Швец В.А.1,2, Марин Д.В.1, Ремесник В.Г.1, Азаров И.А.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Email: basi5353@mail.ru, marin@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, azarov_ivan@mail.ru, yakushev@isp.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 21 сентября 2020 г.
Представлена параметрическая модель, описывающая спектры оптических постоянных n(λ) и k(λ) твердого раствора Hg1-xCdхTe (КРТ) для значений x в диапазоне от 0.2 до 0.4. Модель базируется на эмпирических данных, измеренных in situ в процессе эпитаксиального роста слоев твердого раствора. Рассмотрены варианты использования полученной модели для определения состава КРТ in situ в реальном времени. Предложена методика определения состава, основанная на спектральных эллипсометрических измерениях, которая обеспечивает погрешность не более delta x =±0.0035. Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, состав соединения, эллипсометрия, спектры оптических констант, in situ контроль.
- Adachi S. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publishers, 1999. 714 с
- Arvin H., Aspnes D.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. V. 2. N 3. P. 1316
- Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. // Phys. Rev. B. 1984. V. 29. N 12. P. 6752
- De Lion T.J., Olson G.L., Roth J.A., Jensen J.E., Hunter A.T., Jack M.D., Bailey S.L. // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. N 7. P. 688
- Johs B., Herzinger C., Dinan J.H., Cornfeld A., Benson J.D. // Thin Sol. Films. 1998. V. 313-314. P. 137
- Almedia L.A., Dinan J.H. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 22
- Mercury Cadmium Telluride. Growth, Properties and Applications / Ed. by P. Capper and J. Garland. Wiley, 2011
- Moritani A., Sekiya H., Taniguchi K. // Jap. J. Appl. Phys. 1971. V. 10. N 10. P. 1410
- Rosch M., Alzmuller R., Schaack G., Becker C.R. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 13460
- Kim C.C., Daraselia M., Garland J.W., Sivananthan S. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N 8. P. 4786
- Adachi S., Kimura T., Suzuki N. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N 5. P. 3435
- Chu J., Mi Z., Tang D. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 3955. doi 10.1063/1.350867
- Liu K., Chu J.H., Tang D.Y. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 8. P. 4176
- Phillips J., Edwall D., Lee D., Arias J. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. B19. N 4. P. 1580
- Edwall D., Phillips J., Lee D., Arias J. // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. N 6. P. 643
- Johs B., Herzinger C., Dinan J.H., Cornfeld A., Benson J.D., Doctor D., Olson G., Ferguson I., Pelczynski M., Ghow P., Kuo C.H., Johnson S. // Thin Sol. Films. 1998. V. 313-314. P. 490
- Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Nis I.E., Varavin V.S., Liberman V., Remesnik V.G. // Cryst. Res. Technol. 1994. V. 29. N 7. P. 931
- Швец В.А., Михайлов Н.Н., Икусов Д.Г., Ужаков И.Н., Дворецкий С.А. // Опт. и спектр. 2019. Т. 127. В. 2. С. 318
- Djurivsic A.B., Li E.H. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 5. P. 2854
- Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Варавин B.C., Анциферов А.П. // Оптический журнал. 2000. Т. 67. С. 39
- Швец В.А., Азаров И.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Якушев М.В., Марин Д.В., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А. // ПТЭ. 2016. N 6. С. 87
- Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А. // Автометрия. 2011. Т. 47. N 5. С. 5
- Finkman E., Schacham S.E. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. N 10. P. 2896
- Svitashev K.K., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mikhailov N.N., Spesivtsev E.V., Rychlitsky S.V. // Mat. Sci. Engineer. 1997. V. B44. P. 164
- Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 583 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.