Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2020, выпуск 6 » Статья стр. 696
<<<>>>
Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
DOI: 10.21883/OS.2020.06.49398.320-19
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20060028
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-03289
Бабичев А.В. 1, Пашнев Д.А. 2,3, Денисов Д.В.4, Гладышев А.Г. 5, Бобрецова Ю.К.1, Слипченко С.О. 1, Карачинский Л.Я. 1,5,6, Новиков И.И. 1,5,6, Фирсов Д.А. 2, Воробьев Л.Е. 2, Пихтин Н.А.1, Егоров А.Ю. 5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Physical Sciences and Technology, Vilnius, Lithuania
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
6ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 3 апреля 2020 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования температурных характеристик арочных квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 μm с различными геометрическими размерами. Гетероструктура лазера была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Активная область состояла из 50 каскадов на основе гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As. Продемонстрирована одночастотная генерации для лазеров с диаметром полукольцевого участка резонатора 100 μm и длиной прямолинейной части в 1 mm. Максимальный коэффициент подавления боковых мод при температуре 290 K составил 26 dB, длина волны излучения - 7.73 μm. Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, эпитаксия, фосфид индия, одночастотная генерация.
  1. Wu D.H., Razeghi M. // APLMater. 2017. V. 5. P. 035505. doi 10.1063/1.4978810
  2. Shahmohammadi M., Kapsalidis F., Suess M.J., Gini E., Beck M., Hundt M., Hundt M., Tuzson B., Emmenegger L., Faist J. // Semicond. Sci. Technol. 2019. V. 34. P. 083001. doi 10.1088/1361-6641/ab2838
  3. Hinkov B., Hayden J., Szedlak R., Martin-Mateos P., Jerez B., Acedo P., Strasser G., Lendl B. // Opt. Express. 2019. V. 27. P. 14716. doi 10.1364/oe.27.014716
  4. Maithani S., Maity A., Pradhan M. // Chem. Phys. 2019. V. 522. P. 123--128. doi 10.1016/j.chemphys.2019.02.022
  5. Liu P.Q., Sladek K., Wang X., Fan J.-Y., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. P. 241112. doi 10.1063/1.3664117
  6. Liu P.Q., Wang X., Fan J.-Y., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 061110. doi 10.1063/1.3554757
  7. Zheng M.C., Zhang Y.M., Liu P.Q., Wang X., Fan J.-Y., Troccoli M., Gmachl C.F. // Opt. Eng. 2017. V. 57. P. 011001. doi 10.1117/1.oe.57.1.011001
  8. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Dudelev V.V., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 39. doi 10.1134/s1063785019040205
  9. Babichev A.V., Gusev G.A., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorob'ev L.E., Usikova A.A., Zadiranov Yu.M., Il'inskaya N.D., Nevedomskii V.N., Dyudelev V.V., Sokolovskii G.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Egorov A.Y. // Tech. Phys. 2018. V. 63. P. 1511. doi 10.1134/s1063784218100043
  10. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Egorov A.Y. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 745. doi 10.1134/s1063782618060039
  11. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.N., Kurochin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. P. 666. doi 10.1134/s1063785017070173
  12. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 1082. doi 10.1134/s1063782618080031
  13. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Ya., Egorov A.Y. // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 1299--1303. doi 10.1134/s1063782616100067
  14. Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Denisov D.V., Boulley L., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Bousseksou A., Egorov A.Yu. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 1136. doi 10.1134/S106378501911018X
  15. Babichev A.V., Dudelev V.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Nevedomskiy V.N., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Yu. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 735. doi 10.1134/s1063785019070174

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme