Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2022, выпуск 4 » Статья стр. 606
<<<
Динамика наведенного поглощения и нелинейно-оптический отклик в коллоидных квантовых точках Ag2S
DOI: 10.21883/OS.2022.04.52282.2964-21
РФФИ, № 20-52-81005 ЕАПИ_т
БРФФИ, № Ф20ЕА-006
VANT, No. QTRU05.02/21-23
Смирнов М.С.1, Овчинников О.В.1, Звягин А.И.1, Тихомиров С.А.2, Понявина А.Н.2, Поведайло В.А.2, Тхань Бинь Нгуен3, Хонг Минь Фам3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Институт физики Вьетнамской академии наук и технологий, Hanoi, Daotan, Thule, Badinh, 10, Vietnam
Поступила в редакцию: 26 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 22 декабря 2021 г.
Принята к печати: 27 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 15 февраля 2022 г.
PDF версия
Рассмотрен механизм формирования нелинейно-оптического отклика коллоидных растворов квантовых точек Ag2S, пассивированных молекулами тиогликолевой кислоты. Методом Z-сканирования для 10 ns импульсов второй гармоники YAG:Nd-лазера показано возникновение нелинейного поглощения и нелинейной рефракции. Обнаружена насыщающаяся зависимость коэффициента поглощения при росте интенсивности падающего излучения. Сделано предположение об участии в процессе нелинейного поглощения локализованных состояний уровней структурных дефектов Ag2S, включая центр дефектной люминесценции, которое подтверждено методом фемтосекундной спектроскопии наведенного поглощения. Показано формирование широкой бесструктурной полосы наведенного поглощения в области 500-1000 nm, которая распадается на временной шкале сотен пикосекунд. Сделан вывод о том, что сигнал наведенного поглощения определяется быстрым (за доли пикосекунд) процессом захвата носителей заряда на локализованные состояния, которые в дальнейшем и определяют нелинейное поглощение 10 ns импульсов. Ключевые слова: квантовые точки Ag2S, нелинейная рефракция, нелинейное поглощение, Z-сканирование, наведенное поглощение.
  1. K.A.A. Mary, N.V. Unnikrishnan, Reji Philip. APL Mater., 2, 076104 (2014). DOI: 10.1063/1.4886276
  2. A.I. Zvyagin, M.S. Smirnov, O.V. Ovchinnikov, A.S. Selyukov. Bull. Lebedev Phys. Inst., 46, 93 (2019). DOI: 10.3103/S1068335619030059
  3. A.S. Selyukov, A.G. Vitukhnovskii, V.S. Lebedev, A.A. Vashchenko, R.B. Vasiliev, M.S. Sokolikova. J. Exp. Theor. Phys., 120, 595 (2015). DOI: 10.1134/S1063776115040238
  4. B. Zhu, F. Wang, Ch. Liao, H. Zhang, J. Zhang, Y. Cui, Y. Ye, Y. Gu. Opt. Express, 27, 1777 (2019). DOI: 10.1364/OE.27.001777
  5. O.V. Ovchinnikov, M.S. Smirnov, B.I. Shapiro, T.S. Shatskikh, A.S. Perepelitsa, N.V. Korolev. Semiconductors, 49, 373 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615030173
  6. Q. Chang, Y. Gao, X. Liu, et al. IOP Conf. Ser.: Earth Environ. Sci., 186, 012076 (2018). DOI: 10.1088/1755-1315/186/4/012076
  7. P. Kambhampati. J. Phys. Chem. C, 115, 22089 (2011). DOI: 10.1021/jp2058673
  8. T.S. Kondratenko, A.I. Zvyagin, M.S. Smirnov, I.G. Grevtseva, A.S. Perepelitsa, O.V. Ovchinnikov. J. Lumin., 208, 193 (2019). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.12.042
  9. E.N. Bodunov, A.L. Simoes Gamboa. Semiconductors, 53, 2133 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619120078
  10. O.V. Ovchinnikov, M.S. Smirnov, N.V. Korolev, P.A. Golovinski, A.G. Vitukhnovsky. J. Lumin., 179, 413 (2016). DOI: 10.1016/j.jlumin.2016.07.016
  11. M.S. Smirnov, O.V. Ovchinnikov. J. Lumin., 227, 117526 (2020). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117526
  12. H. Aleali, N. Mansour. Optik, 127, 2485 (2016). DOI: 10.1016/j.ijleo.2015.11.146
  13. K. Kannan, L.G. Prasad, S. Agilan, N. Muthukumarasamy. Optik, 170, 10 (2018). DOI: 10.1016/j.ijleo.2018.05.078
  14. T.S. Kondratenko, M.S. Smirnov, O.V. Ovchinnikov, A.I. Zvyagin, R.A. Ganeev, I.G. Grevtseva. Optik, 200, 163391 (2020). DOI: 10.1016/j.ijleo.2019.163391
  15. A.V. Katsaba, S.A. Ambrozevich, A.G. Vitukhnovsky, V.V. Fedyanin, A.N. Lobanov, V.S. Krivobok, R.B. Vasiliev, I.G. Samatov. J. Appl. Phys., 113, 184306 (2013). DOI: 10.1063/1.4804255
  16. D. Ruiz, B. del Rosal, M. Acebron, C. Palencia, C. Sun, J. Cabanillas-Gonzalez, M. Lopez-Haro, A.B. Hungri a, D. Jaque, B.H. Juarez. Adv. Funct. Mater., 27, 1604629 (2017). DOI: 10.1002/adfm.201604629
  17. M.S. Smirnov, O.V. Buganov, S.A. Tikhomirov, O.V. Ovchinnikov. Physica E, 118, 113898 (2020). DOI: 10.1016/j.physe.2019.113898
  18. M.S. Smirnov, O.V. Buganov, S.A. Tikhomirov, O.V. Ovchinnikov. J. Lumin., 232, 117794 (2021). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117794
  19. J.V. Antony, J.J. Pillai, Ph. Kurian, V.P.N. Nampoori, G.E. Kochimoolayil. New J. Chem., 41, 3524 (2017). DOI: 10.1039/C6NJ03665A
  20. N. Venkatram, R.S.S. Kumar, D.N. Rao. J. Appl. Phys., 100, 074309 (2006). DOI: 10.1063/1.2354417
  21. S.I. Sadovnikov, A.I. Gusev, A.A. Rempel. Phys. Chem. Chem. Phys., 17, 12466 (2015). DOI: 10.1039/C5CP00650C
  22. S.I. Sadovnikov, A.I. Gusev. J. Mater. Chem. A, 5, 17676 (2017). DOI: 10.1039/C7TA04949H
  23. A. Pourahmad. Superlattices Microstruct., 52, 276 (2012). DOI: 10.1016/j.spmi.2012.05.009
  24. R. Tang, J. Xue, B. Xu, D. Shen, G.P. Sudlow, S. Achilefu. ACS Nano, 9, 220 (2015). DOI: 10.1021/nn5071183
  25. W.J. Mir, A. Swarnkar, R. Sharma, A. Katti, K.V. Adarsh, A. Nag. J. Phys. Chem. Lett., 6, 3915 (2015). DOI: 10.1021/acs.jpclett.5b01692
  26. K.A.A. Mary, N.V. Unnikrishnan, R. Philip. Mater. Res. Bull., 70, 321 (2015). DOI: 10.1016/j.materresbull.2015.04.034
  27. M. Dehghanipour, M. Khanzadeh, M. Karimipour, M. Molaei. Opt. Laser Technol., 100, 286 (2018). DOI: 10.1016/j.optlastec.2017.10.023
  28. R.A. Ganeev, A.I. Zvyagin, O.V. Ovchinnikov, M.S. Smirnov. Dyes. Pigm., 149, 236 (2018). DOI: 10.1016/j.dyepig.2017.09.063
  29. O.V. Ovchinnikov, I.G. Grevtseva, M.S. Smirnov, T.S. Kondratenko. J. Lumin., 207, 626 (2019). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.12.019
  30. Y. Kayanuma. Phys. Rev. B, 38, 9797 (1988). DOI: 10.1103/PhysRevB.38.9797
  31. M. Tachiya. J. Chem. Phys., 76, 340 (1982). DOI: 10.1063/1.442728
  32. R. Koole, B. Luigjes, M. Tachiya, R. Pool, T.J.H. Vlugt, C. de Mello Donega, A. Meijerink, D. Vanmaekelbergh. J. Phys. Chem. C, 111, 11208 (2007). DOI: 10.1021/jp072407x
  33. E.N. Bodunov, A.L. Simoes Gamboa. Semiconductors, 52, 587 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618050044
  34. A.I. Zvyagin, T.A. Chevychelova, I.G. Grevtseva, M.S. Smirnov, A.S. Selyukov, O.V. Ovchinnikov, R.A. Ganeev. J. Russ. Laser Res., 41, 670 (2020). DOI: 10.1007/s10946-020-09923-4
  35. L.W. Tutt, T.F. Bogess. Prog. Quant Electr., 17, 299 (1993). DOI: 10.1016/0079-6727(93)90004-S
  36. X. Liu, S. Guo, H. Wang, L. Hou. Opt. Commun., 197, 431 (2001). DOI: 10.1016/S0030-4018(01)01406-7
  37. A.S. Perepelitsa, M.S. Smirnov, O.V. Ovchinnikov, A.N. Latyshev, A.S. Kotko. J. Lumin., 198, 357 (2018). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.02.009

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme