Вышедшие номера
Спектральный отклик микрорезонатора с двумя квантовыми точками, обусловленный взаимодействием между локализованными электронами
Министерство образования и науки Российской Федераци, Фундаментальные и прикладные исследования в области разработки методов высокоточного моделирования и контроля элементной базы квантовых компьютеров, FFNN-2022-0016
Цуканов А.В.1
1Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Email: a-v-ts@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 15 октября 2021 г.
Принята к печати: 22 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 9 декабря 2021 г.

Рассмотрена теоретическая модель полупроводниковой наноструктуры, состоящей из одномодового микрорезонатора с двумя квантовыми точками. Показано, что кулоновское взаимодействие между электронами, локализованными в квантовых точках, модифицирует спектральный отклик системы на внешнее лазерное поле. Обсуждена возможность ее использования для детектирования элементарного заряда в третьей (оптически неактивной) квантовой точке. Изучено влияние как диагональных (эффект Штарка), так и недиагональных (эффект Ферстера) кулоновских матричных элементов гамильтониана на точность детектирования. Рассчитаны зависимости измерительного контраста от параметров резонатора и квантовых точек. Установлено существование таких структурных конфигураций, для которых контраст сохраняет оптимальное значение даже при больших расстояниях до измеряемой точки. Ключевые слова: квантовые точки, микрорезонаторы, нанофотоника, полупроводники, лазер, измерение.
  1. B.A. Joyce, P.C. Kelires, A.G. Naumovets, D.D. Vvedensky. Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers. NATO Science Series (Springer, Dordrecht, 2003)
  2. S. Kiravittaya, M. Benyoucef, R. Zapf-Gottwick, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 89, 233102 (2006). DOI: 10.1063/1.2399354
  3. T. Mano, R. Notzel, D. Zhou, G.J. Hamhuis, T.J. Eijkemans, J.H. Wolter. J. Appl. Phys., 97, 014304 (2005). DOI: 10.1063/1.1823578
  4. T. van Lippen, R. Notzel, G.J. Hamhuis, J.H. Wolter. J. Appl. Phys., 97, 044301 (2005). DOI: 10.1063/1.1840098
  5. A. Walmsley. Science, 348, 525 (2015). DOI: 10.1126/science.aab0097
  6. L. Zhang, C.-H. Teng, T.A. Hill, L.-K. Lee, P.-C. Ku, H. Deng. Appl. Phys. Lett., 103, 192114 (2013). DOI: 10.1063/1.4830000
  7. A. Dousse, J. Suffczynski, O. Krebs, A. Beveratos, A. Lemaitre, I. Sagnes, J. Bloch, P. Voisin, P. Senellart. Appl. Phys. Lett., 97, 081104 (2010). DOI: 10.1063/1.3475487
  8. K.K. Yadavalli, A.O. Orlov, J.P. Timler, C.S. Lent, G.L. Snider. Nanotechnology, 18, 375401 (2007)
  9. M.P. Bakker, A.V. Barve, T. Ruytenberg, W. Loffler, L.A. Coldren, D. Bouwmeester, van M.P. Exter. Phys. Rev. B, 91, 115319 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.91.115319
  10. А.В. Цуканов. Опт. и cпектр., 123, 591 (2017). DOI: 10.7868/S0030403417100245 [A.V. Tsukanov. Opt. Spectrosc., 123, 591 (2017). DOI: 10.1134/S0030400X17100241]
  11. C. Barthel, M. Kj rgaard, J. Medford, M. Stopa, C.M. Marcus, M.P. Hanson, A.C. Gossard. Phys. Rev. B, 81, 161308(R) (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.161308
  12. А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев. Микроэлектроника, 49, 83 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920020088 [A.V. Tsukanov, I.Yu. Kateev. Russian Microelectronics, 49, 77 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720020080]
  13. C.B. Simmons, M. Thalakulam, N. Shaji, L.J. Klein, H. Qin, R.H. Blick, D.E. Savage, M.G. Lagally, S.N. Coppersmith, M.A. Eriksson. Appl. Phys. Lett., 91, 213103 (2007). DOI: 10.1063/1.2816331
  14. А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев. Микроэлектроника, 50, 83 (2021). DOI: 10.31857/S0544126921020095 [A.V. Tsukanov, I.Yu. Kateev. Russian Microelectronics, 50, 75 (2021). DOI: 10.1134/S1063739721020098]
  15. А.В. Цуканов. Квантовая электроника, 51, 84 (2021). [A.V. Tsukanov. Quant. Electron., 51, 84 (2021). DOI: 10.1070/QEL17441]
  16. R. Ohta, Y. Ota, M. Nomura, N. Kumagai, S. Ishida, S. Iwamoto, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 98, 173104 (2011). DOI: 10.1063/1.3579535
  17. D. Yang, B. Duan, X. Liu, A. Wang, X. Li, Y. Ji. Micromachines, 11, 72 (2020). DOI: 10.3390/mi11010072
  18. П.А. Головинский. ФТП, 48, 781 (2014). [P.A. Golovinskii. Semiconductors, 48, 760 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614060104]
  19. M. Ciurla, J. Adamowski, B. Szafran, S. Bednarek. Physica E, 15, 261 (2002). DOI: 10.1016/S1386-9477(02)00572-6
  20. D.-Q. Yang, X. Liu, X.-G. Li, B. Duan, A.-Q. Wang, Y.-F. Xiao. Journal of Semiconductors, 42, 023103 (2021). DOI: 10.1088/1674-4926/42/2/023103
  21. D.A. Rasero, A.A. Portacio, P.E. Villamil, B.A. Rodri guez. Physica E, 129, 114645 (2021). DOI: 10.1016/j.physe.2021.114645

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.