Вышедшие номера
Влияние коронного разряда на оптические свойства тонкопленочных структур Cu-As2Se3
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20020174
Ministry of Education and Science of the Moldova, Международный билатеральный Молдо-Белорусский проект , 1980013.50.07.05A/BL
Ministry of Education and Science of the Belarus, Международный билатеральный Молдо-Белорусский проект , Ф19МЛДГ-001
Ministry of Education and Science of the Moldova, institutional project, CSSDT 15.817.02.03A.
Настас А.М.1,2, Иову М.С.1,2, Толстик А.Л. 2
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: nastas_am@rambler.ru, mihail.iovu@phys.asm.md, tolstik@bsu.by
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Изучено влияние поля коронного разряда на голографическую запись дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu-As2Se3, полученной методом термического осаждения в вакууме на стеклянных подложках. Установлено, что приложение отрицательного коронного разряда во время записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu-As2Se3 и дифракционной эффективности решеток. Облучение актиничным светом приводило к потемнению структуры Cu-As2Se3 в спектральной области сильного поглощения и просветлению в области слабого поглощения. Приложение положительного коронного разряда приводило к усилению фотопросветления, а отрицательного коронного разряда --- к его ослаблению. Полученные экспериментальные результаты качественно объясняются в предположении диффузии ионов Cu+ в пленку As2Se3. Ключевые слова: халькогенидные пленки, тонкопленочная структура, дифракционная эффективность, спектр пропускания, коронный разряд.
  1. Boolchandani S., Srivastava S., Vijay Y.K. // J. Nanotechnology. 2018. V. 2018. Article ID 9380573, 9 pages. doi 10.1155/2018/9380573
  2. Morris J.M., Mackenzie M.D., Petersen C.R. // Optical Materials Express. 2018. V. 8. N 4. doi 10.1364/OME.8.001001
  3. Kumar A., Shukla S., Shukla R.K. // Materials Focus. 2017. V. 6. N 4. P. 415(9). doi 10.1166/mat.2017.1425
  4. Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. C. 285
  5. Nastas A.M., Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. Inventor's Certificate 3330 (MD), MD --- BOPI nr. 5/2007. P. 55
  6. Tridukh G.M., Prisakar A.M., Andriesh A.M., Nastas A.M. Inventor's certificate MD N 341 Z, BOPI nr. 2/2011
  7. Nastas A., Andries A., Bivol V., Prisacari A., Triduh G. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. N 4. P. 1887
  8. Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. В. 2. С. 139; Nastas A.M, Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Tech. Phys. 2009. V. 54. N 2. P. 305
  9. Настас А.М., Иову М.С., Тридух Г.М., Присакар А.М. // ЖТФ. 2015. Т. 85. В. 3. С. 148; Nastas A.M., Iovu M.S., Tridukh G.M., Prisakar A.M. // Technical Physics. 2015. V. 60. N 3. P. 466
  10. Настас А.М., Иову М.С., Присакар А.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 80; Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M. // Technical Physics Lett. 2014. V. 40. N 5. P. 401
  11. Настас А.М., Йову М.С., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2017. T. 87. В. 9. С. 1395-1398; Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Technical Physics. 2017. V. 62. N 9. P. 1403
  12. Bodurov I., Yovcheva T., Vlaeva I., Viraneva A., Todorov R., Spassov G., Sainov S. // J. Physics: Conference Ser. 2012. V. 398. art. N 012053, 6 pp
  13. Stetsun A.I., Dvorina L.A. // Semiconductors. 2011. V. 45. N 10. P. 1291
  14. Lyubin V., Arsh A., Klebanov M., Sroumin N., Kantarovich K., Bar I., Dror R., Sfez B. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2008. V. 10. N 12. P. 3182

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.