Вышедшие номера
Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20010129
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, 16.9791.2017/8.9
РНФ, 19-72-30010
Кулагина А.С. 1, Хребтов А.И. 1, Резник Р.Р.2, Убыйвовк Е.В. 2,3, Литвин А.П.2, Скурлов И.Д.2, Цырлин Г.Э.1,2,4,5, Бодунов Е.Н.6, Данилов В.В.6
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6Петербургский государственный университет путей сообщения императора Александра I, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.s.panfutova@gmail.com, khrebtovart@mail.ru, ubyivovk@gmail.com
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Исследована фотодинамика люминесценции массива нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(III). На основе сопоставления нескольких кинетических моделей проведён анализ экспериментальных данных, полученных при возбуждении лазерным излучением 633 nm при комнатной температуре. Показано, что кинетика затухания люминесценции нановставки InAsP лучше всего описывается в рамках модели контактного тушения. Оценена полная длительность распада возбужденного состояния (радиационное время жизни) нановставки InAsP tau~ 40 ns. Высказаны предположения о причинах необычно большой длительности переноса возбуждения от InP. Ключевые слова: гибридные нитевидные нанокристаллы, кинетика люминесценции, фотодинамика.
  1. LaPierre R.R., Chia A.C.E., Gibson S.J., Haapamaki C.M., Boulanger J., Yee R., Kuyanov P., Zhang J., Tajik N., Jewell N., Rahman K.M.A. // Phys. Stat. Sol. (RRL). 2013. V. 7. N 10. P. 815
  2. Yan R., Gargas D., Yang P. // Nature Photonics. 2009. V. 3. P. 569
  3. Zhang Y., Wu J., Aaegesen M., Liu H. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. V. 48. P. 463001
  4. Patolsky F., Zheng G., Lieber C.M. // Nanomedicine. 2006. V. 1. N 1. P. 51
  5. Цырлин Г.Э., Штром И.В., Резник Р.Р., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Сошников И.П. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 11. С. 1441; Cirlin G.E., Shtrom I.V., Reznik R.R., Samsonenko Y.B., Khrebtov A.I., Bouravleuv A.D., Soshnikov I.P. // Semiconductors. 2016. V. 50. N 11. P. 1421
  6. Kuyanov P., LaPierre R.R. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 315202
  7. Хребтов А.И., Резник Р.Р., Убыйвовк Е.В., Литвин А.П., Скурлов И.Д., Парфёнов П.С., Кулагина А.С., Данилов В.В., Цырлин Г.Э. // ФТП. 2019. Т. 53. N 9. C. 1289; Khrebtov A.I., Reznik R.R., Ubyivovk E.V., Litvin A.P., Skurlov I.D., Parfenov P.S., Kulagina A.S., Danilov V.V., Cirlin G.E. // Semiconductors. 2019. V. 53. N 9. P. 1258
  8. Reimer M.E., Bulgarini G., Akopian N., Hocevar M., Bavinck M.B., Verheijen M.A., Bakkers E.P.A.M., Kouwenhoven L.P., Zwiller V. // Nature Commun. 2012. V. 3. N 737. doi 10.1038/ncomms1746
  9. Pietryga J.M., Park Y-S., Lim J., Fidler A.F., Bae W.K., Browelli S., Klimov V.I. // Chem. Rev. 2016. V. 116. P. 10513
  10. Данилов В.В., Панфутова А.С., Ермолаева Г.М., Хребтов А.И., Шилов В.Б. // Опт. и спектр. 2013. Т. 114. N 6. С. 967; Danilov V.V., Panfutova A.S., Ermolaeva G.M., Khrebtov A.I., Shilov V.B. // Opt. Spectrosc. 2013. V. 114. N 6. P. 880
  11. Spirkoska D., Abstreiter G., Fontcuberta i Morral A. // Nanotechnology. 2008. V. 19. P. 435704
  12. Смирнов М.С., Овчинников О.В., Перепелица А.С. // Опт. и спектр. 2019. Т. 126. N 1. С. 69; Smirnov M.S., Ovchinnikov O.V., Perepelitsa A.S. // Opt. Spectrosc. 2019. V. 126. N 1. P. 62
  13. Bodunov E.N., Simoes Gamboa A.L. // J. Phys. Chem. C. 2019. V. 123. N 41. P. 25515. doi 10.1021/acs.jpcc.9b07619
  14. Bodunov E.N., Danilov V.V., Panfutova A.S., Simoes Gamboa A.L. // Ann. Phys. (Berlin). 2016. V. 528. N 3-4. P. 272. doi 10.1002/andp.201500350
  15. Bodunov E.N., Antonov Y.A., Simoes Gamboa A.L. // J. Chem. Phys. 2017. V. 146. P. 114102. doi 10.1063/1.4978396
  16. Brus L. // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. N 8. P. 4649
  17. Chen S., Yoshita M., Ishikawa A., Mochizuki T., Maruyama S., Akiyama H., Hayamizu Y., Pfeiffer L.N., West K.W. // Sci. Rep. 2013. V. 3. N 1941. doi 10.1038/srep01941
  18. Krauss T.D., Peterson J.J. // Nature Mater. 2012. V. 11. P. 14
  19. de Mello Donega C., Bode M., Meijerink A. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 085320
  20. Berberan-Santos M.N., Bodunov E.N., Valeur B. // Chem. Phys. 2005. V. 315. N 1-2. P. 171. doi 10.1016/j.chemphys.2005.04.006
  21. Bodunov E.N., Berberan-Santos M.N., Martinho J.M.G. // Chem. Phys. 2005. V. 316. N 1-3. P. 217. doi 10.1016/j.chemphys.2005.05.020
  22. Berberan-Santos M.N., Бодунов Е.Н., Martinho J.M.G. // Опт. и спектр. 2005. Т. 99. N 6. С. 955; Berberan-Santos M.N., Bodunov E.N., Martinho J.M.G. // Opt. Spectrosc. 2005. V. 99. N 6. P. 918. doi 10.1134/1.2149416
  23. Park Y.-S., Malko A.V., Vela J., Chen Y., Ghosh Y., Garci a-Santamari a F., Hollingsworth J.A., Klimov V.I., Htoon H. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. P. 187401
  24. Bulgarini G., Reimer M.E., Zehender T., Hocevar M., Bakkers E., Kouwenhoven L.P., Zwiller V. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 121106
  25. Asryan L.V., Luryi S. // IEEE J. Quant. Electron. 2001. V. 37. P. 905
  26. Pal B., Goto K., Ikezawa M., Masumoto Y., Mohan P., Motohisa J., Fukui T. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 073105
  27. Талалаев В.Г., Сеничев А.В., Новиков Б.В., Tomm J.W., Elsaesser T., Захаров Н.Д., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э. // ФТП. 2010. Т. 44. N 8. С. 1084; Talalaev V.G., Senichev A.V., Novikov B.V., Tomm J.W., Elsaesser T., Zakharov N.D., Werner P., Gosele U., Samsonenko Y.B., Cirlin G.E. // Semiconductors. 2010. Т. 44. N 8. С. 1050
  28. Дирак П.А.М. Принципы квантовой механики. М.: Наука, 1979. 480 c.; Dirac P.A.M. The Principles of Quantum Mechanics. Oxford University Press, 1930. 257 p
  29. Ермолаев В.Л., Бодунов Е.Н., Свешникова Е.Б., Шахвердов Т.А. Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения. Л.: Наука, 1977. 312 с.; Ermolaev V.L., Bodunov E.N., Sveshnikova E.B., Shakhverdov T.A. Nonradiative Transfer of Electronic Excitation Energy. Leningrad: Nauka, 1977. 312 p
  30. Bodunov E.N., Simoes Gamboa A.L. // J. Phys. Chem. C. 2018. V. 122. N 19. P. 10637. doi 10.1021/acs.jpcc.8b02779
  31. Bodunov E.N., Simoes Gamboa A.L. // Semiconductors. 2019. V. 53. N 16. P.89; doi 10.1134/510637826119120078
  32. Bodunov E.N., Simoes Gamboa A.L. // Semiconductors. 2018. V. 52. N 5. P. 587. doi 10.1134/S1063782618050044
  33. Bodunov E.N., Berberan-Santos M.N., Martinho J.M.G. // Chem. Phys. Lett. 1998. V. 297. N 5-6. P. 419. doi 10.1016/S0009-2614(98)01151-8

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.