Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2020, выпуск 7 » Статья стр. 877
<<<>>>
Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
DOI: 10.21883/OS.2020.07.49556.18-20
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20070061
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-32-20207 мол_а_вед
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-32-00157 мол_а
Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.1, Зайцев А.А.2, Пушкарев С.С.1, Клочков А.Н.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: s_s_e_r_p@mail.ru, klochkov_alexey@mail.ru
Выставление онлайн: 24 апреля 2020 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований электрофизических и фотолюминесцентных характеристик, а также морфологии поверхности эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (110). Легированные кремнием эпитаксиальные слои были выращены в широком диапазоне температур роста от 410 до 680oС и при соотношении потоков мышьяка и галлия от 14 до 84. Методом атомно-силовой микроскопии определены диапазоны условий роста, при которых поверхность эпитаксиальных пленок получается наиболее гладкой. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учетом занятия ими узлов Ga или As, т. е. с учетом возникновения точечных дефектов SiGa и SiAs, а также образования вакансий мышьяка и галлия VAs и VGa. Ключевые слова: GaAs (110), молекулярно-лучевая эпитаксия, спектроскопия фотолюминесценции, амфотерность, морфология поверхности.
  1. Yerino C.D., Liang B., Huffaker D.L., Simmonds P.J., Lee M.L. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. doi 10.1116/1.4972049
  2. Sun D., Towe E. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Part 1. N 1B. P. 702. doi 10.1143/JJAP.33.702
  3. Vaccaro P.O., Tominaga K., Hosoda M., Fujita K., Watanabe T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. Part 1. N 2B. P. 1362. doi 10.1143/JJAP.34.1362
  4. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 17111. doi 10.1103/PhysRevB.50.17111
  5. Ohachi T., Feng J.M., Asai K., Uwani M., Tateuchi M., Vaccaro P.O., Fujita K. // Microelectronics J. 1999. V. 30. P. 471. doi 10.1016/S0026-2692(98)00155-4
  6. Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Яременко Н.Г. // ДАН. 1999. В. 367. N 5. С. 613; Galiev G.B., Karachevtseva`M.V., Mokerov V.G., Strakhov V.A., Yaremenko N.G. // Doklady Physics. 1999. V. 44. Iss. 8. P. 510
  7. Galiev G., Kaminskii V., Milovzorov D., Velihovskii I., Mokerov V. // Semicond. Sci. Technol. 2002. V. 17. P. 120. doi 10.1088/0268-1242/17/2/305
  8. Tok E.S., Neave J.H., Ashwin M.J., Joyce B.A., Jones T.S. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 4160. doi 10.1063/1.367169
  9. Zhou T.C., Zhou X.C., Kirk W.P. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 7372. doi 10.1063/1.365437
  10. Miyagawa A., Yamamoto T., Ohnishi Y., Nelson J.T., Ohachi T. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 237-239. P. 1434. doi 10.1016/S0022-0248(01)02235-7
  11. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Пушкарев С.С., Мальцев П.П. // ФТП. 2018. В. 52. N 3. С. 395; Galiev G.B., Klimov E.A., Klochkov A.N., Pushkarev S.S., Maltsev P.P. // Semicond. 2018. V. 52. Iss. 3. P. 376. doi 10.1134/S1063782618030119
  12. Pavesi L., Henini M., Johnston D. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 2846. doi 10.1063/1.113449
  13. Agawa K., Hirakawa K., Sakamoto N., Hashimoto Y., Ikoma T. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 1171. doi 10.1063/1.112136
  14. Okano Y., Shigeta M., Seto H., Katahama H., Nishine S., Fujimoto I. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. Part 2. N 8. P. L1357. doi 10.1143/JJAP.29.L1357
  15. Sun D., Towe E. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 132. P. 166. doi 10.1016/0022-0248(93)90258-X
  16. Holmes D.M., Tok E.S., Sudijono J.L., Jones T.S., Joyce B.A. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 192. P. 33. doi 10.1016/S0022-0248(98)00449-7
  17. Wang W.I. // J. Vac. Sci. Tech. B. 1983. V. 1. P. 630. doi 10.1116/1.582567
  18. Takano Y., Lopez M., Torihata T., Ikei T., Kanaya Y., Pak K., Yonezu H. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 216. doi 10.1016/0022-0248(91)90974-A
  19. Piazza F., Pavesi L., Henini M., Johnston D. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 1504. doi 10.1088/0268-1242/7/12/014
  20. Бобровникова И.А., Вилисова М.Д., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Субач С.В., Торопов С.Е. // ФТП. 2003. Т. 37. N 9. С. 1072; Bobrovnikova I.A., Vilisova M.D., Ivonin I.V., Lavrent'eva L.G., Preobrazhenski V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Subach S.V., Toropov S.E. // Semicond. 2003. V. 37. Iss. 9. P. 1047. doi 10.1134/1.1610116
  21. Мокеров В.Г., Галиев Г.Б., Слепнев Ю.В., Хабаров Ю.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 11. С. 1320; Mokerov V.G., Galiev G.B., Slepnev Yu.V., Khabarov Yu.V. // Semicond. 1998. V. 32. Iss. 11. P. 1175. doi 10.1134/1.1187586
  22. Hong Ky N., Reinhart F.K. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 718. doi 10.1063/1.366743
  23. Pavesi L., Hong Ky N., Ganiere J.D., Reinhart F.K., Baba-Ali N., Harrison I., Tuck B., Henini M. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 2225. doi 10.1063/1.351120

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme