Вышедшие номера
The Influence of the Schottky Barrier at the Metal/PbS NCs Junction on the Charge Transport Properties*
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20080263
Russian Science Foundation , 19-13-00332
Ministry of Education of the Russian Federation, SP-70.2018.1
Onishchuk D.A.1, Parfenov P.S.1, Dubavik A.1, Litvin A.P.1
1Center of Information Optical Technologies, ITMO University, Saint Petersburg, Russia
Email: onishchuk.dmitry@gmail.com, qrspeter@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 января 2020 г.
Выставление онлайн: 24 мая 2020 г.

The effect of the Schottky barrier height changes on the metal/EDT-treated (1,2-ethanedithiol) PbS nanocrystals film interface is considered. Also, the influence of shunts on the J-V characteristic and the Schottky barrier height is demonstrated, as well, the effect of silver oxide layer on the charge accumulation and tunneling. It is shown that the gold electrodes provide more stable results even when the Schottky barrier is formed, while the silver electrode provides more current. Keywords: semiconductor nanocrystals, Schottky barrier, charge carriers transport, thin films.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.