Вышедшие номера
Магнитоотражение и эффект Керра в пленках La2/3Ba1/3MnO3 с вариантной структурой
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20010233
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-32-00368 мол_а.
Министерство образования и науки Российской Федераци, Спин, АААА-А18-118020290104-2
Телегин А.В. 1, Бессонова В.А. 1, Сухоруков Ю.П. 1, Носов А.П. 1, Ганьшина Е.А. 2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: telegin@imp.uran.ru, vbessonova@imp.uran.ru, suhorukov@imp.uran.ru, nossov@imp.uran.ru, eagan@mail.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

В пленках La2/3Ba1/3MnO3 с вариантной структурой, выращенных на подложках ZrO2(Y2O3), обнаружена корреляция между эффектом магнитоотражения естественного света и туннельным магнитосопротивлением. Показано, что эффект магнитоотражения в пленках, как и колоссальное магнитосопротивление, максимален в области магнитного упорядочения вблизи комнатной температуры (TC~ 295 K). Спектры магнитоотражения пленки La2/3Ba1/3MnO3 с вариантной структурой формируются теми же механизмами, что и в случае пленок без вариантной структуры, и могут быть описаны в рамках теории магниторефрактивного эффекта. Полевые и температурные зависимости магнитоотражения демонстрируют наличие дополнительного низкотемпературного вклада в отражение пленки La2/3Ba1/3MnO3 вследствие процессов туннелирования спин-поляризованных электронов через границы структурных доменов. Ключевые слова: магнитоотражение, ИК спектроскопия, манганиты, вариантная структура, туннельное магнитосопротивление.