Вышедшие номера
Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 μm при комнатной температуре
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19090066
Дюделев В.В.1, Мамутин В.В.1, Чистяков Д.В.2, Когновицкая Е.А.1,3, Кучинский В.И.1, Малеев Н.А.1, Васильев А.П.1,4, Кузьменков А.Г.1,4, Устинов В.М.3,4, Соколовский Г.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: gs@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Представлены результаты исследования полосковых квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.8 μm, излучающих при комнатной температуре. Изучены мощностные характеристики и динамика включения исследуемых лазеров при импульсной накачке. Проведенные исследования показали наличие существенного нагрева активной области за время импульса накачки. Ключевые слова: гетероструктура, активная область, импульс накачки. -19
  1. Curl R.F., Capasso F., Gmachl C., Kosterev A.A., McManus B., Lewicki R., Pusharsky H., Wysocki G., Tittel F. // Chem. Phys. Lett. 2010. V. 487 (1-3). P. 1--18. doi 10.1016/j.cplett.2009.12.073
  2. Capasso F., Gmachl C., Paiella R., Tredicucci A., Hutchinson A.L., Sivco D.L., Baillargeon J.N., Cho A.Y., Liu H.C. // IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron. 2000. V. 6. N 6. P. 931--947. doi 10.1109/2944.902142
  3. Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Cho A.Y. // Rep. Prog. Phys. 2001. V. 64. N 11. P. 1533--1601. doi 10.1088/0034-4885/64/11/204
  4. Kirch J.D., Shin J.C., Chang C.-C., Mawst L.J., Botez D., Earles T. // Electron. Lett. 2012. V. 48. N 4. P. 234--U178. doi 10.1049/el.2012.0017
  5. Shin J.C., Souza M.D., Liu Z., Kirch J., Mawst L.J., Botez D., Vurgaftman I., Meyer J.R. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 201103. doi 10.1063/1.3139069
  6. Botez D., Shin J.C., Kirch J.D., Chang C.-C., Mawst L.J., Earles T. // IEEE J. of Sel. Topics in Quant. Electron. 2013. V. 19. N 4. P. 1200312. doi 10.1109/JSTQE.2012.2237387
  7. Tsecoun A., Go R., Pushkarsky M., Razeghi V., Patel C.K.N. // PNAS (Proс. Natl. Acad. Sci., USA) 2006. V. 103. P. 4831
  8. Razeghi M., Slivken S., Bai Y., Gokden B., Darvish S.R. // New J. Phys. 2009. V. 11. P. 125017
  9. Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Cho A.Y. // Rep. Prog. Phys. 2001. V. 64. P. 1533
  10. Mamutin V.V., Vasilyev A.P., Lyutetskiy A.V., Ilyinskaya N.D., Zadiranov Yu.M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Maleev N.A., Ustinov V.M. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 950. doi 10.1134/S106378261807014X
  11. Mamutin V.V., Vasil'ev A.P., Lyutetskii A.V., Il'inskaya N.D., Usikova A.A., Zadiranov Yu.M., Maleev N.A., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorob'ev L.E., Ustinov V.M. // Tech. Phys. Lett. 2018. V. 44. N 9. P. 814--816. doi 10.1134/S1063785018090249
  12. Dudelev V.V., Losev S.N., Myl'nikov V.Yu., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Yu., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. // Tech. Phys. 2018. V. 63. N 11. P. 1656--1658. doi 10.1134/S1063784218110087
  13. Dudelev V.V., Losev S.N., Myl'nikov V.Yu., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Yu., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. // Opt. Spectrosc. 2018. V. 125. N 3. P. 402--404. doi 10.1134/S0030400X18090096
  14. Dudelev V.V., Losev S.N., Myl'nikov V.Yu., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Yu., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. // Phys. Sol. Stat. 2018. V. 60. N 11. P. 2291--2294. doi 10.1134/S1063783418110057
  15. Hamadou A., Lamari S., Thobel J.-L. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. N 9. P. 093116. doi 10.1063/1.3124379
  16. Yong K.S.C., Haldar M.K., Webb J.F. // J. Mod. Opt. 2018. V. 65. N 4. P. 406--414. doi 10.1080/09500340.2017.1397219
  17. Sokolovskii G.S., Dudelev V.V., Kolykhalova E.D., Deryagin A.G., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Kuchinskii V.I., Mikhrin S.S., Livshits D.A., Viktorov E.A., Erneux T. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. N 8. P. 081109. doi 10.1063/1.3688604
  18. Kruczek T., Fedorova K.A., Sokolovskii G.S., Teissier R., Baranov A.N., Rafailov E.U. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. N 1. P. 011124. doi 10.1063/1.4774088

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.