Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2019, выпуск 5 » Статья стр. 573
<<<>>>
Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al0.29Ga0.71As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц
DOI: 10.21883/OS.2019.05.47655.382-18
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19050151
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-02-00932
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-01168
Минобрнауки РФ, госзадание, 3.4903.2017/6.7
Минобрнауки РФ, государственная финансовая поддержка ведущих университетов Российской Федерации , субсидия 08-08
Президиум РАН, Современные проблемы фотоники, зондирование неоднородных сред и материалов
Германский научно-исследовательский фонд DFG, ICRC 160, project C5
Косарев А.Н.1,2,3, Чалдышев В.В. 1,2,4, Кондиков А.А.1,4, Вартанян Т.А. 4, Торопов Н.А. 4, Гладских И.А.4, Гладских П.В.4, Акимов И.1,3, Bayer M.1,3, Преображенский В.В.5, Путято М.А.5, Семягин Б.Р.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru, Tigran.Vartanyan@mail.ru, nikita.a.toropov@gmail.com
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены квантовые точки арсенида индия-галлия, захороненные в тонком слое арсенида алюминия-галлия. Изучено влияние серебряных наночастиц, выращенных на поверхности полупроводниковой структуры методом термического испарения в вакууме, на фотолюминесценцию квантовых точек. Получены спектры фотолюминесценции при стационарном и импульсном возбуждении квантовых точек. Исследовано влияние серебряных наночастиц, обладающих плазмонными резонансами на спектральное распределение и кинетику люминесценции эпитаксиальных квантовых точек. -18
  1. Wu J., Chen S., Seeds A., Liu H. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. V. 48. P. 36300
  2. Ledentsov N.N. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26. P. 014001
  3. Kim T., Cho K., Lee E.K., Lee S.J., Chae J., Kim J.W., Kim D.H., Kwon J., Amaratunga G., Lee S.Y., Choi B.L., Kuk Y., Kim J.M., Kim K. // Nature Photonics. 2011. V. 5. P. 176
  4. Wu J., Makableh Y.F.M., Vasan R., Manasreh M.O., Liang B., Reyner C.J., Huffaker D.L. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. Р. 051907
  5. Marent A., Nowozin T., Geller M., Bimberg D. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26. P. 014026
  6. Song Hai-Zhi, Hadi M., Zheng Y., Shen B., Zhang L., Ren Zh., Gao R., Wang Z.M. // Nanoscale Research Lett. 2017. V. 12. P. 129
  7. Salewski M., Poltavtsev S.V., Kapitonov Yu.V., Vondran J., Yakovlev D.R., Schneider C., Kamp M., Hofling S., Oulton R., Akimov I.A., Kavokin A.V., Bayer M. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. P. 035312
  8. Zhang W., Govorov A.O., Bryant G.W. // Phys Rev. Lett. 2006. V. 91. P. 146804
  9. Lyamkina A., Moshchenko S., Dmitriev D., Toropov A., Shamirzaev T. // JETP Lett. 2014. V. 99. P. 219
  10. Nevedomskii V., Bert N., Chaldyshev V., Preobrazhenskii V., Putyato M., Semyagin B. // Semiconductors. 2009. V. 43. P. 1617
  11. Nevedomskii V., Bert N., Chaldyshev V., Preobrazhenskii V., Putyato M., Semyagin B. // Semiconductors. 2011. V. 45. P. 1580
  12. Nevedomskii V., Bert N., Chaldyshev V., Preobrazhenskii V., Putyato M., Semyagin B. // Semiconductors. 2013. V. 47. P. 1185
  13. Kosarev A., Chaldyshev V., Preobrazhenskii V., Putyato M., Semyaginc B. // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 1499
  14. Sun Y. // Adv. Funct. Mater. 2010. V. 20. P. 3646
  15. Gladskikh P.V., Gladskikh I.A., Toropov N.A., Baranov M.A., Vartanyan T.A. // J. Nanopart. Res. 2015. V. 17. P. 424
  16. Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Косарев А.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. // Оптический журнал. 2017. Т. 84. N 7. С. 37-40; Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Kosarev A.N., Preobrazhenski V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. // J. Optical Technology. 2017. V. 84. P. 459
  17. Kosarev A., Chaldyshev V., Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Baryshnikova K.V., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Vartanyan T.A. // Proc. SPIE. 2017. V. 10346. P. 1034613
  18. Vartanyan T. // Proc. Int. Conf. ".On New Trends in Quantum and Mesoscopic Physics", 27 June--3 July 2018. Yerevan, Armenia: RAU Publishing House Yerevan, 2018. P. 32-33
  19. Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Кондиков А.А., Косарев А.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики --- 2018". СПб. 15-19 октября 2018. / Под ред. Беспалова В.Г., Козлова С.А. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 286-287.
  20. Кондиков А.А., Чалдышев В.В., Косарев А.Н., Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Вартанян Т.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. // Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики --- 2018". СПб. 15-19 октября 2018. / Под ред. Беспалова В.Г., Козлова С.А. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 341-343.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme