Вышедшие номера
The Effect of High Background and Dead Time of an InGaAs/InP Single-photon Avalanche Photodiode on the Registration of Microsecond Range Near-infrared Luminescence*
Полная версия: 10.1134/S0030400X20050100
Russian Science Foundation , 18-13-00200
Parfenov P.S. 1, Litvin A.P. 1, Onishchuk D.A. 1, Gonchar K.A. 2, Berwick K.3, Fedorov A.V. 1, Baranov A.V. 1
1Information Optical Technology Centre, ITMO University, St. Petersburg, Russia
2Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia
3School of Electrical and Electronic Engineering, Technological University Dublin, Dublin 8, Ireland
Email: qrspeter@gmail.com, litvin88@gmail.com, onishchuk.dmitry@gmail.com, k.a.gonchar@gmail.com, kevin.berwick@tudublin.ie, a_v_fedorov@inbox.ru, a_v_baranov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 27 января 2020 г.
Выставление онлайн: 3 апреля 2020 г.

The effects of a high background count and a microsecond dead time interval on a gated InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode (SPAD) during microsecond luminescence decay registration are discussed. It is shown that the background count rate of the SPAD limits its use for time-resolved and steady-spectral measurements, and that a "pile-up" effect appears in the microsecond range. Keywords: near-infrared detector; photon counting; single-photon avalanche diode (SPAD), pile-up, counting loss.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.