Бабичев А.В.
1, Пашнев Д.А.
2,3, Денисов Д.В.4, Гладышев А.Г.
5, Бобрецова Ю.К.1, Слипченко С.О.
1, Карачинский Л.Я.
1,5,6, Новиков И.И.
1,5,6, Фирсов Д.А.
2, Воробьев Л.Е.
2, Пихтин Н.А.1, Егоров А.Ю.
5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Physical Sciences and Technology, Vilnius, Lithuania
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
6ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 3 апреля 2020 г.
Представлены результаты исследования температурных характеристик арочных квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 μm с различными геометрическими размерами. Гетероструктура лазера была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Активная область состояла из 50 каскадов на основе гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As. Продемонстрирована одночастотная генерации для лазеров с диаметром полукольцевого участка резонатора 100 μm и длиной прямолинейной части в 1 mm. Максимальный коэффициент подавления боковых мод при температуре 290 K составил 26 dB, длина волны излучения - 7.73 μm. Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, эпитаксия, фосфид индия, одночастотная генерация.
- Wu D.H., Razeghi M. // APLMater. 2017. V. 5. P. 035505. doi 10.1063/1.4978810
- Shahmohammadi M., Kapsalidis F., Suess M.J., Gini E., Beck M., Hundt M., Hundt M., Tuzson B., Emmenegger L., Faist J. // Semicond. Sci. Technol. 2019. V. 34. P. 083001. doi 10.1088/1361-6641/ab2838
- Hinkov B., Hayden J., Szedlak R., Martin-Mateos P., Jerez B., Acedo P., Strasser G., Lendl B. // Opt. Express. 2019. V. 27. P. 14716. doi 10.1364/oe.27.014716
- Maithani S., Maity A., Pradhan M. // Chem. Phys. 2019. V. 522. P. 123--128. doi 10.1016/j.chemphys.2019.02.022
- Liu P.Q., Sladek K., Wang X., Fan J.-Y., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. P. 241112. doi 10.1063/1.3664117
- Liu P.Q., Wang X., Fan J.-Y., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 061110. doi 10.1063/1.3554757
- Zheng M.C., Zhang Y.M., Liu P.Q., Wang X., Fan J.-Y., Troccoli M., Gmachl C.F. // Opt. Eng. 2017. V. 57. P. 011001. doi 10.1117/1.oe.57.1.011001
- Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Dudelev V.V., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 39. doi 10.1134/s1063785019040205
- Babichev A.V., Gusev G.A., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorob'ev L.E., Usikova A.A., Zadiranov Yu.M., Il'inskaya N.D., Nevedomskii V.N., Dyudelev V.V., Sokolovskii G.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Egorov A.Y. // Tech. Phys. 2018. V. 63. P. 1511. doi 10.1134/s1063784218100043
- Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Egorov A.Y. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 745. doi 10.1134/s1063782618060039
- Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.N., Kurochin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. P. 666. doi 10.1134/s1063785017070173
- Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 1082. doi 10.1134/s1063782618080031
- Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Ya., Egorov A.Y. // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 1299--1303. doi 10.1134/s1063782616100067
- Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Denisov D.V., Boulley L., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Bousseksou A., Egorov A.Yu. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 1136. doi 10.1134/S106378501911018X
- Babichev A.V., Dudelev V.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Nevedomskiy V.N., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Yu. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 735. doi 10.1134/s1063785019070174
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
