Влияние коронного разряда на оптические свойства тонкопленочных структур Cu-As2Se3
Ministry of Education and Science of the Moldova, Международный билатеральный Молдо-Белорусский проект , 1980013.50.07.05A/BL
Ministry of Education and Science of the Belarus, Международный билатеральный Молдо-Белорусский проект , Ф19МЛДГ-001
Ministry of Education and Science of the Moldova, institutional project, CSSDT 15.817.02.03A.
Настас А.М.
1,2, Иову М.С.
1,2, Толстик А.Л.
21Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: nastas_am@rambler.ru, mihail.iovu@phys.asm.md, tolstik@bsu.by
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
Изучено влияние поля коронного разряда на голографическую запись дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu-As2Se3, полученной методом термического осаждения в вакууме на стеклянных подложках. Установлено, что приложение отрицательного коронного разряда во время записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu-As2Se3 и дифракционной эффективности решеток. Облучение актиничным светом приводило к потемнению структуры Cu-As2Se3 в спектральной области сильного поглощения и просветлению в области слабого поглощения. Приложение положительного коронного разряда приводило к усилению фотопросветления, а отрицательного коронного разряда - к его ослаблению. Полученные экспериментальные результаты качественно объясняются в предположении диффузии ионов Cu+ в пленку As2Se3. Ключевые слова: халькогенидные пленки, тонкопленочная структура, дифракционная эффективность, спектр пропускания, коронный разряд.
- Boolchandani S., Srivastava S., Vijay Y.K. // J. Nanotechnology. 2018. V. 2018. Article ID 9380573, 9 pages. doi 10.1155/2018/9380573
- Morris J.M., Mackenzie M.D., Petersen C.R. // Optical Materials Express. 2018. V. 8. N 4. doi 10.1364/OME.8.001001
- Kumar A., Shukla S., Shukla R.K. // Materials Focus. 2017. V. 6. N 4. P. 415(9). doi 10.1166/mat.2017.1425
- Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. C. 285
- Nastas A.M., Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. Inventor's Certificate 3330 (MD), MD --- BOPI nr. 5/2007. P. 55
- Tridukh G.M., Prisakar A.M., Andriesh A.M., Nastas A.M. Inventor's certificate MD N 341 Z, BOPI nr. 2/2011
- Nastas A., Andries A., Bivol V., Prisacari A., Triduh G. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. N 4. P. 1887
- Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. В. 2. С. 139; Nastas A.M, Andriesh A.M., Bivol V.V., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Tech. Phys. 2009. V. 54. N 2. P. 305
- Настас А.М., Иову М.С., Тридух Г.М., Присакар А.М. // ЖТФ. 2015. Т. 85. В. 3. С. 148; Nastas A.M., Iovu M.S., Tridukh G.M., Prisakar A.M. // Technical Physics. 2015. V. 60. N 3. P. 466
- Настас А.М., Иову М.С., Присакар А.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 80; Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M. // Technical Physics Lett. 2014. V. 40. N 5. P. 401
- Настас А.М., Йову М.С., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2017. T. 87. В. 9. С. 1395-1398; Nastas A.M., Iovu M.S., Prisakar A.M., Tridukh G.M. // Technical Physics. 2017. V. 62. N 9. P. 1403
- Bodurov I., Yovcheva T., Vlaeva I., Viraneva A., Todorov R., Spassov G., Sainov S. // J. Physics: Conference Ser. 2012. V. 398. art. N 012053, 6 pp
- Stetsun A.I., Dvorina L.A. // Semiconductors. 2011. V. 45. N 10. P. 1291
- Lyubin V., Arsh A., Klebanov M., Sroumin N., Kantarovich K., Bar I., Dror R., Sfez B. // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2008. V. 10. N 12. P. 3182
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
