Вышедшие номера
Определение профиля состава квантовых ям HgTe/CdxHg1-xTe методом одноволновой эллипсометрии
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19080253
Швец В.А.1,2, Михайлов Н.Н.1,2, Икусов Д.Г.1, Ужаков И.Н.1, Дворецкий С.А.1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: shvets@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Разработан эллипсометрический метод восстановления профиля состава по толщине в тонких нанослоях гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе соединения кадмий-ртуть-теллур. Метод основан на решении обратной эллипсометрической задачи с заменой части неоднородного слоя однородной средой со специально подобранными оптическими константами. Численное моделирование показало корректность такой замены и эффективность разработанного алгоритма. С помощью данного метода проведено исследование активной области гетероструктуры, состоящей из пяти квантовых ям HgTe, разделенных обкладками широкозонного CdHgTe. Основываясь на результатах непрерывных in situ эллипсометрических измерений, выполненных в процессе роста гетероструктуры, рассчитаны профили состава для всех пяти последовательно выращенных квантовых ям и показана высокая воспроизводимость зависимостей их состава от толщины. Ключевые слова: эллипсометрические параметры, молекулярно-лучевая эпитаксия, профиль состава. -18
  1. Konig M., Wiedmann S., Roth A., Buhmann H., Molemkamp L.W., Qi X.L., Zhang S.C. // Science. 2007. V. 318. P. 766
  2. Crauste O., Ohtsubo Y., Ballet P., Delplace P.A.L., Carpentier D., Bouvier C., Meunier T., Taleb-Ibrahimi A., Levy L. arXiv: 1307.2008
  3. Brune C., Liu C.X., Novik E.G., Hankiewicz E.M., Buhmann H., Chen Y.L., Qi X.L., Shen Z.X., Zhang S.C., Molemkamp L.W. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. P. 126803
  4. Olshanetsky E.B., Kvon Z.D., Kobylkin S.S., Kozlov D.A., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Portal J.C. // JETP Lett. 2011. V. 93. N 9. P. 526
  5. Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Shvets V., Danilov S.N., Wittmann B., Ganichev S.D. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. N 7. P. 918
  6. Yakunin M.V., Suslov A.V., Podgornykh S.M., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. N 24. P. 245321
  7. Yakunin M.V., Suslov A.V., Popov M.R., Novik E.G., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. // Phys. Rev. B. 2016. V. 93. N P. 085308
  8. Gudina S.V., Arapov Yu.G., Neverov V.N., Podgornykh S.M., Popov M.R., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. // Phys. Status Solidi C. 2016. V. 13. N 7-9. P. 473
  9. Бовкун Л.С., Криштопенко С.С., Иконников А.В., Алешкин В.Я., Кадыков А.М., Ruffenach S., Consejo C., Teppe F., Knap W., Orlita M., Piot B., Potemski M., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 11. C. 1554
  10. Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Kadykov A.M., Maremyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 2. P. 022102
  11. Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. N 9. P. 092104
  12. Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Gavrilenko V.I. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. N 19. P. 192101
  13. Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kudryavtsev K.E., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. // Optics Express. 2018. V. 26. N 10. P. 12755
  14. Zhou Y.D., Becker C.R., Selament Y., Chang Y., Ashokan R., Boreiko R.T., Aoki T., Smith D.J., Betz A.L., Sivananthan S. // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. N 7. P. 608
  15. Grein C.H., Jung H., Singh R., Flatte M.E. // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. N 6. P. 905
  16. Aleshkin V.Y., Dubinov A.A., Morozov S.V., Ryzhii M., Otsuji T., Mitin V., Shur M.S., Ryzhii V. // Opt. Мater. Expr. 2018. V. 8. N 5. P. 1349
  17. Mikhailov N.N., Smirnov R.N., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Spesivtsev E.V., Rykhlitski S.V. // Int. J. Nanotechnology. 2006. V. 3. N 1. P. 120
  18. Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Квон Д.Х., Михайлов Н.Н., Дай Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. // Автометрия. 2007. Т. 43. N 4. C. 104
  19. Дворецкий С.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Швец В.А, Виттман Б., Данилов С.Н., Ганичев С.Д., Асеев А.Л. // Опт. журн. 2009. Т. 76. N 12. С. 69
  20. Dvoretsky S.A., Ikusov D.G., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Smirnov R.N., Sidorov Yu.G., Shvets V.A. // Semicond. Phys., Quant. Electr. and Optoelectronics. 2007. V. 10. N 4. P. 47
  21. Dvoretsky S., Mikhailov N., Sidorov Yu., Shvets V., Danilov S., Wittman B., Ganichev S. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. N 7. P. 918
  22. Швец В.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. // Автометрия. 2011. Т. 47. N 5. C. 13
  23. Швец В.А. // Опт. и спектр. 2009. Т. 107. N 5. С. 822
  24. Svitashev K.K., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mikhailov N.N., Spesivtsev E.V., Rykhlitsky S.V. // Mat. Sci. Engin. B. 1997. V. B44. N 1-3. P. 164
  25. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Сусляков А.О., Овсюк В.Н. // Прикладная физика. 2000. N 5. C. 108
  26. Васильев В.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О., Асеев А.Л. // Автометрия. 2007. Т. 43. N 4. C. 17
  27. Vasiliev V.V., Remesnik V.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N. Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Aseev A.L. // Optical Sensing II, Proceedings of SPIE. 2006. V. 189. P. 579. ISBN: 9780819462459
  28. Azzam R.M.A., Bashara N.M. Ellipsometry and polarized light. North-Holland Publishing Company, 1977. 529 p.; Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. 1981. М.: Мир, 583 с
  29. Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В. // ФТП. 2011. Т. 45. N 3. С. 396
  30. Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А. //Автометрия, 2011. Т. 47. N 5. С. 5
  31. Швец В.А., Азаров И.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Якушев М.В., Марин Д.В., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А. // ПТЭ. 2016. N 6. С. 87.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.