Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2019, выпуск 6 » Статья стр. 751
<<<>>>
Синтез и оптические свойства пленок оксида титана, модифицированных кобальтом
DOI: 10.21883/OS.2019.06.47769.32-19
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19060158
Логачева В.А. 1, Лукин А.Н. 1, Афонин Н.Н. 2, Сербин О.В. 1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Email: kcmf@vsu.ru, alukin@phys.vsu.ru, nafonin@vspu.ac.ru, serbin@vsu.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
PDF версия
Методами рентгено-фазового анализа, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии, ИК спектроскопии исследованы свойства поликристаллических пленок TiO2, модифицированных кобальтом путем магнетронного распыления и последующей импульсной фотонной обработки на воздухе. Установлено, что в процессе модификации происходит формирование нанокристаллической (с размерами зерен ~50 nm) пленки, состоящей из оксидов кобальта и титана, поверхность которых проявляет магнитные свойства. В ИК спектрах отражения, полученных при разных углах падения луча, в области 500-600 cm-1 наблюдали две полосы поперечных (TO) и соответствующие им две полосы продольных колебательных мод (LO), которые идентифицируют образование Co3О4 в структуре шпинели. Исследование оптического поглощения указывает на преимущественное существование в пленках фаз с прямозонными оптическими переходами с энергией 1.43 и 1. 83 eV для Co3O4 и 2.65 eV для кубической фазы СoO. -19
  1. Ngo T.Q., Posadas A., Seo H., Hoang S., McDaniel M.D., Utess D., Triyoso D.H., Mullins C.B., Demkov A.A., Ekerdt J.G. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. P. 084901. doi 10.1063/1.4819106
  2. Pawar S.G., Patil S.L., Chougule M.A., Patil V.B. // J. Mater. Sci.: Mater. in Electron. 2011. V. 22. N 3. P. 260. doi 10.1007/S10854-010-0125-8
  3. Kumar S.G., Devi L.G. // J. Phys. Chem. A. 2011. V. 115. N 46. P. 13211. doi 10.1021/jp204364a
  4. Pfeil T.L., Pourpoint T.L., Groven L.J. // Int. J. Hydrogen Energy. 2014. V. 39. P. 2149. doi 10.1016/j.ijhydene.2013.11.104
  5. Liu M., Li Y., Wang K., Luo Y., Hou S., Wang P., Pang F., Ji Fe., Zhao L. // Ceramics International. 2018. V. 44. N 16. P. 19631. doi 10.1016/j.ceramint.2018.07.213
  6. Peng S. J., Li L.L., Hu Y.X., Srinivasan M., Cheng F., Chen J., Ramakrishna S. // ACS Nano. 2015. V. 9. N 2. P. 1945. doi 10.1021/nn506851x
  7. Jang G.-S., Ameen S., Akhtar M.S., Shin H.-S. // Ceramics International. 2018. V. 44. N 1. P. 588. doi 10.1016/j.ceramint.2017.09.217
  8. Makhlouf S.A. // J. Magn. Magn. Mater. 2002. V. 246. N 1--2. P. 184. doi 10.1016/s0304-8853(02)00050-1
  9. Yamaura H., Moriya K., Miura N., Yamazoe N. // Sens. Actuators B. 2000. V. 65. P. 39. doi 10.1016/s0925-4005(99)00456-6
  10. Rao C.N.R., Raveau B. Transition Metal Oxides. N.Y.: VCH, 1995. 338 p. doi 10.1002/amo.860050510
  11. Berger A., Pechan M.J., Compton R., Jiang J.S., Pearson J.E., Bader S.D. // Phys. Rev. B. 2001. V. 306. N 1--4. P. 235. doi 10.1016/s0921-4526(01)01010-9
  12. Liao L., Zhang Q., Su Z. et al. // Nature Nanotechnol. 2013. V. 9. N 1. P. 69. doi 10.1038/nnano.2013.272
  13. Mousavand T., Naka T., Sato K., Ohara S., Umetsu M., Takami S., Nakane T., Matsushita A., Adschiri T. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. N 14. P. 144411. doi 10.1103/physrevb.79.144411
  14. Chen J., Wu X., Selloni A. // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. N 24. P. 245204. doi 10.1103/physrevb.83.245204
  15. Chen Y.H., Zhou J.F., Mullarkey D., O'Connell R., Schmitt W., Venkatesan M., Coey M., Zhang H.Z. // AIP Advances. 2015. V. 5. N 8. P. 10.1063/1.4928494. doi 10.1063/1.4928494
  16. Choudhury B., Choudhury A., Maidul Islam A.K.M., Alagarsamy P., Mukherjee M. // J. Magn. Magn. Mater. 2011. V. 323. N 5. P. 440. doi 10.1016/j.jmmm.2010.09.043
  17. Pellicer E., Cabo M., Rossinyol E. // Adv. Funct. Mater. 2012. V. 23. N 7. P. 900. doi 10.1002/adfm.201201486
  18. Иевлев В.М. // Успехи химии. 2013. Т. 82. N 9. C. 815; Ievlev V.M. // Russ. Chem. Rev. 2013. V. 82. N 9. P. 815. doi 10.1070/RC2013v082n09ABEH004357
  19. Hashim A.H., Zayed A.O.H., Zain S.M., Lee V.S., Said S.M. // Appl. Surf. Sci. 2018. V. 427. P. 1090. doi 10.1016/j.apsusc.2017.09.085
  20. Serrano A., Fernandez Pinel E., Quesada A. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. N 14. P. 144405. doi 10.1103/PhysRevB.79.144405 G
  21. Lenglet M., Lopitaux J., Terrier L., Chartier P., Koenig J.F., Nkeng E., Poillerat G. // J. de Phys. IV. 1993. V. 03. N C9. P. C9--477. doi 10.1051/jp4:1993951
  22. Merino M.C.G., Nasisi L.D.T., Montoya W.M. // Proc. Mater. Sci. 2015. V. 8. P. 534. doi 10.1016/j.mspro.2015.04.105
  23. Pan G.X., Xia X.H., Cao F., Chen J., Zhang Y.J. // Electrochim. Acta. 2015. V. 173. P. 385. doi 10.1016/j.electacta.2015.05.078
  24. Cheng K., Cao D. X., Yang F., Xu Y., Sun G., Ye K., Wang G. // J. Power Sources. 2014. V. 253. P. 214. doi 10.1016/j.jpowsour.2013.12.068
  25. Makhlouf M.Th., Abu-Zied B.M., Mansoure T.H. // Phys. Chem. 2012. V. 2. N 6. P. 86. doi 10.5923/j.pc.20120206.01
  26. Li Y., Qiu W., Qin F., Fang H., Hadjiev V.G., Litvinov D., Bao J. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. N 8. P. 4511. doi 10.1021/acs.jpcc.5b11185
  27. Vasconcelos D.C.L., Costa V.C., Nunes E.H., Sabioni A.C.S., Gasparon M., Vasconcelos W.L. // Mater. Sci. Appl. 2011. V. 2. N 10. P. 1375. doi 10.4236/msa.2011.210186
  28. Khanahmadzadeh S., Enhessari M., Solati Z., Mohebalizadeh A., Alipouramjad A. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2015. V. 31. P. 599. doi 10.1016/j.mssp.2014.12.043
  29. Kumar V., Sharma S.Kr., Sharma T.P., Singh V. // Opt. Mater. 1999. V. 12. P. 115. doi 10.1016/s0925-3467(98)00052-4
  30. Tauc J. // Amorphous and liquid semiconductors / Ed by Tauc J. N.Y.: Premium Press, 1974. P. 159. doi. 10.1007/978-1-4615-8705-7
  31. Barreca D., Massignan C., Daolio S., Fabrizio M., Piccirillo C., Armelao L., Tondello E. // Chem. Mater. 2001. V. 13. P. 588. doi 10.1021/cm001041x
  32. Louardi A., Rmili A., Ouachtari F., Bouaoud A., Elidrissi B., Erguig H. // J. Alloys and Comp. 2011. V. 509. N 37. P. 9183. doi 10.1016/j.jallcom.2011.06.106
  33. Xu R., Zeng H.C. // Langmuir. 2004. V. 20. N 22. P. 9780. doi 10.1021/la049164+
  34. Gu F., Li C., Hu Y., Zhang L. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 304. N 2. P. 369. doi 10.1016/j.jcrysgro.2007.03.040
  35. Vijayakumar S., Ponnalagi A.K., Nagamuthu S., Muralidharan G. // Electrochim. Acta. 2013. V. 106. P. 500. doi 10.1016/j.electacta.2013.05.121
  36. He T., Chen D., Jiao X., Wang Y., Duan Y. // Chem. Mater. 2005. V. 17. N 15. P. 4023. doi 10.1021/cm050727s
  37. Purushothaman K.K., Sethuraman B., Anupama M.P., Dhanasankar M., Muralidharan G. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2013. V. 16. N 6. P. 1410. doi 10.1016/j.mssp.2013.04.023

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme