Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, № 2019-1442
Крыжановская Н.В.
1, Драгунова А.С.
2, Комаров С.Д.
2,3, Надточий А.М.
2, Гладышев А.Г.
1, Бабичев А.В.
1, Уваров А.В.
2, Андрюшкин В.В.
1, Денисов Д.В.
4, Колодезный Е.С.
1, Новиков И.И.
1, Карачинский Л.Я.
1, Егоров А.Ю.
41Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: NataliaKryzh@gmail.com, anndra@list.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, nataliakryzh@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 14 октября 2020 г.
Принята к печати: 30 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 20 ноября 2020 г.
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трехмерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформированного массива островков лежит в диапазоне 950-1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78-300 K свидетельствуют о существенной неоднородности массива островков, наличии центров безызлучательной рекомбинации и транспорте носителей между островками. На спектрах возбуждения люминесценции наблюдается линия, связанная с поглощением в остаточном двумерном слое InGaPAs. Применение отжига структур позволило увеличить интенсивность ФЛ при комнатной температуре до 300% при незначительном коротковолновом сдвиге линии излучения островков, а также улучшить однородность внутри массива островков. Ключевые слова: квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, фотолюминесценция.
- Michler P., Kiraz A., Becher C., Schoenfeld W.V., Petroff P.M., Zhang Lidong, Hu E., Imamoglu A. // Science. 2000. V. 290. Iss. 5500. P. 2282-2285
- Ward M.B., Karimov O.Z., Unitt D., Yuan Z.L., See P., Gevaux D.G., Shields A.J., Atkinson P., Ritchie D. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 201111
- Zinoni C., Alloing B., Monat C., Zwiller V., Li L.H., Fiore A., Lunghi L., Gerardino A., de Riedmatten H., Zbinden H., Gisin N. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 131102
- Kok P., Munro W.J., Nemoto K., Ralph T.C., Dowling J.P., Milburn G.J. // Rev. Mod. Phys. 2007. V. 79. Р. 135-174
- Aspuru-Guzik A., Walther P. // Nat. Phys. 2012. V. 8. P. 285--291
- Giovannetti V., Lloyd S., Maccone L. // Nat. Photon. 2011. V. 5. Р. 222--229
- Cheung J.Y., Chunnilall C.J., Porrovecchio G., Smid M., Theocharous E. // J. Mod. Opt. 2007. V. 54. Р. 373-396
- Holewa P., Gawe czyk M., Ciostek C., Wyborski P., Kadkhodazadeh S., Semenova E., Syperek M. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. P. 195304
- van Veldhoven P.J., Chauvin N., Fiore A., Notzel R. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 113110
- Kobak J., Rousset J.-G., Rudniewski R., Janik E., Slupinski T., Kossacki P., Golnik A., Pacuski W. // J. Crystal Growth. 2013. V. 378. Р. 274--277
- Zhanguo Li, Yong Wang, Xin Gao, Guojun Liu, Yi Qu, Xiaohui Ma, Minghui You // IEEE. 2015 International Conference on Optoelectronics and Microelectronics (ICOM). 2015. Р. 404--406
- Koukourinkova S.D., Benamara M., Ware M.E., Wang Z.M., Salamo G.J. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. Р. 123102
- Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Андрюшкин В.В., Денисов Д.В., Неведомский В.Н., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. // ЖТФ. 2020. Т. 90. С. 2139--2142
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
