Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние коронного разряда на оптические свойства тонкопленочных структур Cu-As₂Se₃

DOI: 10.21883/OS.2020.02.48967.283-19

Переводная версия: 10.1134/S0030400X20020174

Ministry of Education and Science of the Moldova, Международный билатеральный Молдо-Белорусский проект , 1980013.50.07.05A/BL

Ministry of Education and Science of the Belarus, Международный билатеральный Молдо-Белорусский проект , Ф19МЛДГ-001

Ministry of Education and Science of the Moldova, institutional project, CSSDT 15.817.02.03A.

Настас А.М.^1,2, Иову М.С.^1,2, Толстик А.Л.

¹Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

²Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Email: nastas_am@rambler.ru, mihail.iovu@phys.asm.md, tolstik@bsu.by

Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние поля коронного разряда на голографическую запись дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu-As₂Se₃, полученной методом термического осаждения в вакууме на стеклянных подложках. Установлено, что приложение отрицательного коронного разряда во время записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu-As₂Se₃ и дифракционной эффективности решеток. Облучение актиничным светом приводило к потемнению структуры Cu-As₂Se₃ в спектральной области сильного поглощения и просветлению в области слабого поглощения. Приложение положительного коронного разряда приводило к усилению фотопросветления, а отрицательного коронного разряда - к его ослаблению. Полученные экспериментальные результаты качественно объясняются в предположении диффузии ионов Cu⁺ в пленку As₂Se₃. Ключевые слова: халькогенидные пленки, тонкопленочная структура, дифракционная эффективность, спектр пропускания, коронный разряд.

Boolchandani S., Srivastava S., Vijay Y.K. // J. Nanotechnology. 2018. V. 2018. Article ID 9380573, 9 pages. doi 10.1155/2018/9380573
Morris J.M., Mackenzie M.D., Petersen C.R. // Optical Materials Express. 2018. V. 8. N 4. doi 10.1364/OME.8.001001
Kumar A., Shukla S., Shukla R.K. // Materials Focus. 2017. V. 6. N 4. P. 415(9). doi 10.1166/mat.2017.1425
Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. C. 285
Nastas A.M., Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. Inventor's Certificate 3330 (MD), MD --- BOPI nr. 5/2007. P. 55
Tridukh G.M., Prisakar A.M., Andriesh A.M., Nastas A.M. Inventor's certificate MD N 341 Z, BOPI nr. 2/2011
Nastas A., Andries A., Bivol V., Prisacari A., Triduh G. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. N 4. P. 1887
Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. В. 2. С. 139; Nastas A.M, Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Tech. Phys. 2009. V. 54. N 2. P. 305
Настас А.М., Иову М.С., Тридух Г.М., Присакар А.М. // ЖТФ. 2015. Т. 85. В. 3. С. 148; Nastas A.M., Iovu M.S., Tridukh G.M., Prisakar A.M. // Technical Physics. 2015. V. 60. N 3. P. 466
Настас А.М., Иову М.С., Присакар А.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 80; Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M. // Technical Physics Lett. 2014. V. 40. N 5. P. 401
Настас А.М., Йову М.С., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2017. T. 87. В. 9. С. 1395-1398; Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Technical Physics. 2017. V. 62. N 9. P. 1403
Bodurov I., Yovcheva T., Vlaeva I., Viraneva A., Todorov R., Spassov G., Sainov S. // J. Physics: Conference Ser. 2012. V. 398. art. N 012053, 6 pp
Stetsun A.I., Dvorina L.A. // Semiconductors. 2011. V. 45. N 10. P. 1291
Lyubin V., Arsh A., Klebanov M., Sroumin N., Kantarovich K., Bar I., Dror R., Sfez B. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2008. V. 10. N 12. P. 3182

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель