Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения
Карандашев C.А.1, Лухмырина Т.С.1, Матвеев Б.А.1,2, Ременный М.А.1, Усикова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 3 марта 2021 г.
Принята к печати: 1 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 25 июня 2021 г.
Рассмотрены вольт-амперные характеристики и фототок "монолитных" диодных оптопар, оптически связанных общей для них подложкой из InAs, оценена возможность использования значений фототока для измерения ослабления "исчезающей волны" при полном внутреннем отражении от границы раздела волновод (подложка из InAs)/поглощающее анализируемое вещество. Ключевые слова: оптические сенсоры, датчики химического состава вещества, диодные оптопары, анализаторы МНПВО, анализаторы исчезающей волны, фотодиоды среднего ИК диапазона, светодиоды среднего ИК диапазона.
- Lambrecht A., Schmitt K. // Mid-infrared Optoelectronics. 1st Edition. Materials, Devices, and Application / Ed. by Tournie E., Cerutti L. Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials. 2019. P. 661. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-102709-7.00016-4
- Spagnolo V., Patimisco P., Tittel F.K. // Mid-infrared Optoelectronics. 1st Edition. Materials, Devices, and Application / Ed. by Tournie E., Cerutti L., Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials. 2019. P. 597
- Krier A., Repiso E., Al-Saymari F., Carrington P.J., Marshall A.R.J., Qi L., Krier S.E., Lulla K.J., Steer M., MacGregor C., Broderick C.A., Arkani R., O'Reilly E., Sorel M., Molina S.I., De La Mata M. // Mid-infrared Optoelectronics. 1st Edition. Materials, Devices, and Application / Ed. by Tournie E., Cerutti L. Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials. 2019. P. 59
- Матвеев Б.А., Сотникова Г.Ю. // Опт. и спектр. 2019. Т. 127. N 2. С. 300; Matveev B.A., Sotnikova G.Yu. // Opt. and Spectrosc. 2019. V. 127. N 2. P. 322. doi 10.1134/S0030400X19080198
- Ribes C.A., Ben Chouikha M. Патент Франции N FR3059104. 2020
- Комов А.П., Власова И.В., Терехова Е.Н. // Вестник Омского университета. 2018. Т. 23. N 1. С. 26. doi 10.25513/1812-3996.2018.23(1).26-34
- Romanova E.A., Korsakova S., Komanec M., Nemecek T., Velmuzhov A., Sukhanov M., Shiryaev V.S. // IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics. 2017. V. 23. N 2. P. 5601507
- Matveev B.A., Zotova N.V., Karandashev S.A., Remennyi M.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // Proc. 1-st International Conf. on Advanced Optoelectronics and Lasers (CAOL'2003). 2003. Alushta, Crimea, Ukraine. 2003. V. 2. P. 138
- Матвеев Б.А. Патент РФ N 2727560, 2020 (см. также заявку на изобретение PCT/RU2021/000025)
- Комков О.С., Фирсов Д.Д., Ковалишина Е.А., Петров А.С. // Прикладная физика. 2014. N 4. С. 9
- Matveev B.A., Zadiranov Yu.M., Zakgeim A.L., Il'inskaya N.D., Karandashev S.A., Remennyy M.A., Stus' N.M., Usikova A.A., Cherniakov A.E. // Proc. SPIE. 2010. V. 7609. P. 76090I-1. doi 10.1117/12.841689
- Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. // ФТП. 2008. Т. 42. N 6. С. 641; Zotova N.V., Il'inskaya N.D., Karandashev S.A., Remennyy M.A., Stus' N.M. // Semiconductors. 2008. V. 42. N 6. P. 625
- Lawler J.V., Currano J. // Proc. SPIE. 2008. V. 6942. P. 69420E-1. doi 10.1117/12.778719
- Matveev B.A., Zotova N.V., Karandashev S.A., Remennyy M.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // Proc. SPIE. 2002. V. 4650. P. 173
- Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.ioffeled.com
- Климов А.А., Кунков Р.Э., Лебедева Н.М., Лухмырина Т.С., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // Тезисы докл. международной конф. ФизикА. С.-Петербург, 2020. С. 289, http://physica.spb.ru/ (in Russian)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
