Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2022, выпуск 9 » Статья стр. 1372
<<<>>>
Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий
DOI: 10.21883/OS.2022.09.53297.3397-22
Переводная версия: 10.21883/EOS.2022.09.54827.3397-22
Зыкова Е.Ю.1, Озерова К.Е.1, Татаринцев А.А.1, Туркин А.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: zykova@phys.msu.ru, kemark@mail.ru, tatarintsev@physics.msu.ru, andrey@turkin.su
Поступила в редакцию: 15 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 30 июня 2022 г.
Принята к печати: 30 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 15 августа 2022 г.
PDF версия
Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процесс радиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низких энергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длиной волны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты для всех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами. Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, что проявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронное облучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалле дефектов. Ключевые слова: радиационно-стимулированные дефекты, фотолюминесценция сапфира, ионное и электронное облучение.
  1. Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, Е.Ю. Зыкова, И.П. Иваненко, С.Ю. Купреенко, К.Ф. Миннебаев, А.А. Хайдаров. ФТТ, 59 (8), 1504 (2017). DOI: 10.21883/OS.2022.09.53297.3397-22 [E.I. Rau, A.A. Tatarintsev, E.Yu. Zykova, I.P. Ivanenko, S.Yu. Kupreenko, K. F. Minnebaev, A.A. Haidarov. Phys. Solid State, 59 (8), 1526 (2017). DOI: 10.1134/S1063783417080212]
  2. Э.И. Рау, А.А. Татаринцев. ФТТ, 63 (4), 483 (2021). DOI: 10.21883/OS.2022.09.53297.3397-22 [E.I. Rau, A.A. Tatarintsev. Phys. Solid State, 63 (4), 574 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421040181]
  3. E.I. Rau, A.A. Tatarintsev, E.Yu. Zykova. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 460, 141 (2019). DOI: 10.1016/j.nimb.2018.12.030
  4. Д.И. Блецкан, В.Я. Братусь, А.Р. Лукьянчук, В.Т. Маслюк, О.А. Парлаг. Письма в ЖТФ, 34 (14), 54 (2008). [D.I. Bletskan, V.Y. Bratus', A.R. Luk'yanchuk, V.T. Maslyuk, O.A. Parlag. Tech. Phys. Lett., 34, 612 (2008). DOI: 10.1134/S1063785008070237]
  5. B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y. Chen. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 91, 258 (1994). DOI: 10.1016/0168-583X(94)96227-8
  6. M. Rodriguez, G. Denis, M. Akselrod, T. Underwood, E. Yukihara. Radiation Measurements, 46, 1469 (2011). DOI: 10.1016/J.RADMEAS.2011.04.026
  7. V.S. Kortov, V.A. Pustovarov, T.V. Shtang. Radiation Measurements, 85, 51 (2016). DOI: 10.1016/J.RADMEAS.2015.12.009
  8. H. Arendt, J. Hulliger. Crystal Growth in Science and Technology (Plenum Press., New York, 1989), p. 275-302. DOI: 10.1007/978-1-4613-0549-1
  9. R. Mogilevsky, S. Nedilko, L. Sharafutdinova, S. Burlay, V. Sherbatskii, V. Boyko, S.D. Mittl. Opt. Mater., 31, 1880 (2009). DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2008.11.023
  10. A.I. Kostyukov, A.V. Zhuzhgov, V.V. Kaichev, A.A. Rastorguev, V.N. Snytnikov, V.N. Snytnikov. Optical Materials, 75, 757 (2018). DOI: 10.1016/J.OPTMAT.2017.11.040
  11. Y. Wang, P.D. Townsend. J. Luminescence, 142, 202 (2013). DOI: 10.1016/j.jlumin.2013.03.052
  12. Э. Ливер. Электронная спектроскопия неорганических соединений (Мир, М., 1987), ч. 2
  13. J. Valbis, N. Itoh. Radiat. Eff. Defects Solids, 116, 171 (1991). DOI: 10.1080/10420159108221357
  14. A.I. Surdo, V.A. Pustovarov,V.S. Kortov, A.S. Kishka, E.I. Zinin. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accel. Spectrom. Detect. Assoc. Equip., 543, 234 (2005). DOI: 10.1016/j.nima.2005.01.189
  15. I. Tale, T.M. Piters, M. Barboza-Flores, R. Perez-Salas, R. Aceves, M. Springis. Radiat. Prot. Dosim., 65, 235 (1996). DOI: 10.1093/OXFORDJOURNALS.RPD.A031630
  16. V.S. Kortov, S.V. Zvonarev, A.I. Medvedev. J. Lumin., 131, 1904 (2011). DOI: 10.1016/j.jlumin.2011.05.006
  17. M.S. Akselrod, A.E. Akselrod, S.S. Orlov, S. Sanyal, T.H. Underwood. J. Fluorescence, 13 (6), 503 (2003). DOI: 10.1023/B:JOFL.0000008061.71099.55
  18. S.V. Soloviev, I.I. Milman, A.I. Surdo. Phys. Solid State, 54 (4), 683 (2012). DOI: 10.1134/S1063783412040270
  19. K.S. Jheeta, В.С. Jain, Ravi Kumar, K.B. Garg. Ind. J. Pure Appl. Phys., 46, 400 (2008)
  20. M.F. Zhang, H.L. Zhang, J.C. Han, H.X. Guo, C.H. Xu, G.B. Ying, H.T. Shen, N.N. Song. Physica B, 406 (3), 494 (2011). DOI: 10.1016/j.physb.2010.11.021
  21. O.V. Rakhovskaya, S.S. Elovikov, E.M. Dubinina, E.S. Shakhurin, A.P. Dementjev. Surf. Sci., 274, 190 (1992). DOI: 10.1016/0039-6028(92)90113-K
  22. M.L. Knotek, P.J. Feibelman. Phys. Rev. Lett., 40, 964 (1978). DOI: 10.1103/PhysRevLett.40.964
  23. The Stopping and Range of Ions in Matter Software. URL: http://www.srim.org

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme