Вышедшие номера
Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP2
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20070164
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-32-00322
Ноздрин В.С. 1, Чучупал С.В. 1,2, Командин Г.А. 1, Курлов В.Н. 3, Породинков О.Е. 1, Спектор И.Е. 1, Катыба Г.М. 1,3,4, Schunemann P.G. 5, Zawilski K.T.5
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
4Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
5BAE Systems, Inc., Nashua, New Hampshire, USA
Email: no315@yandex.ru, MirrorMan@yandex.ru, gakomandin@mail.ru, kurlov59@gmail.com, oleg.porodinkov@yandex.ru, igor.spector@yandex.ru, micalych@mail.ru, peter.g.schunemann@baesystems.com, kevin.zawilski@baesystems.com
Выставление онлайн: 24 апреля 2020 г.

Выполненные в интервале температур от 80 до 300 K методами терагерцовой (ТГц) импульсной и инфракрасной фурье-спектроскопии измерения спектров пропускания и отражения монокристалла CdSiP2 выявили существенное влияние постростовых дефектов на поглощение в ТГц области частот. Обнаружено, что это поглощение слабо зависит от температуры в отличие от ранее полученных результатов для другого кристалла семейства халькопирита с существенно меньшей концентрацией дефектов. При охлаждении были минимизированы собственные механизмы поглощения и выделен вклад дефектов в поглощение. Ключевые слова: генерация терагерцового излучения, нелинейно-оптические кристаллы, несобственное поглощение.