Вышедшие номера
Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe2+
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20110089
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-20048
Боряков А.В.1, Гладилин А.А.2, Ильичёв Н.Н.2, Калинушкин В.П.2, Миронов С.А.2, Резванов Р.Р.3, Уваров О.В.2, Чегнов В.П.4, Чегнова О.И.4, Чукичев М.В.5, Ширяев А.А.6
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4НИИ Материаловедения, Москва, Зеленоград, Россия
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
6Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Email: sa.mironov@kapella.gpi
Выставление онлайн: 20 августа 2020 г.

Описаны результаты исследования влияния отжига в атмосфере цинка на примесно-дефектный состав легированных диффузией железа пластин ZnSe : Te на характеристики катодолюминесценции (КЛ) ИК диапазона. Обнаружено образование преципитатов на границах двойников. Показано, что в структурах с поверхностной концентрацией железа больше 1 at.% наблюдается существенный рост интенсивности КЛ в ИК диапазоне в результате отжига в цинковой атмосфере. Обнаружено частичное восстановление межзонной люминесценции в областях с высокой концентрацией железа в результате отжига. Ключевые слова: ZnSe : Fe, ZnSe : Te, катодолюминесценция, рентгеновский флуоресцентый анализ, двухфотонная конфокальная микроскопия.
  1. Fedorov V.V., Mirov S.B., Gallian A., Badikov D.V., Frolov M.P., Korostelin Y.V., Kozlovsky V.I., Landman A.I., Podmar'kov Y.P., Akimov V.A., Voronov A.A. // IEEE J. Quantum Electronics. 2006. V. 42. N 9. P. 907
  2. Martyshkin D.V., Fedorov D.V., Mirov M., Moskalev I., Vasilyev S., Mirov S.B. // 2015 CLEO: OSA Technical Digest SF1F.2
  3. Gavrishchuk E.M., Ikonnikov V.B., Kazantsev S.Yu., Kononov I.G., Rodin S.A., Savin D.V., Timofeeva N.A., Firsov K.N. // Quantum Electronics. 2015. V. 4. N 9. P. 823-827
  4. Kozlovsky V.I., Korostelin Y.V., Podmar'kov Y.P., Skasyrsky Y.K., Frolov M.P. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 740. P. 012006
  5. Gladilin A.A., Gulyamova E.S., Danilov V.P., Il?ichev N.N., Kalinushkin V.P., Odin I.N., Pashinin P.P., Rezvanov R.R., Sidorin A.V., Studenikin M.I., Chapnin V.A., Chukichev M.V. // Quantum Electronics. 2016. V. 46. N 6. P. 545-547
  6. Чукичев М.В., Чегнов В.П., Резванов Р.Р., Чегнова О.И., Калинушкин В.П., Гладилин А.А. // Опт. и спектр. 2019. Т. 126. В. 202. С. 122-125
  7. Калинушкин В.П., Клечковская В.В., Клевков Ю.В., Чукичев М.В., Резванов Р.Р., Ильичев Н.Н., Орехов А.С., Уваров О.В., Миронов С.А., Гладилин А.А., Чапнин В.А. // Кристаллография. 2019. Т. 64. N 1. С. 111-116
  8. Kalinushkin V.P., Uvarov O.V., Gladilin A.A. // J. Electronic Materials. 2018. V. 47. N 9. P. 5087-5091. doi 10.1007/s11664-018-6393-4
  9. Гладилин А.А., Ильичев Н.Н., Калинушкин В.П., Студеникин М.И., Уваров О.В., Чапнин В.А., Туморин В.В., Новиков Г.Г. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 1. С. 5-12
  10. Baltramiejunas R., Ryzhikov V.D., Gavryushin V., Kazlauskas A., Raciukaitis G., Silin V.I., Juodzbalis D., Stepankevicius V. // J. Lumin. 1992. V. 52. P. 71-81
  11. Морозова Н.К., Назарова Л.Д., Каретников И.А., Галстян В.Г., Гальчинецкий Л.П., Рыжиков В.Д., Голованова О.Р. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 9. C. 1
  12. Балабанов С.С., Гаврищук Е.М., Гладилин А.А., Иконников В.Б., Ильичев Н.Н., Калинушкин В.П., Миронов С.А., Савин Д.В., Студеникин М.И., Тимофеева Н.А., Уваров О.В., Чапнин В.А. // Неорганические материалы. 2019. Т. 55. N 5. С. 459-468

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.