Вышедшие номера
Электролюминесценция слоев Ta2O5, полученных методом молекулярного наслаивания
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20020046
Барабан А.П. 1, Дмитриев В.А. 1, Дрозд В.Е. 1, Петров Ю.В. 1, Прокофьев В.А. 1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: alnbaraban@yandex.ru, esssec@gmail.com, vedrozd@mail.ru, y.petrov@spbu.ru, bobapro@yandex.ru
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Показана возможность использования электролюминесценции для исследования структур Si-Ta2O5 и Si-SiO2-Ta2O5 и получения информации об электронном строении слоя Ta2O5 и свойствах границы SiO2-Ta2O5. Предложена модель электронного строения слоя Ta2O5, полученного методом молекулярного наслаивания, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Показано, что формирование слоя Ta2O5 на поверхности термически окисленного кремния сопровождается трансформацией в приповерхностной области SiO2 и гашением полосы люминесценции в спектральной области 650 nm. Ключевые слова: электролюминесценция, молекулярное наслаивание, спектральное распределение, электронное строение.