Катодолюминесценция собственных дефектов в пленках La : HfZrO
РФФИ , ННИО_а, 20-57-12003
Дементьева Е.В.1, Заморянская М.В.1, Гриценко В.А.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: ivanova@mail.ioffe.ru, zam@mail.ioffe.ru, grits@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 24 октября 2022 г.
Принята к печати: 1 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 19 декабря 2022 г.
Нанометровые пленки твердого раствора оксида гафния и циркония, легированные лантаном (La:(HfZr)O2), представляют большой интерес для разработки универсальной памяти, сочетающей неограниченное число циклов перепрограммирования оперативной памяти и энергонезависимость флеш-памяти. Настоящая работа посвящена исследованиям катодолюминесцентных свойств тонких пленок La : HfZrO с различным содержанием лантана. Показано, что в спектрах катодолюминесценции доминируют две полосы излучения с максимумами интенсивности 2.7 и 2.2 eV. Голубая полоса с энергией 2.7 eV обусловлена вакансией кислорода в La : HfZrO. Исследование влияния примеси лантана и отжига образцов в аргоне позволяет предположить, что желтая полоса с максимумом излучения 2.2 eV связана с дивакансией кислорода. Ключевые слова: люминесценция, оксид гафния, оксид циркония, вакансия кислорода.
- F. Mehmood, M. Hoffmann, P. D. Lomenzo, C. Richter, M. Materano, T. Mikolajick, Uwe Schroeder. Adv. Mater. Interfaces, 6 (21), 1901180 (2019). DOI : 10.1002/admi.201901180
- T. Schenk, M. Pesic, S. Slesazeck, U. Schroeder, T. Mikolajick. Rep. on Progr. in Phys., 83 (8), 086501 (2020). DOI: 10.1088/1361-6633/ab8f86
- A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, D.V. Negrov, E.V. Korostylev, M.H. Park, U. Schroeder, C.S. Hwang, A.M. Markeev. ACS Appl. Mater. Interface, 10 (3), 2701-2708 (2018). DOI: 10.1021/acsami.7b15110
- U. Schroeder, C. Adelmann, E. Yurchuk, J. Muller, D. Martin, T. Schenk, P. Polakowski, M.I. Popovici, S.V. Kalinin, T. Mikolajick . Jpn. J. Appl. Phys., 53, 08LE02 (2014)
- D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, V.A. Pustovarov, O.M. Orlov, A.G. Chernikova, A.M. Markeev, S. Slesazeck, U. Schroeder, T. Mikolajick, G.Ya. Krasnikov. Acta Mater., 166, 47-55 (2019). DOI: 10.1016/j.actamat.2018.12.008
- M.H. Park, C.-C. Chung, T. Schenk, C. Richter, M. Hoffmann, S. Wirth, J.L. Jones, T. Mikolajick, U. Schroeder. Adv. Electron. Mater., 4, 1700489 (2018). DOI: 10.1002/aelm.201700489
- П.А. Дементьев, Е.В. Иванова, М.В. Заморянская. ФТТ, 61 (8), 1448-1454 (2019). DOI: 10.21883/OS.2022.12.54088.4244-22 [P.A. Dementev, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya. Phys. Solid State, 61, 1394-1400 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419080110]
- Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, В.Н. Кручинин, Е.В. Иванова, М.В. Заморянская, М.С. Лебедев. ФТТ, 60 (10), 2006-2013 (2018). DOI: 10.21883/OS.2022.12.54088.4244-22 [D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, V.N. Kruchinin et al. Phys. Solid State, 60, 2050-2057 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418100098]
- M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii. Microanalyzer, Instrum. Exp. Tech., 47, 477-483 (2004)
- Toshihide Ito, Motohiro Maeda, Kazuhiko Nakamura. J. Appl. Phys., 97, 054104 (2005). DOI: 10.1063/1.1856220
- V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, D.R. Islamov. Phys. Rep., 613, 1-20 (2016). DOI: 10.1016/j.physrep.2015.11.002
- T.V. Perevalov, D.V. Gulyaev, V.S. Aliev, K.S. Zhuravlev, V.A.Gritsenko, A.P. Yelisseyev. J. Appl. Phys., 116, 244109 (2014). DOI: 10.1063/1.4905105
- D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, V.Sh Aliev, V.A Nadolinny, A. Chin. Materialia, 15, 100980 (2021). DOI: 10.1016/j.mtla.2020.100979
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
