Вышедшие номера
Кислородные дефекты в одностенных углеродных нанотрубках для источников излучения в ближнем инфракрасном диапазоне
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ) и Правительство Москвы, 21-32-70012, 21-32-70012
Российский научный фонд, «Проведение исследований на базе существующей научной инфраструктуры мирового уровня» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 21-72-20050
Ерёмин T.B.1, Ерёмина B.A.1, Образцова Е.Д.1,2
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 3 декабря 2022 г.
Принята к печати: 19 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 26 января 2023 г.

В спектрах фотолюминесценции (ФЛ) одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) обнаружен новый пик с увеличенной интенсивностью, который возникает при облучении нанотрубок УФ излучением в присутствии гипохлорита натрия. На основании спектроскопических данных сделано заключение, что новый пик ФЛ связан с кислородными дефектами в структуре ОУНТ. Изучено влияние кислотности окружающей среды на оптические свойства ОУНТ, допированных кислородом (О-ОУНТ), обнаружена повышенная чувствительность нового пика ФЛ к pH среды; сделан вывод о критической важности использования pH-нейтральной среды при создании источников ИК излучения на основе О-ОУНТ. Ключевые слова: одностенные углеродные нанотрубки, фотолюминесценция, локализованный экситон, кислотность, источник ИК излучения.
  1. Y.J. Miyauchi. Mater. Chem. C, 1 (40), 6499 (2013). DOI: 10.1039/c3tc00947e
  2. R.B. Weisman, S.M. Bachilo. Nano Lett., 3 (9), 1235 (2003). DOI: 10.1021/nl034428i
  3. T. Hertel, S. Himmelein, T. Ackermann, D. Stich, J. Crochet. ACS Nano, 4 (12), 7161 (2010). DOI: 10.1021/nn101612b
  4. M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, R. Saito, A. Jorio Annu. Rev. Phys. Chem., 58 (1), 719 (2007). DOI: 10.1146/annurev.physchem.58.032806.104628
  5. S. Ghosh, S.M. Bachilo, R.A. Simonette, K.M. Beckingham, R.B. Weisman. Science, 330 (6011), 1656 (2010). DOI: 10.1126/science.1196382
  6. Y. Miyauchi, M. Iwamura, S. Mouri, T. Kawazoe, M. Ohtsu, K. Matsuda. Nat. Photonics, 7 (9), 715 (2013). DOI: 10.1038/nphoton.2013.179
  7. Y. Piao, B. Meany, L.R. Powell, N. Valley, H. Kwon, G.C. Schatz, Y. Wang. Nat. Chem., 5 (10), 840 (2013). DOI: 10.1038/nchem.1711
  8. T. Shiraki, T. Shiraishi, G. Juhasz, N. Nakashima. Sci. Rep., 6, 28393 (2016). DOI: 10.1038/srep28393
  9. C.W. Lin, S.M. Bachilo, Y. Zheng, U. Tsedev, S. Huang, R.B. Weisman, A.M. Belcher. Nat. Commun., 10 (1), (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-10917-3
  10. Y. Iizumi, M. Yudasaka, J. Kim, H. Sakakita, T. Takeuchi, T. Okazaki. Sci. Rep., 8 (1), 1 (2018). DOI: 10.1038/s41598-018-24399-8
  11. H. Kwon, M. Kim, B. Meany, Y. Piao, L.R. Powell, Y. Wang. Phys. J. Chem. C, 119 (7), 3733 (2015). DOI: 10.1021/jp509546d
  12. J. Ramirez, M.L. Mayo, S. Kilina, S. Tretiak. Chem. Phys., 413, 89 (2013). DOI: 10.1016/j.chemphys.2012.10.010
  13. N.F. Hartmann, S.E. Yalcin, L. Adamska, E.H. Haroz, X. Ma, S. Tretiak, H. Htoon, S.K. Doorn. Nanoscale, 7 (48), 20521 (2015). DOI: 10.1039/c5nr06343d
  14. S. Kilina, J. Ramirez, S. Tretiak. Nano Lett., 12 (5), 2306 (2012). DOI: 10.1021/nl300165w
  15. A.H. Brozena, M. Kim, L.R. Powell, Y.H. Wang. Nat. Rev. Chem., 3 (6), 375 (2019). DOI: 10.1038/s41570-019-0103-5
  16. B.J. Gifford, S. Kilina, H. Htoon, S.K. Doorn, S. Tretiak. Acc. Chem. Res., 53 (9), 1791 (2020). DOI: 10.1021/acs.accounts.0c00210
  17. H. Kwon, M. Kim, B. Meany, Y. Piao, L.R. Powell, Y. Wang. J. Phys. Chem. C, 119 (7), 3733 (2015). DOI: 10.1021/jp509546d
  18. X. He, L. Sun, B.J. Gifford, S. Tretiak, A. Piryatinski, X. Li, H. Htoon, S.K. Doorn. Nanoscale, 11 (18), 9125 (2019). DOI: 10.1039/c9nr02175b
  19. S. Settele, F.J. Berger, S. Lindenthal, S. Zhao, A. Ali, E. Yumin, N.F. Zorn, A. Asyuda, M. Zharnikov, A. Hogele, J. Zaumseil. Nat. Commun., (2021), 1 (2021). DOI: 10.1038/s41467-021-22307-9
  20. A.H. Brozena, J.D. Leeds, Y. Zhang, J.T. Fourkas, Y. Wang. ACS Nano, 8 (5), 4239 (2014). DOI: 10.1021/nn500894p
  21. T. Shiraki, Y. Miyauchi, K. Matsuda, N. Nakashima. Acc. Chem. Res., 53 (9), 1846 (2020). DOI: 10.1021/acs.accounts.0c00294
  22. B.J. Gifford, X. He, M. Kim, H. Kwon, A. Saha, A.E. Sifain, Y. Wang, H. Htoon, S. Kilina, S.K. Doorn, S. Tretiak. Chem. Mater., 31 (17), 6950 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b01438
  23. Y. Kim, K.A. Velizhanin, X. He, I. Sarpkaya, Y. Yomogida, T. Tanaka, H. Kataura, S.K. Doorn, H. Htoon. J. Phys. Chem. Lett., 10 (6), 1423 (2019). DOI: 10.1021/acs.jpclett.8b03732
  24. H. Onitsuka, T. Fujigaya, N. Nakashima, T. Shiraki. Chem. --- A Eur. J., 24 (37), 9393 (2018). DOI: 10.1002/chem.201800904
  25. M. Nutz, J. Zhang, M. Kim, H. Kwon, X. Wu, Y. Wang, A. HOgele. Nano Lett., 19 (10), 7078 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b02553
  26. X. He, N.F. Hartmann, X. Ma, Y. Kim, R. Ihly, J.L. Blackburn, W. Gao, J. Kono, Y. Yomogida, A. Hirano, T. Tanaka, H. Kataura, H. Htoon, S.K. Doorn. Nat. Photonics, 11 (9), 577 (2017). DOI: 10.1038/nphoton.2017.119
  27. A. Saha, B.J. Gifford, X. He, G. Ao, M. Zheng, H. Kataura, H. Htoon, S. Kilina, S. Tretiak, S.K. Doorn. Nat. Chem., 10, 1089 (2018). DOI: 10.1038/s41557-018-0126-4
  28. X. Ma, N.F. Hartmann, J.K.S. Baldwin, S.K. Doorn, H. Htoon. Nat. Nanotechnol., 10 (8), 671 (2015). DOI: 10.1038/nnano.2015.136
  29. M.E. Sykes, M. Kim, X. Wu, G.P. Wiederrecht, L. Peng, Y.H. Wang, D.J. Gosztola, X. Ma. ACS Nano, 13 (11), 13264 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.9b06279
  30. H. Kwon, A. Furmanchuk, M. Kim, B. Meany, Y. Guo, G.C. Schatz, Y. Wang. J. Am. Chem. Soc., 138 (21), 6878 (2016). DOI: 10.1021/jacs.6b03618
  31. X. He, K.A. Velizhanin, G. Bullard, Y. Bai, J.-H. Olivier, N.F. Hartmann, B.J. Gifford, S. Kilina, S. Tretiak, H. Htoon, M.J. Therien, S.K. Doorn. ACS Nano, (July), acsnano.8b02909 (2018). DOI: 10.1021/acsnano.8b02909
  32. N.F. Hartmann, K.A. Velizhanin, E.H. Haroz, M. Kim, X. Ma, Y. Wang, H. Htoon, S.K. Doorn. ACS Nano, 10 (9), 8355 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.6b02986
  33. M. Iwamura et al. ACS Nano, 8 (11), 11254 (2014). DOI: 10.1021/nn503803b
  34. T. Shiraishi, G. Juhasz, T. Shiraki, N. Akizuki, Y. Miyauchi, K. Matsuda, N. Nakashima. J. Phys. Chem. C, 120 (29), 15632 (2016). DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b07841
  35. X. Ma, J.K.S. Baldwin, N.F. Hartmann, S.K. Doorn, H. Htoon. Adv. Funct. Mater., 25 (39), 6157 (2015). DOI: 10.1002/adfm.201502580
  36. X. Ma, L. Adamska, H. Yamaguchi, S.E. Yalcin, S. Tretiak, S.K. Doorn, H. Htoon. Nat. Nanotechnol., 7 (July), 1 (2015). DOI: 10.1038/nnano.2011.227
  37. C.F. Chiu, W.A. Saidi, V.E. Kagan, A. Star. J. Am. Chem. Soc., 139 (13), 4859 (2017). DOI: 10.1021/jacs.7b00390
  38. N. Akizuki, S. Aota, S. Mouri, K. Matsuda, Y. Miyauchi. Nat. Commun., 6, 1 (2015). DOI: 10.1038/ncomms9920
  39. J. Zaumseil. Adv. Opt. Mater., 10 (2), (2022). DOI: 10.1002/adom.202101576
  40. X. He, H. Htoon, S.K. Doorn, W.H.P. Pernice, F. Pyatkov, R. Krupke, A. Jeantet, Y. Chassagneux, C. Voisin. Nat. Mater., 17 (8), 663 (2018). DOI: 10.1038/s41563-018-0109-2
  41. C. Fantini, A. Jorio, M. Souza, M.S. Strano, M.S. Dresselhaus, M.A. Pimenta. Phys. Rev. Lett., 93 (14), 1 (2004). DOI: 10.1103/PhysRevLett.93.147406
  42. F. Wang, M.Y. Sfeir, L. Huang, X.M.H. Huang, Y. Wu, J. Kim, J. Hone, S. O'Brien, L.E. Brus, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 96 (16), 1 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.167401
  43. J.G. Duque, M. Pasquali, L. Cognet, B. Lounis. ACS Nano, 3 (8), 2153 (2009). DOI: 10.1021/nn9003956
  44. Y. Miyauchi, R. Saito, K. Sato, Y. Ohno, S. Iwasaki, T. Mizutani, J. Jiang, S. Maruyama. Chem. Phys. Lett., 442 (4-6), 394 (2007). DOI: 10.1016/j.cplett.2007.06.018
  45. T. Koyama, S. Shimizu, Y. Miyata, H. Shinohara, A. Nakamura. Phys. Rev. B --- Condens. Matter Mater. Phys., 87 (16), 165430 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.87.165430
  46. T. Eremin, E. Obraztsova. Phys. Status Solidi Basic Res., 255 (1), 1700272 (2017). DOI: 10.1002/pssb.201700272

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.