Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры GaS/InSe

DOI: 10.21883/OS.2019.05.47649.205-18

Переводная версия: 10.1134/S0030400X19050102

Гусейнов А.Г.¹, Салманов В.М.¹, Мамедов Р.М.¹, Салманова А.А.², Ахмедова Ф.М.¹

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

²Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan

Email: vagif_salmanov@yahoo.com

Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально получены тонкие пленки GaS методом SILAR, проанализирована их структура и исследованы оптические и фотоэлектрические свойства. При помощи дифракционного анализа рентгеновских лучей (XRD), атомного силового микроскопа (AFM), спектроскопии дисперсной энергии рентгеновских лучей (EDAX) и сканирующего электронного микроскопа (SEM) исследованы внутреннее строение и структура полученных образцов. Из спектра поглощения определена ширина запрещенной зоны GaS. На основе кристаллов GaS и тонких пленок InSe созданы гетеропереходы p-GaS/n-InSe. Экспериментально исследованы вольт-амперные, оптические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики гетеропереходов p-GaS/n-InSe. -18

Masanori Ohyama, Hiroshi Ito, Manabu Takeuchi. // Jap. J. Appl. Phys. 2005. V. 44(7A), P. 4780-4783. doi 10.1143/JJAP.44.4780
Finkman E.,.Rizzo A. //Sol. St. Commun. 1974. V. 5. N 11-12. P. 1841-1845
Kipperman A.H.M., van der Leeden G.A. // Sol. St. Commun. 1968. V. 6. N 9. P. 657-662
Wei An, Feng Wu, Hong Jiang, Guang-Shan Tian, Xin-Zheng Li. // J. Chem. Phys. 2014. V. 141. P. 084701
Tomoyoshi Aono, Kunio Kase, Akira Kinoshita. //J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 2818
Hoa C.H., Lin S.L. // J. Appl. Phys. 2006. V. 00. N 8. P. 83508
Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 306 с
Давыдов А.С., Лубченко А.Ф. // ДАН СССР. 1968. T. 179. N 6. C. 1301-1303
Гарибов А.А., Мадатов Р.С., Комаров Ф.Ф., Пилько В.В., Мустафаев Ю.М., Ахмедов Ф.И., Джахангиров М.М. //ФТП. 2015. Т. 49. В. 5. С. 599-602
Кязымзаде А.Г., Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Мамедов Р.М., Салманова А.А., Ахмедова Ф.Ш. // Изв. вузов. 2017. Т. 60. N 10. С. 30-33
Delice S., Bulur E., Gasanly N.M. // J. Phil. Mag. 2015. V. 95. P. 998-1006
Guler А., Isik M., Ahmedova F., Guseinov A., Gasanly N. // J. Luminesc. 2018. 33 (4). Р. 759-763. doi 10.1002/bio.3473
Tomoyoshi Aono, Kunio Kase, Akira Kinoshita. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. Р. 2818
Hoa C.H., Lin S.L. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. Р. 083508

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель