Люминесцентная спектроскопия фосфатов, легированных ионами Pr3+, облученных быстрыми электронами и реакторными нейтронами
Министерство образования и науки Российской Федераци, Базовая часть государственного задания, FEUZ-2023-0013
Киселев С.А.
1, Пустоваров В.А.
1, Трофимова Е.С.
1,2, Петрова М.О.
31Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Email: sviat-kiselev@yandex.ru, v.a.pustovarov@urfu.ru, trofimova.e.s@yandex.ru, mbelova@jinr.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 10 января 2023 г.
Принята к печати: 6 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 12 июня 2023 г.
Исследованы спектроскопические свойства фосфатов KLuP2O7, Sr9Sc(PO4)7, K3Lu(PO4)2, легированных ионами Pr3+. Представлены результаты исследований спектров фотолюминесценции (ФЛ) при селективном возбуждении фотонами УФ диапазона, спектры возбуждения ФЛ, кинетики затухания импульсной катодолюминесценции. Исследования проводились на необлученных образцах и после их облучения быстрыми электронами (E=10 MeV) или быстрыми реакторными нейтронами. Выявлены три типичных канала излучательной релаксации электронных возбуждений: межконфигурационные d-f-переходы, внутриконфигурационные f-f-переходы в ионах Pr3+ и люминесценция, связанная с дефектами. После облучения наблюдались значительные изменения характеристик люминесценции: перераспределение интенсивности межконфигурационных d-f-переходов, рост выхода люминесценции дефектов и проявление новых центров эмиссии. Образование радиационно-индуцированных дефектов предположительно происходит за счет образования комплексов, состоящих из атомов фосфора и кислорода. Ключевые слова: фосфаты, люминесценция, d-f-переходы, f-f-переходы, перенос энергии, радиационно-индуцированные дефекты. DOI: 10.21883/OS.2023.05.55711.62-22
- A.M. Srivastava. J. Lumin., 169, 445 (2016). DOI: 10.1016/j.jlumin.2015.07.001
- V. Gorbenko, E. Zych, T. Voznyak, S. Nizankovskiy, T. Zorenko, Yu. Zorenko. Opt. Mater., 66, 271 (2017). DOI: 10.1016/j.optmat.2017.02.00
- N. Kristianpoller, D. Weiss, N. Khaidukov, V.N. Makhov, R. Chen. Rad. Meas., 43 (2), 245 (2008). DOI: 10.1016/j.radmeas.2007.11.001
- M. Nikl, V.V. Laguta, A. Vedda. Phys. Status Solidi B, 245, 1701 (2008). DOI: 10.1002/pssb.200844039
- M. Nikl, H. Ogino, A. Yoshikawa, E. Mihokova, J. Pejchal, A. Beitlerova, A. Novoselov, T. Fukuda. Chem. Phys. Lett., 410, 218 (2005). DOI: 10.1016/j.cplett.2005.04.115
- I. Carrasco, K. Bartosiewicz, F. Piccinelli, M. Nikl, M. Bettinelli. J. Lumin., 189, 113 (2017). DOI: 10.1016/j.jlumin.2016.08.022
- V.A. Pustovarov, A.N. Razumov, D.I. Vyprintsev. Phys. Solid State, 56, 347 (2014). DOI: 10.1134/S1063783414020267
- D. Wisniewski, A.J. Wojtowicz, W. Drozdowski, J.M. Farmer, L.A. Boatner. J. Alloy Compd., 380, 191 (2004). DOI: 10.1016/j.jallcom.2004.03.042
- A. Zych, M. de Lange, C. d. M. Donega, A. Meijerink. J. Appl. Phys., 112, 013536 (2012). DOI: 10.1063/1.4731735
- V.A. Pustovarov, K.V. Ivanovskikh, S.A. Kiselev, E.S. Trofimova, S. Omelkov, M. Bettinelli. Opt. Mat., 108, 110234 (2020). DOI: 10.1016/j.optmat.2020.110234
- K.V. Ivanovskikh, V.A. Pustovarov, S. Omelkov, M. Kirm, F. Piccinelli, M. Bettinelli. J. Lumin., 230, 117749 (2021). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117749
- M. Trevisani, K. Ivanovskikh, F. Piccinelli, M. Bettinelli. Zeitschrift fur Naturforschung B, 69, 205 (2014). DOI: 10.5560/znb.2014-3260
- V.A. Pustovarov, K.V. Ivanovskikh, Yu.E. Khatchenko, V.Yu. Ivanov, M. Bettinelli, Q. Shi. Phys. Solid State, 61 (5), 867--871 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.05.47582.12F
- V.A. Рustovarov, E.I. Zinin, A.L. Krymov, B.V. Shulgin. Rev. Sci. Instrum., 63, 3524 (1992). DOI: 10.1063/1.1143760
- E. Radzhabov, V. Nagirnyi. In: IOP Conf. Series: Mat. Sci. Eng. (IOP Publishing, 2010), vol. 15 (1), p. 012029. DOI: 10.1088/1757-899X/15/1/012029
- V.A. Pustovarov, K.V. Ivanovskikh, Yu.E. Khatchenko, V.Yu. Ivanov, M. Bettinelli, Q. Shi. Phys. Solid State, 61, 758--762 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419050275
- K. Kanaya, S. Okayama. J. Phys. D: Appl. Phys., 5 (1), 43 (1972). DOI: 10.1088/0022-3727/5/1/308
- M.O. Petrova, M.V. Bulavin, A.D. Rogov, A. Yskakov, A.V. Galushko. Instrum. Exp. Tech., 65, 371 (2022). DOI: 10.1134/S0020441222030046
- S. Girard, A. Alessi., N. Richard, L. Martin-Samos, V. de Michele. Rev. Phys., 4, 100032 (2019). DOI: 10.1016/j.revip.2019.100032
- G. Origlio, F. Messina, M. Cannas, R. Boscaino, S. Girard, A. Boukenter, Y. Ouerdane. Phys. Rev. B, 80, 205208 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.205208
- А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные дефекты и электронные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO2 (Зинатне, Рига, 1985)
- L. Skuja. J. Non-Cryst. Solids, 239 (1-3), 16 (1998). DOI: 10.1016/s0022-3093(98)00720-0
- V.A. Pustovarov, A.F. Zatsepin, V.S. Cheremnykh, A.A. Syrtsov, S.O. Cholakh. Radiat. Eff. Defects Solids, 157 (6-12), 751 (2002). DOI: 10.1080/10420150215800
- A.N. Sreeram, L.W. Hobbs, N. Bordes, R.C. Ewing. Nucl. Instr. And Meth. B, 116 (1-4), 126 (1996). DOI: 10.1016/0168-583X(96)00022-5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
