Вышедшие номера
Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19120099
Министерство науки и высшего образования России , Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы», № 14.578.21.0253 от 26.09.2017 г., уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253
Карачинский Л.Я. 1, Новиков И.И. 2, Бабичев А.В. 2, Гладышев А.Г. 2, Колодезный Е.С. 2, Рочас С.С. 2, Курочкин А.С. 2, Бобрецова Ю.К.3, Климов А.А.3, Денисов Д.В.4, Воропаев К.O.5,6, Ионов А.С.6, Бугров В.Е. 2, Егоров А.Ю. 2
1ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
6АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: evgenii_kolodeznyi@corp.ifmo.ru
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Предложена и реализована конструкция активной области на основе сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs для лазерных диодов спектрального диапазона 1535-1565 nm. Показано, что использование сверхрешетки позволяет увеличить модальное усиление при равных значениях плотности тока накачки в сравнении с типичной конструкцией активной области на основе набора квантовых ям InGaAs. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, вертикально-излучающий лазер, гетероструктура, активная область, квантовая яма, сверхрешетка.
  1. Alferov Z.I. // Semiconductors. 1998. V. 32. P. 1-14. doi 10.1134/1.1187350
  2. Park G. et al. // IEEE Photonics Technol. Lett. 2000. V. 12. N 3. P. 230-232. doi 10.1109/68.826897
  3. Ortsiefer M. et al. // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XVI, SPIE OPTO. San Francisco, 2012. P. 82760A
  4. Babichev A.V. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 2017. V. 53. N 6. P. 1-8. doi 10.1109/JQE.2017.2752700
  5. Бабичев А.В. и др. Гетероструктура вертикально-излучающего лазера: пат. 188629 RU. Россия, 2019
  6. Spiga S. et al. // 5th IEEE Photonics Soc. Opt. Interconnects Conf. OI 2016. 2016. P. 14-15
  7. Kolodeznyi E.S. et al. // Opt. Spectrosc. 2018. V. 125. N 2. P. 238-242. doi 10.1134/S0030400X18080143
  8. Casey H.C., Panish M.B. Heterostructure Lasers: Part B. Academic P. N. Y.: Academic press, 1978. 336 p
  9. Coldren L.A., Corzine S.W., Mashanovitch M.L. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits. N. Y.: John Wiley \& Sons, 2012. 744 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.