Датчик температуры на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом
Сидоров А.И.1,2, Видимина Ю.О.2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: sidorov@oi.ifmo.ru, uvidimina@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 8 апреля 2022 г.
Принята к печати: 8 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 15 августа 2022 г.
Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик. В качестве полупроводника рассматривались кремний и германий. Изучено влияние температуры на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что для фотонного кристалла на основе кремния температурная чувствительность фотонного кристалла составляет 0.07 nm/K и 2.6 dB/K в зависимости от метода измерений. Для фотонного кристалла на основе германия - 0.37 nm/K и 7.8 dB/K. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках температуры в качестве чувствительного элемента. Ключевые слова: датчик температуры, фотонный кристалл, фотонная запрещенная зона, передаточная матрица.
- X. Wang, O.S. Wolfbeis, R.J. Meier. Chem. Soc. Rev., 42, 7834-7869 (2013). DOI: 10.1039/c3cs60102a
- G. Adamovsky, N.D. Piltch. Appl. Opt., 25, 4439-4443 (1986). DOI: 10.1364/AO.25.004439
- T. Wei, Y. Han, Y. Li, H.L. Tsai. Opt. Expr., 16, 5764-5769 (2008). DOI: 10.1364/OE.16.005764
- S. Gao, C. Ji, Q. Ning, W. Chen, J. Li. Opt. Fiber Technol., 56, 102202 (2020). DOI: 10.1016/j.yofte.2020.102202
- M. Radhouene, M. Kumar, C.M. Najjar, S. Robinson, B. Suthar Phot. Sens., 7, 311-316 (2017). DOI: 10.1007/s13320-017-0443-z
- F. Rabbi, M.T. Rahman, A. Khaleque, M. Rahman. Sens. Bio-Sens. Res., 31, 100396 (2021). DOI: 10.1016/j.sbsr.2021.100396
- Z. Baraket, J. Zaghdoudi, M. Kanzari. Opt. Mater., 64, 147-151 (2017). DOI: 10.1016/j.optmat.2016.12.005
- E. Chehura, S.W. James, R.P. Tatam. Opt. Comm., 275, 344-347 (2007). DOI: 10.1117/12.835132
- C.J. Wu, Z.H. Wang Progr. Electromagn. Res., 103, 169-184 (2010). DOI: 10.2528/PIER10031706
- V. Tolmachev, T. Perova, K. Berwick. Appl. Opt., 42, 5679-5683 (2003). DOI: 10.1364/AO.42.005679
- A.N. Kamalieva, N.A. Toropov, T.A. Vartanyan, M.A. Baranov, P.S. Parfenov, K.V. Bogdanov, Y.A. Zharova, V.A. Tolmachev. Semicond., 52, 632-635 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.05.45862.51
- H.T. Hsu, C.J. Wu. Progr. Electromagn. Res., 9, 101-107 (2009). DOI: 10.2528/PIER109032803
- Y.-H. Chang, Y.-Y. Jhu, C.-J. Wu. Opt. Comm., 285, 1501-1504 (2012). DOI: 10.1016/j.opt.com.2011.10.053
- A.I. Sidorov, L.A. Ignatieva. Optik., 245, 167685 (2021). DOI: 10.1016/j.ijleo.2021.167685
- F. Segovia-Chaves. Optik., 231, 166408 (2012). DOI: 10.1016/j.ijleo.2021.166408
- E.D. Palik. Handbook of optical constants of solids. V. 3. (Academic press, San Diego, 1998)
- V.V. Gavrushko, A.S. Ionov, V.A. Lastkin, I.S. Telina. J. Phys.: Conf. Ser., 1658, 012016 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1658/1/012016
- M. Born, E. Wolf. Principles of optics: electromagnetic theory of propagation, interference and diffraction of light (Cambridge University Press, 2000)
- D.S. Agafonova, E.V. Kolobkova, A.I. Sidorov. Techn. Phys. Lett., 39, 629-631 (2013). DOI: 10.1134/S1063785013070158
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
