Вышедшие номера
Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg1-xCdxTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S0030400X21010173
Швец В.А.1,2, Марин Д.В.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: basi5353@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2020 г.
Принята к печати: 17 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 25 октября 2020 г.

На основе проведeнных in situ и ex situ эллипсометрических измерений найдены спектральные зависимости температурной чувствительности оптических постоянных Hg1-xCdxTe - dn(λ) и dk(λ) для серии образцов разного состава в диапазоне от 0.160 до 0.327. Эксперименты были проведены в процессе остывания выращенных образцов в вакуумной камере. Установлено, что полученные зависимости dn и dk хорошо аппроксимируются суммой трeх осцилляторов Лоренца с добавлением дисперсионных слагаемых формулы Коши. Предложена параметрическая модель, которая описывает чувствительности dn(λ) и dk(λ) для произвольного состава x в указанном диапазоне вблизи температуры роста. Проведенные ex situ температурные измерения вблизи комнатной температуры коррелируют с данными высокотемпературных измерений. Полученные результаты актуальны для разработки эллипсометрических методов контроля in situ процессов роста слоeв Hg1-xCdxTe. Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, эллипсометрия, спектры оптических констант, температурная чувствительность, молекулярно-лучевая эпитаксия.