Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Совместный анализ спектров катодолюминесценции и электролюминесценции слоев Si-SiO2 на кремнии
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 15 августа 2021 г.
Принята к печати: 17 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 1 октября 2021 г.
Показана возможность получения дополнительной информации о свойствах центров люминесценции при совместном анализе спектров электролюминесценции и катодолюминесценции структур Si-SiO2 в спектральном диапазоне 250-800 nm. Показано, что концентрация центров люминесценции, ответственных за полосу 2.2 eV, не зависит от конечной толщины окисного слоя при равномерном распределении центров по толщине SiO2. Установлено, что ответственные за полосу 4.2 eV центры люминесценции характеризуются неоднородным распределением с преимущественным формированием во внешней части окисного слоя (~30 nm) в количестве, пропорциональном корню квадратному от времени термического окисления, что позволяет связать их образование с процессом диффузии компонентов окислителя. Ключевые слова: катодолюминесценция, электролюминесценция, спектральное распределение, центры люминесценции.
- Coenen1and T., Haege N.M. // Appl. Phys. Rev. 2017. V. 4.031103. Р. 1. doi 10.1063/1.4985767
- Барабан А.П., Дмитриев В.А., Петров Ю.В. Электролюминесценция в твердотельных слоистых структурах на основе кремния. СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2009. 195 с. ISBN 978-5-288-04985-9
- Константинова-Шлезингер М.А. Люминесцентный анализ. М.: Физ.-мат. литература, 1961. 400 с
- Solomon P., Klein N. // J. Appl. Phys. 1976. V. 1023. doi 10.1063/1.322739
- Барабан А.П., Коноров П.П., Кручинин А.А., Тарантов Ю.А. // Электрохимия. 1984. Т. 20. N 4. С. 539
- Baraban A.P., Samarin S.N., Prokofiev V.A., Dmitriev V.A., Selivanov A.A., Petrov Y. // J. Lumin. 2019. V. 205. P. 102. doi 10.1016/j.jlumin.2018.09.009
- McKnight S.W., Palic E.D. // J. Non. Cryst. Solids. 1980. V. 40. P. 595. doi 10.1016/0022-3093(80)90133-7
- Zamoryanskaya M.V., Sokolov V.I. // Phys. Sol. State. 1998. V. 40. N 11. P. 1797
- Babaran A.P., Bulavinov V.V., Troshikhin A.G. // Tech. Phys. Lett. 1993. V. 19. N 9. P. 577
- Baraban A.P., Dmitriev V.A., Petrov Yu.V., Timofeeva K.A. // Semiconductors. 2013. V. 47. N 13. P. 1711. doi 10.1134/S1063782613130022
- Baraban A.P., Semykina E.A., Vaniouchov M.B. // Semiconductor Sci. and Technology. 2000. V. 15. N 6. P. 546. doi 10.1088/0268-1242/15/6/310
- Drouin D. // Microscopy and Microanalysis. 2006. V. 12. N S02. P. 1512. doi 10.1017/S1431927606069686
- Deal B.E., Grove A.S. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. N 12. P. 3770. doi 10.1063/1.1713945
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
