.-C. Cheng, Y. Huang, X. Duan. Nat. Rev. Mater., 1, 16042 (2016). DOI: 10.1038/natrevmats.2016.42
- X. Zhou, X. Hu, J. Yu, S. Liu, Z. Shu, Q. Zhang, H. Li, Y. Ma, H. Xu, T. Zhai. Adv. Funct. Mater., 28, 1706587 (2018). DOI: 10.1002/adfm.201706587
- S. Liang, B. Cheng, X. Cui, F. Miao. Adv. Mater., 32, 1903800 (2019). DOI: 10.1002/adma.201903800
- M.Z. Bellus, M. Li, S.D. Lane, F. Ceballos, Q. Cui, X.C. Zeng, H. Zhao. Nanoscale Horiz., 2, 31 (2017). DOI: 10.1039/C6NH00144K
- X. Hong, J. Kim, S.-F. Shi, Y. Zhang, C. Jin, Y. Sun, S. Tongay, J. Wu, Y. Zhang, F. Wang. Nature Nanotech., 9, 682 (2014). DOI: 10.1038/nnano.2014.167
- K. Zhang, T. Zhang, G. Cheng, T. Li, S. Wang, W. Wei, X. Zhou, W. Yu, Y. Sun, P. Wang, D. Zhang, C. Zeng, X. Wang, W. Hu, H.J. Fan, G. Shen, X. Chen, X. Duan, K. Chang, N. Dai. ACS Nano, 10, 3852 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.6b00980
- Y. Zou, Y. Zhang, Y. Hu, H. Gu. Sensors, 18, 2072 (2018). DOI: 10.3390/s18072072
- L. Peng, Y. Cui, L. Sun, J. Du, S. Wang, S. Zhang, Y. Huang. Nanoscale Horiz., 4, 480 (2019). DOI: 10.1039/C8NH00413G
- W.X. Zhang, Y. Yina, C. He. Phys. Chem. Chem. Phys., 22, 26231 (2020). DOI: 10.1039/D0CP04474A
- Y. Zhu, K. Liu, Q. Ai, Q. Hou, X. Chen, Z. Zhang, X. Xie, B. Lia, D. Shen. J. Mater. Chem. C, 8, 2719 (2020). DOI: 10.1039/C9TC06416H
- Z. Liu, X. Wang, Y. Liu, D. Guo, S. Li, Z. Yan, C.-K. Tan, W. Li, P. Li, W. Tang. J. Mater. Chem. C, 7, 13920 (2019). DOI: 10.1039/C9TC04912F
- L. Yu, Y.H. Lee, X. Ling, E.J. Santos, Y.C. Shin, Y. Lin, M. Dubey, E. Kaxiras, J. Kong, H. Wang, T. Palacios. Nano Lett., 14, 3055 (2014). DOI: 10.1021/nl404795z
- K. Zhang, T. Zhang, G. Cheng, T. Li, S. Wang, W. Wei, X. Zhou, W. Yu, Y. Sun, P. Wang, D. Zhang, C. Zeng, X. Wang, W. Hu, H.J. Fan, G. Shen, X. Chen, X. Duan, K. Chang, N. Dai. ACS Nano, 10, 3852 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.6b00980
- S. Kaur, A. Kumar, S. Srivastava, K. Tankeshwar. Phys. Chem. Chem. Phys., 19, 22023 (2017). DOI: 10.1039/C7CP03960C
- A.J. Mannix, X.-F. Zhou, B. Kiraly, J.D. Wood, D. Alducin, B.D. Myers, X. Liu, B.L. Fisher, U. Santiago, J.R. Guest, M.J. Yacaman, A. Ponce, A.R. Oganov, M.C. Hersam, N.P. Guisinger. Science, 350, 1513 (2015). DOI: 10.1126/science.aad1080
- N. Katoch, A. Kumar, R. Sharma, P.K. Ahluwalia, J. Kumar. Phys. E: Low-Dimens. Syst. Nanostructures, 120, 113842, (2020). DOI: 10.1016/j.physe.2019.113842
- S. Jing, W. Chen, J. Pan, W. Li, B. Bian, B. Liao, G. Wang. Mater. Sci. Semicond. Process., 146, 106673 (2022). DOI: 10.1016/j.mssp.2022.106673
- J.W. Jiang, X.C. Wang, Y. Song, W.B. Mi. Appl. Surf. Sci., 440, 42 (2018). DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.01.140
- J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garci a, J. Junquera, P. Ordejon, D. Sanchez-Portal. J. Phys.: Condens. Matt., 14, 2745 (2002). DOI: 10.1088/0953-8984/14/11/302
- J.P. Perdew, J.A. Chevary, S.H. Vosko, K.A. Jackson, M.R. Pederson, D.J. Singh, C. Fiolhais. Phys. Rev. B, 46, 6671 (1992). DOI: 10.1103/PhysRevB.46.6671
- S. Grimme. J. Comput. Chem., 27, 1787 (2006). DOI: 10.1002/jcc.20495
- H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976). DOI: 10.1103/PhysRevB.13.5188
- P. Pulay. Chem. Phys. Lett., 73, 393 (1980). DOI: 10.1016/0009-2614(80)80396-4
- E.N. Economou. Green's Functions in Quantum Physics, 3rd ed. (Springer, Berlin, 1983), p. 55-75. DOI: 10.1007/3-540-28841-4_4
- The Materials Project. [Электронный ресурс]. URL: https://materialsproject.org/
- Z. Deng, X. Wang, J. Cui. RSC Adv., 9, 13418 (2019). DOI: 10.1039/C9RA01576K
- J. Wu, M. Gong. J. Appl. Phys., 130, 070905 (2021). DOI: 10.1063/5.0060255
- Z. Luo, X. Fan, Y. An. Nanoscale Res. Lett., 12, 514 (2017). DOI: 10.1186/s11671-017-2282-7
- Z. Zhang, E.S. Penev, B.I. Yakobson. Chem. Soc. Rev., 46, 6746 (2017). DOI: 10.1039/C7CS00261K
- M. Idrees, C.V. Nguyen, H.D. Bui, I. Ahmad, B. Amin. Phys. Chem. Chem. Phys., 22, 20704 (2020). DOI: 10.1039/D0CP03434G
- X. Gao, Y. Shen, Y. Ma, S. Wu, Z. Zhou. J. Mater. Chem. C, 7, 4791 (2019). DOI: 10.1039/C9TC00423H
- H. Xiang, H. Quan, Y. Hu, W. Zhao. J. Inorg. Mater., 36, 492 (2021). DOI: 10.15541/jim20200346
- K. Ren, J. Yu, W. Tang. J. Alloys Compd., 812, 152049 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.152049
- S. Xia, Y. Diao, C. Kan. J. Colloid Interface Sci., 607, 913 (2022). DOI: 10.1016/j.jcis.2021.09.050
- G. Wang, W. Tang, L. Geng, Y. Li, B. Wang, J. Chang, H. Yuan. Phys. Status Solidi B, 257, 1900663 (2019). DOI: 10.1002/pssb.201900663
- Y. Zhang, M. Zhang, Y. Zhou, J. Zhao, S. Fang, F. Li. J. Mater. Chem. A, 2, 13129 (2014). DOI: 10.1039/C4TA01874E
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.