Вдовин В.А.
1, Андреев В.Г.
2, Глазунов П.С.
2, Хорин И.А.3, Пинаев Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Email: vdv@cplire.ru , andreev@acs366.phys.msu.ru, ps.glazunov@physics.msu.ru, khorin@ftian.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Измерены коэффициенты отражения, пропускания и поглощения ультратонких пленок меди на кварцевой подложке в волноводе на частотах 9-11 GHz. Пленки толщиной менее 5 nm практически полностью окислены и прозрачны для СВЧ излучения. Проводящий слой формируется при толщине пленок, превышающей 5 nm, однако рост коэффициента отражения с толщиной в диапазоне 5-15 nm происходит медленнее, чем это следует из расчетов, использующих модельную проводимость сплошной пленки. Результаты могут быть объяснены морфологией пленок. Ключевые слова: комплексная диэлектрическая проницаемость, эффективная среда, СВЧ диапазон. -19
- Андреев В.Г., Вдовин В.А., Воронов П.С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 22. С. 68-74; Andreev V.G., Vdovin V.A., Voronov P.S. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. N 11. P. 953-955. doi 10.1134/1.1631376
- Kaplan A.E. // J. Opt. Soc. Am. B. 2018. V. 35. N 6. P. 1328-1340. doi 10.1364/JOSAB.35.001328
- Андреев В.Г., Ангелуц А.А., Вдовин В.А., Лукичев В.Ф., Шкуринов А.П. // Радиотехн. и электрон. 2016. Т. 61. N 1. С. 66-71; Andreev V.G., Angeluts A.A., Vdovin V.A., Lukichev V.F., Shkurinov A.P. // J. Communications Technology and Electronics. 2016. V. 61. N 1. P. 61-65. doi 10.1134/S1064226915120025
- Андреев В.Г., Вдовин В.А. // ПТЭ. 2009. Т. 52. N 2. С. 81-85; Andreev V.G., Vdovin V.A. Instruments and Experimental Techniques. 2009. V. 52. N 2. P. 226-229. doi 10.1134/S0020441209020171
- Andreev V.G., Kalynov Yu.K., Vdovin V.A. // IEEE Sensor J. 2014. V. 14. N 2. P. 578-583. doi 10.1109/JSEN.2013.2286101
- Семёнов В.А., Оскирко В.О., Работкин С.В., Оскомов К.В., Соловьев А.А., Степанов С.А. // Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60. N 9. С. 88-93; Semenov V.A., Oskirko V.O., Rabotkin S.V., Oskomov K.V., Solovyev A.A., Stepanov S.A. Russian Physics J. 2018. V. 60. N 9. P. 1559-1564. doi 10.1007/s11182-018-1251-7
- Gopika K.P. Ramanandan, Gopakumar Ramakrishnan, Planken P.C.M. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 123517. doi 10.1063/1.4729808
- Антонец И.В., Котов Л.Н., Никипелов С.В., Карпушов Е.Н. // ЖТФ. 2004. Т. 74. N 11. С. 102-106; Antonets I.V., Kotov L.N., Nekipelov S.V., Karpushov E.N. // Tech. Phys. 2004. V. 49. N 11. P. 1496-1500
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. // ЖТФ. 2006. Т. 76. N 5. С. 112-117; Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Bogolyubov A.S. // Tech. Phys. 2006. V. 51. N 5. P. 644. doi 10.1134/S1063784206050173
- Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ. Т. 1. М.: Высшая школа, 1970. 440 с
- Fusch K. Math. Proc. Cambridge Philos. Soc. 1938. V. 34. P. 100-108
- Pichard C.R., Bedda M., Vatamanyuk V.I., Tosser A.J., Tellier C.R. // J. Mater. Sci. 1985. V. 20. P. 4185. doi 10.1007/BF00552414
- Gong J.B., Dong W.L., Dai R.C., Wang Z.P., Zhang Z.M., Ding Z.J. // Chinese Physics B. 2014. V. 23. N 8. P. 087802. doi 10.1088/1674-1056/23/8/087802
- Walther M., Cooke D.G., Sherstan C., Hajar M., Freeman M.R., Hegmann F.A. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 125408. doi 10.1103/PhysRevB.76.125408
- Stroud D. // Phys. Rev. B. 1975. V. 12. N 8. P. 3368-3373. doi 10.1103/PhysRevB.12.3368
- Khorin I., Orlikovsky N., Rogozhin A., Tatarintsev A., Pronin S., Andreev V., Vdovin V. // Proc. SPIE. 2016. V. 10224. P. 1022407. doi 10.1117/12.2266504
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
