Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg1-xCdxTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Швец В.А.1,2, Марин Д.В.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: basi5353@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2020 г.
Принята к печати: 17 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 25 октября 2020 г.
На основе проведeнных in situ и ex situ эллипсометрических измерений найдены спектральные зависимости температурной чувствительности оптических постоянных Hg1-xCdxTe - dn(λ) и dk(λ) для серии образцов разного состава в диапазоне от 0.160 до 0.327. Эксперименты были проведены в процессе остывания выращенных образцов в вакуумной камере. Установлено, что полученные зависимости dn и dk хорошо аппроксимируются суммой трeх осцилляторов Лоренца с добавлением дисперсионных слагаемых формулы Коши. Предложена параметрическая модель, которая описывает чувствительности dn(λ) и dk(λ) для произвольного состава x в указанном диапазоне вблизи температуры роста. Проведенные ex situ температурные измерения вблизи комнатной температуры коррелируют с данными высокотемпературных измерений. Полученные результаты актуальны для разработки эллипсометрических методов контроля in situ процессов роста слоeв Hg1-xCdxTe. Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, эллипсометрия, спектры оптических констант, температурная чувствительность, молекулярно-лучевая эпитаксия.
- Швец В.А., Азаров И.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Якушев М.В., Марин Д.В., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А. // ПТЭ. 2016. N 6. С. 87
- Edwall D., Phillips J., Lee D., Arias J. // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. N 6. P. 643
- Phillips J., Edwall D., Lee D., Arias J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. N 4. P. 1580
- De Lion T.J., Olson G.L., Roth J.A., Jensen J.E., Hunter A.T., Jack M.D., Bailey S.L. // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. N 7. P. 688
- Almedia L.A., Dinan J.H. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 22
- Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Nis I.E., Varavin V.S., Liberman V., Remesnik V.G. // Cryst. Res. Technol. 1994. V. 29. N 7. P. 931
- Advances in Semiconductor Nanostructures/ Ed. by Latyshev A.V., Dvurechenskii A.V., Aseev A.L. Amsterdam, Netherlands: Elsevier, 2017
- Svitashev K.K., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mikhailov N.N., Spesivtsev E.V., Rychlitsky S.V. // Mat. Sci. Engineer. 1997. V. B-44. P. 164
- Швец В.А., Азаров И.А., Марин Д.В., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. //ФТП. 2019. Т. 53. В. 1. С. 137
- Schlereth R., Hajer J., Furst L., Schreyeck S, Buhmann H., Molenkamp L.W. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 537. P. 25602. doi 10.1016/j.jcrysgro.2020.125602
- Johs B., Herzinger C.M., Dinan J.H., Cornfeld A., Benson J.D. // Thin Sol. Films. 1998. V. 313-314. P. 137
- Швец В.А., Марин Д.В., Ремесник В.Г., Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. // Опт. и спектр. 2020. Т. 128. В. 12. С. 1815
- Adachi S. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publishers, 1999. 714 р
- Fei-Ming Tong, Ravindra N.M. // Infrared Phys. 1993. V. 34. N 2. P. 207
- Arvin H., Aspnes D.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. V. 2. N 3. P. 1316
- Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. // Phys. Rev. B. 1984. V. 29. N 12. P. 6752
- Djuriv s c A.B., Li E.H. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 5. P. 2854
- Mercury Cadmium Telluride. Growth, Properties and Applications / Ed. by Capper P., Garland J.. Wiley, 2011
- Shvets V.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Spesivtsev E.V. // Proс. SPIE. 2002. V. 4900. Part 1. P. 46
- Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Чикичев С.И., Придачин Д.Н. // Автометрия. 1996. N 4. С. 100
- Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Варавин B.C., Анциферов А.П. // Оптический журнал. 2000. Т. 67. С. 39
- Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А. // Автометрия. 2011. Т. 47. N 5. С. 5
- Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 583 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
