Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Индуцируемые напряжения, возникающие в кристаллическом кремнии при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности в воздухе и воде
Переводная версия: 10.21883/EOS.2022.13.53988.2399-21 
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: cna1992@mail.ru, sikudr@sci.lebedev.ru, melnik@sci.lebedev.ru, sherstnevia@lebedev.ru, ioninaa@lebedev.ru, chenj@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 23 июня 2021 г.
Принята к печати: 25 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 26 июля 2021 г.
Производилась модификация поверхности кремния в одноимпульсном режиме фемто-пикосекундными лазерными импульсами (0.3 и 10 ps) ближнего ИК диапазона (1030 nm) при абляции в воздухе и воде. Полученные структуры изучались с помощью микроскопии комбинационного рассеяния света. В ходе исследования установлено, что на границе кратера появляются нанокристаллиты размером 7-8 nm. Обнаружены локальные механические напряжения в центре кратера, знак которых зависит от приложенной плотности энергии. Наибольшие локальные сжимающие напряжения возникают в воде в субфиламентационном режиме при максимальных плотностях энергии. Ключевые слова: кремний, спектроскопия комбинационного рассеяния света, ультракороткие импульсы, одноимпульсная абляция в воздухе и в жидкости, локальные напряжения.
- Chichkov B.N. et al. // Appl. Phys. A. 1996. V. 63. N 2. P. 109-115. doi 10.1007/BF01567637
- Neuenschwander B. et al. // Phys. Proc. 2014. V. 56. P. 1047-1058. doi 10.1016/j.phpro.2014.08.017
- Smirnov N.A. et al. // JETP Letters. 2018. V. 108. N 6. P. 368-373. doi 10.1134/S002136401818011X
- Smirnov N.A. et al. // Opt. and Quant. Electron. 2020. V. 52. N 2. P. 1-8. doi 10.1007/s11082-019-2169-1
- Sheremet E. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2019. V. 216. N 19. P. 1900106
- Amer M.S., El-Ashry M.A., Dosser. L.R., Hix K.E., Maguire J.F., Irwin Bryan. // Appl. Surface Sci. 2005. V. 242. N 1-2. P. 162-167. doi 10.1016/j.apsusc.2004.08.029
- Ma L., Qiu W., Fan X. // Microelectronics Reliability. 2021. V. 118. P. 114045. doi 10.1016/j.microrel.2021.114045
- Wolf I.D. // J. Raman Spectrosc. 1999. V. 30. N 10. P. 877-883. doi 10.1002/(SICI)1097-4555(199910)30:10< 877::AID-JRS464>3.0.CO;2-5
- Kang Y. et al. // Optics and Lasers in Engineering. 2005. V. 43. N 8. P. 847-855. doi 10.1016/j.optlaseng.2004.09.005
- Xing Ma L. et al. // AIP Advances. 2019. V. 9. N 1. P. 015010
- Campbell I.H., Fauchet P.M. //Solid State Commun. 1986. V. 58. N 10. P. 739-741. doi 10.1016/0038-1098(86)90513-2
- Richter H., Wang Z.P., Ley L. // Solid State Commun. 1981. V. 39. N 5. P. 625-629. doi 10.1016/0038-1098(81)90337-9
- Periasamy S. et al. // Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 2017. V. 231. N 9. P. 1585-1598. doi 10.1515/zpch-2016-0961
- Viera G., Huet S., Boufendi L. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N 8. P. 4175-4183. doi 10.1063/1.1398601
- Bonse J., Brzezinka K.W., Meixner A.J. // Appl. Surface Sci. 2004. V. 221. N 1-4. P. 215-230. doi 10.1016/S0169-4332(03)00881-X
- Kiani A., Venkatakrishnan K., Tan B. // Optics Express. 2009. V. 17. N 19. P. 16518-16526. doi 10.1364/OE.17.016518
- De Wolf I. // Semiconductor Science and Technology. 1996. V. 11. N 2. P. 139
- Periasamy S. et al. // Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 2017. V. 231. N 9. P. 1585-1598. doi 10.1515/zpch-2016-0961
- Smirnov N.A. et al. // Appl. Surface Sci. 2021. V. 562. P. 150243. doi 10.1016/j.apsusc.2021.150243
- Anisimov S.I. et al. // J. Physics: Conference Series. IOP Publishing. 2020. V. 1556. N 1. P. 012004. doi 10.1088/1742-6596/1556/1/012004
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
