Особенности фотопроводимости и люминесценции тонких пленок CdS и твердых растворов Cd1-xZnxS при лазерном возбуждении
Салманов В.М.1, Гусейнов А.Г.1, Джафаров М.А.1, Maмeдов Р.M.1, Мамедова Т.А.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: vagif_salmanov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 1 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2022 г.
Принята к печати: 14 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 26 сентября 2022 г.
Экспериментально исследовались особенности фотопроводимости и люминесценции тонких пленок CdS и твердых растворов Cd1-xZnxS, полученных методом химической пульверизации с последующим пиролизом при лазерном возбуждении. В качестве источника излучения были использованы импульсные жидкостной (473-547 nm) и азотный (337 nm) лазеры. Экспериментально исследовались спектры фотопроводимости и фотолюминесценции тонких пленок Cd1-xZnxS в зависимости от состава x при различных интенсивностях возбуждения и кривые релаксации неравновесной фотопроводимости. Показано, что наблюдаемые особенности в спектрах фотопроводимости и фотолюминесценции тонких пленок Cd1-xZnxS обусловлены прямыми зона-зонными переходами. При высоких интенсивностях оптического возбуждения в тонких пленках CdS наблюдается усиление света. Ключевые слова: тонкие пленки CdS, Cd1-xZnxS, лазер, спектры фотопроводимости, фотолюминесценция.
- М.Н. Левин, В.Н. Семенов, О.В. Остапенко. Письма в ЖТФ, 28 (10), 19 (2002)
- H. Li, X. Wang, J. Xu, Q. Zhang, Y. Bando, D. Golberg, T. Zhai. Advanced Materials, 25 (22), 3017 (2013)
- Smriti Thakur, Prasenjit Das, Sanjay K. Mandal. ACS Applied Nano Materials, 3 (6), 5645 (2020). DOI: 10.1021/acsanm.0c00868
- M. Kalafi, H. Bidadi, A.I. Bairamov, V.M. Salmanov. Indian J. Phys., 68A (5), 503 (1994)
- Y. Al-Douri, A.H. Reshak. Optik --- Intern. J. Light and Electron Optics, 126 (24), 5109 (2015)
- S. Ummartyotin, N. Bunnak, J. Juntaro, M. Sain, H. Manuspiya. Solid State Sciences, 14 (3), 299 (2012)
- Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu, Y.-F. Lin. Advanced Functional Materials, 15 (8), 1350 (2005)
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.К. Шивидов. Вестник Калмыцкого университета, 4 (20), 30 (2013)
- А.Г. Кязым-заде, В.М. Салманов, М.А. Джафаров, А.А. Салманова, Р.С. Джафарли. Вестник Бакинского государственного университета, 2, 126 (2016)
- R. Marjieh, E. Sabag, A. Hayat. New J. Physics, 18 (2), 023019 (2016)
- S. Hegedus, D. Ryan, K. Dobson, B. McCandless, D. Desai. Materials Research Society, 763, B9.5 (2003). DOI: 10.1557/PROC-763-B9.5
- Е.К. Волкова, В.И. Кочубей. Изв. Самарского научного центра РАН, 14 (4), 197 (2012)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Физ.-мат. литература, М., 1963)
- H. J. Queisser, D.E. Theodorou. Phys. Rev. B, 33 (6), 4027 (1986)
- K. Senthil, D. Mangalaraj, S.K. Narayandass. Applied Surface Science, 169, 476 (2001)
- M.B. Ortuno-Lopez, M. Sotelo-Lerma, A. Mendoza-Galvan, RRami rez-Bon. Vacuum, 76 (2-3), 181 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
