Спектральный отклик микрорезонатора с двумя квантовыми точками, обусловленный взаимодействием между локализованными электронами
Министерство образования и науки Российской Федераци, Фундаментальные и прикладные исследования в области разработки методов высокоточного моделирования и контроля элементной базы квантовых компьютеров, FFNN-2022-0016
Цуканов А.В.1
1Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Email: a-v-ts@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 15 октября 2021 г.
Принята к печати: 22 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 9 декабря 2021 г.
Рассмотрена теоретическая модель полупроводниковой наноструктуры, состоящей из одномодового микрорезонатора с двумя квантовыми точками. Показано, что кулоновское взаимодействие между электронами, локализованными в квантовых точках, модифицирует спектральный отклик системы на внешнее лазерное поле. Обсуждена возможность ее использования для детектирования элементарного заряда в третьей (оптически неактивной) квантовой точке. Изучено влияние как диагональных (эффект Штарка), так и недиагональных (эффект Ферстера) кулоновских матричных элементов гамильтониана на точность детектирования. Рассчитаны зависимости измерительного контраста от параметров резонатора и квантовых точек. Установлено существование таких структурных конфигураций, для которых контраст сохраняет оптимальное значение даже при больших расстояниях до измеряемой точки. Ключевые слова: квантовые точки, микрорезонаторы, нанофотоника, полупроводники, лазер, измерение.
- B.A. Joyce, P.C. Kelires, A.G. Naumovets, D.D. Vvedensky. Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers. NATO Science Series (Springer, Dordrecht, 2003)
- S. Kiravittaya, M. Benyoucef, R. Zapf-Gottwick, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 89, 233102 (2006). DOI: 10.1063/1.2399354
- T. Mano, R. Notzel, D. Zhou, G.J. Hamhuis, T.J. Eijkemans, J.H. Wolter. J. Appl. Phys., 97, 014304 (2005). DOI: 10.1063/1.1823578
- T. van Lippen, R. Notzel, G.J. Hamhuis, J.H. Wolter. J. Appl. Phys., 97, 044301 (2005). DOI: 10.1063/1.1840098
- A. Walmsley. Science, 348, 525 (2015). DOI: 10.1126/science.aab0097
- L. Zhang, C.-H. Teng, T.A. Hill, L.-K. Lee, P.-C. Ku, H. Deng. Appl. Phys. Lett., 103, 192114 (2013). DOI: 10.1063/1.4830000
- A. Dousse, J. Suffczynski, O. Krebs, A. Beveratos, A. Lemaitre, I. Sagnes, J. Bloch, P. Voisin, P. Senellart. Appl. Phys. Lett., 97, 081104 (2010). DOI: 10.1063/1.3475487
- K.K. Yadavalli, A.O. Orlov, J.P. Timler, C.S. Lent, G.L. Snider. Nanotechnology, 18, 375401 (2007)
- M.P. Bakker, A.V. Barve, T. Ruytenberg, W. Loffler, L.A. Coldren, D. Bouwmeester, van M.P. Exter. Phys. Rev. B, 91, 115319 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.91.115319
- А.В. Цуканов. Опт. и cпектр., 123, 591 (2017). DOI: 10.7868/S0030403417100245 [A.V. Tsukanov. Opt. Spectrosc., 123, 591 (2017). DOI: 10.1134/S0030400X17100241]
- C. Barthel, M. Kj rgaard, J. Medford, M. Stopa, C.M. Marcus, M.P. Hanson, A.C. Gossard. Phys. Rev. B, 81, 161308(R) (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.161308
- А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев. Микроэлектроника, 49, 83 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920020088 [A.V. Tsukanov, I.Yu. Kateev. Russian Microelectronics, 49, 77 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720020080]
- C.B. Simmons, M. Thalakulam, N. Shaji, L.J. Klein, H. Qin, R.H. Blick, D.E. Savage, M.G. Lagally, S.N. Coppersmith, M.A. Eriksson. Appl. Phys. Lett., 91, 213103 (2007). DOI: 10.1063/1.2816331
- А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев. Микроэлектроника, 50, 83 (2021). DOI: 10.31857/S0544126921020095 [A.V. Tsukanov, I.Yu. Kateev. Russian Microelectronics, 50, 75 (2021). DOI: 10.1134/S1063739721020098]
- А.В. Цуканов. Квантовая электроника, 51, 84 (2021). [A.V. Tsukanov. Quant. Electron., 51, 84 (2021). DOI: 10.1070/QEL17441]
- R. Ohta, Y. Ota, M. Nomura, N. Kumagai, S. Ishida, S. Iwamoto, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 98, 173104 (2011). DOI: 10.1063/1.3579535
- D. Yang, B. Duan, X. Liu, A. Wang, X. Li, Y. Ji. Micromachines, 11, 72 (2020). DOI: 10.3390/mi11010072
- П.А. Головинский. ФТП, 48, 781 (2014). [P.A. Golovinskii. Semiconductors, 48, 760 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614060104]
- M. Ciurla, J. Adamowski, B. Szafran, S. Bednarek. Physica E, 15, 261 (2002). DOI: 10.1016/S1386-9477(02)00572-6
- D.-Q. Yang, X. Liu, X.-G. Li, B. Duan, A.-Q. Wang, Y.-F. Xiao. Journal of Semiconductors, 42, 023103 (2021). DOI: 10.1088/1674-4926/42/2/023103
- D.A. Rasero, A.A. Portacio, P.E. Villamil, B.A. Rodri guez. Physica E, 129, 114645 (2021). DOI: 10.1016/j.physe.2021.114645
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.