Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства легированных нанопроволок во внешних электрическом и магнитном поляx

DOI: 10.21883/OS.2020.11.50181.155-20

Переводная версия: 10.1134/S0030400X20110259

Синявский Э.П.¹, Соковнич С.М.²

¹Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

²Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Email: s_sokovnich@rambler.ru

Выставление онлайн: 20 августа 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследуется примесное поглощение света в квантовых проволоках в присутствии внешних электрического и магнитного полей, направленных параллельно друг другу и перпендикулярно оси нанопроволоки. Легированные в квантовой проволоке примеси моделируются потенциалом нулевого радиуса. Получены выражения для коэффициента поглощения света и изучены особенности примесного поглощения света для всех возможных направлений поляризации световой волны. В частности, в присутствии внешних полей становятся разрешёнными некоторые оптические переходы, которые запрещены в отсутствие полей. Исследуются частотные зависимости коэффициента поглощения света и влияние электрического и магнитного полей на величину коэффициента примесного поглощения света. Показана возможность управления оптическими характеристиками нанопроволок с помощью электрического поля. Ключевые слова: нанопроволоки, примесное поглощение, внешние электрическое и магнитное поля.

Sakaki H., Noda T., Hurakawa K. et.al. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 23. P. 1934. doi 10.1063/1.98305
Синявский Э.П., Костюкевич Н.С. // Опт. и спектр. 2013. Т. 114. N 2. С. 225; Sinyavskii E.P., Kostyukevich N.S. // Opt. Spectrosc. 2013. V. 114. N 2. P. 205. doi 10.1134/S0030400X13020276
Unuma T., Takahashi T., Noda T. et.al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 78. N 22. P. 3448. doi 10.1063/1.1376154
Agarwal R., Lieber C.M. // Appl. Phys. A. 2006. V. 85. N 3. P. 209. doi 10.1007/s00339-006-3720-z
Iahn V., L'ahnemann J., Pfuller C. et.al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. 045323. doi 10.1103/PhysRevB.85.045323
Xiao-Yan Yan, Cheng-Bao Yao, Jin Li et.al. // Optical Materials. 2016. V. 55. P. 73. doi 10.1016/j.optmat.2016.03.016
Xianghui Zhang, Ye Zhang, Yipu Song, Zhe Wang, Dapeng Yu. // Phys. E. Low-dimensional Syst. Nanostructures. 2005. V. 28. N 1. P. 1. doi 10.1016/j.physe.2004.12.022
Sowmya Kolli, Chandra Shekhar Pendyala et.al. // J. Lumin. 2013. V. 141. P. 162. doi 10.1016/j.jlumin.2013.03.041
Becnakker C.W.J., van Houten H. Solid States Physics Semiconductor Heterostructures and Nanosructures. / Ed. by Ehrenreich H. N.Y.: Academic Press, 1991. 128 p
Гейлер В.А., Маргулис В.А. // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. N 4. С. 1376
Гейлер В.А., Маргулис В.А. // ФТП. 1999. Т. 33. N 9. С. 1141
Демков Ю.Н., Островский В.Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Л.: Изд-во ЛГУ, 1975. 240 с
Синявский Э.П., Карапетян С.А. // ФТП. 2012. Т. 46. N 8. С. 1032
Синявский Э.П., Хамидуллин Р.А. // ФТП. 2002. Т. 36. No 8. С. 989

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель