Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Фотодинамика переноса возбуждения носителями заряда в гибридной наносистеме InP/InAsP/InP
1Петербургский государственный университет путей сообщения императора Александра I, Санкт-Петербург, Россия 
Email: rubananna@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 1 апреля 2021 г.
Принята к печати: 9 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 25 апреля 2021 г.
Приведены результаты обработки кинетики затухания люминесценции гибридной полупроводниковой наноструктуры InP/InAsP/InP с нанесенными коллоидными слоями квантовых точек (QD) CdSe/ZnS при возбуждении на длинах волн 532 и 633 nm и температурах 80 и 300 K. Такая наноструктура характеризуется значительным увеличением длительности и интенсивности люминесценции нановставки InAsP. Механизм увеличения длительности люминесценции предположительно связан с взаимодействием коллоида QD CdSe/ZnS-ТОРО с поверхностью InP, что ведет к образованию в запрещенной зоне новых гибридных состояний, энергетически близких к излучающему состоянию и способных захватывать электроны, что в свою очередь компенсируется возрастающей ролью процесса обратного переноса электрона, приводящего к росту длительности излучательной рекомбинации. Ключевые слова: гибридные полупроводниковые наноструктуры, кинетика люминесценции, обратный перенос энергии.
- Zielinski M. // Phys. Rev. 2013. V. 88. P. 115424. doi.org/10.1103/PhysRevB.88.115424
- Leandro Lorenzo, Gunnarsson Christine P., Reznik R., Jons K.D., Shtrom I., Khrebtov A., Kasama Takeshi, Zwiller V., Cirlin G., Akopian N. // Nano Lett. 2018. V. 18. N 11. P. 7217-7221. doi 10.1021/acs.nanolett.8b03363
- Chen Yan, Zadeh I.E., Jons K.D., Fognini A., Reimer M.E., Zhang J., Dalacu Dan, Poole P.J., Ding F., Zwiller V., Schmidt O.G. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. P. 182103. doi 10.1063/1.4948762
- Dalacu Dan, Poole Philip J., Williams Robin L. // Nanotechnology. 2019. V. 30. N 23. P. 232001. doi 10.1088/1361-6528/ab0393
- Kulagina A.S., Khrebtov A.I., Reznik R.R., Ubyivovk E.V., Litvin A.P., Skurlov I.D., Cirlin E., Bodunov E.N., Danilov V.V. // Opt. Spectrosc. 2020. V. 128. P. 119-124. doi 10.1134/S0030400X20010129
- Jones M., Scholes D.G. // J. Mater. Chem. 2010. V. 20. P. 3533-3538
- Yeltik Aydan, Olutas Murat, Sharma Manoj, Gungor Kivanc, Demir Hilmi Volkan. // J. Phys. Chem. C. 2019. V. 123. P. 1470-1476
- Cirlin G.E., Shtrom I.V., Reznik R.R., Samsonenko Y.B., Khrebtov A.I., Bouravleuv A.D., Soshnikov I.P. // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 1421-1424. doi 10.1134/S1063782616110257
- Khrebtov A.I., Reznik R.R., Ubyivovk E.V., Litvin A.P., Skurlov I.D., Parfenov P.S., Kulagina A.S., Danilov V.V., Cirlin G.E. // Semiconductors. 2019. V. 53. N 9. P. 1258-1261. doi 10.1134/S1063782619090082
- Fischer Sean A., Crotty A.M., Kilina S.V., Ivanov S.A., Tretiak S. // Nanoscale. 2012. V. 4. P. 904. doi 10.1039/c2nr11398h
- Williams E.S., Major K.J., Tobias A., Woodall D., Morales V., Lippincott C., Moyer P.J., Jones M. // J. Phys. Chem. C. 2013. V. 117. P. 4227-4237
- Woodall D.L., Tobias A.K., Jones M. // Chem. Phys. 2016. V. 471. N 2. doi 10.1016/j.chemphys.2015.10.011
- Nikiforov V.G. // Chem. Phys. 2020. V. 538. P. 110916. doi 10.1016/j.chemphys.2020.110916
- Knowles K.E., Tice D.B., Mc Arthur E.A., Solomon G.C., Weis E.A. // J. Am. Chem. Soc. 2010. V. 132. P. 1041-1050. doi 10.1021/ja907253s
- Palato S., Seiler H., McGovern L., Mack T.G., Jethi Lakshay, Kambhampati Patanjali. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. P. 26519. doi 10.1021/acs.jpcc.7b09145
- Danilov V.V., Kulagina A.S., Sibirev N.V. // Appl. Optics. 2018. V. 7. N 28. P. 8166-8170. doi 10.1364/AO.57.008166
- Orlova A.O., Kurochkina M.A., Gromova Yu.A., Maslov V.G., Bodunov E.N., Baranov A.V., Fedorov A.V. // Proc. SPIE. 2014. V. 9126. P. 912617(10). doi 10.1117/12.2052170
- Hernandez-Martinez P.L., Govorov A.O., Demiz H.V. // J. Phys. Chem. C. 2014. V. 118. P. 4951. doi 10.1021/jp409833b
- Bodunov E.N., Danilov V.V., Panfutova A.S., Simoes Gamboa A.L. // Ann. Phys. (Berlin). 2016. V. 528. N 3-4. P. 272. doi 10.1002/andp.201500350
- Bodunov E.N., Simoes Gamboa A.L. // Semiconductors. 2018. V. 52. N 5. P. 587. doi 10.1134/S1063782618050044
- Bodunov E.N., Simoes Gamboa A.L. // Semiconductors. 2019. V. 53. N 16. P. 2133. doi 10.1134/S1063782619120078
- Stroyuk O., Raevskaya A., Spranger F., Gaponik N., Zahn D.R.T. // ChemPhysChem. 2019. V. 20. N 12. P. 1640-1648. doi 10.1002/cphc.201900088
- Danilov V.V., Panfutova A.S., Khrebtov A.I., Titova T.S. // Opt. Spectrosc. 2015. V. 118. N 1. P. 94-98. doi 10.1134/S0030400X15010099
- Berberan-Santos M.N., Bodunov E.N., Valeur B. // Chem. Phys. 2005. V. 315. P. 171-182. doi 10.1016/j.chemphys.2005.04.006
- Khrebtov A.I., Kulagina A.S., Danilov V.V., Gromova E.S., Skurlov I.D., Litvin A.P., Reznik R.R., Shtrom I.V., Cirlin G.E. // Semiconductors. 2020. V. 54. P. 1141-1146
- Rabouw F.T., van der Bok J.C., Spinicelli Piernicola, Mahler Beno\^i t, Nasilowski M., Pedetti Silvia, Dubertret Beno\^i t, Vanmaekelbergh D. // Nano Lett. 2016. V. 16. N 3. P. 2047-2053. doi 10.1021/acs.nanolett.6b0005323
- van Vugt Lambert K., Veen Sandra J., Bakkers E.P.A.M., Roest A.L., Vanmaekelbergh D. // J. Am. Chem. Sos. 2005. V. 127. P. 12357-12362
- Califano M., Franceschetti A., Zunger A. // Nano Lett. 2005. V. 5. N 12. P. 2360-2364. doi 10.1021/nl051027p
- Khrebtov A.I., Danilov V.V., Kulagina A.S., Reznik R.R., Skurlov I.D., Litvin A.P., Safin F.M., Gridchin V.O., Shevchuk D.S., Shmakov S.V. et al. // Nanomaterials. 2021. V. 11. P. 640. doi 10.3390/nano11030640
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
