Вышедшие номера
Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры GaS/InSe
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19050102
Гусейнов А.Г.1, Салманов В.М.1, Мамедов Р.М.1, Салманова А.А.2, Ахмедова Ф.М.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Баку, Азербайджан
Email: vagif_salmanov@yahoo.com
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

Экспериментально получены тонкие пленки GaS методом SILAR, проанализирована их структура и исследованы оптические и фотоэлектрические свойства. При помощи дифракционного анализа рентгеновских лучей (XRD), атомного силового микроскопа (AFM), спектроскопии дисперсной энергии рентгеновских лучей (EDAX) и сканирующего электронного микроскопа (SEM) исследованы внутреннее строение и структура полученных образцов. Из спектра поглощения определена ширина запрещенной зоны GaS. На основе кристаллов GaS и тонких пленок InSe созданы гетеропереходы p-GaS/n-InSe. Экспериментально исследованы вольт-амперные, оптические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики гетеропереходов p-GaS/n-InSe. -18