Вышедшие номера
Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19020036
Министерство образования и науки РФ , государственное задание , 16.9789.2017/БЧ
Бабичев А.В. 1, Денисов Д.В.2,3, Lavenus P.4, Jacopin G.5, Tchernycheva M. 4, Julien F.H.4, Zhang H.4,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Centre for Nanoscience and Nanotechnology (C2N Orsay), CNRS UMR, Univ. Paris Sud, Univ. Paris Saclay, Orsay, France
5Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, C Lausanne, Switzerland
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Представлены результаты отработки технологических режимов формирования и исследования оптических свойств светодиодных микропирамид на основе InGaN/GaN. Структуры сформированы методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Светодиодные гетероструктуры на основе одиночных микропирамид демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 520-590 nm, которая сдвигается в коротковолновую область с увеличением токовой накачки. Данные источники излучения представляют интерес для формирования точечных источников света высокой интенсивности для биосенсорных применений. -18
  1. Kim T.-i., McCall J.G., Jung Y.H., Huang X., Siuda E.R., Li Y., Song J., Song Y.M., Pao H.A., Kim R.-H., Lu C., Lee S.D., Song I.-S., Shin G., Al-Hasani R., Kim S., Tan M.P., Huang Y., Omenetto F.G., Rogers J.A., Bruchas M.R. // Science. 2013. V. 340. P. 211-216. doi 10.1126/science.1232437
  2. Koester R., Hwang J.-S., Salomon D., Chen X., Bougerol C., Barnes J.-P., Dang D.L.S., Rigutti L. Bugallo A.L., Jacopin G., Tchernycheva M., Durand C., Eymery J. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 4839--4845. doi 10.1021/nl202686n
  3. Bi Z., Gustafsson A., Lenrick F., Lindgren D., Hultin O., Wallenberg L.R., Ohlsson B.J., Monemar B., Samuelson L. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. P. 025102. doi 10.1063/1.5010237
  4. Martensson T., Svensson C.P.T., Wacaser B.A., Larsson M.W., Seifert W., Deppert K., Gustafsson A., Wallenberg L.R., Samuelson L. // Nano Lett. 2004. V. 4. P. 1987-1990. doi 10.1021/nl0487267
  5. Largeau L., Dheeraj D.L., Tchernycheva M., Cirlin G.E., Harmand J.C. // Nanotechnology. 2008. V. 19. P. 155704. doi 10.1088/0957-4484/19/15/155704
  6. Calarco R., Meijers R.J., Debnath R.K., Stoica T., Sutter E., Luth H. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 2248-2251. doi 10.1021/nl0707398
  7. Kumaresan V., Largeau L., Madouri A., Glas F., Zhang H., Oehler F., Cavanna A., Babichev A., Travers L., Gogneau N., Tchernycheva M., Harmand J.-C. // Nano Lett. 2016. V. 16. P. 4895-4902. doi 10.1021/acs.nanolett.6b01453
  8. Kumaresan V., Largeau L., Madouri A., Glas F., Zhang H., Oehler F., Cavanna A., Babichev A., Travers L., Gogneau N., Tchernycheva M., Harmand J.-C. // European Microscopy Congress 2016: Proceedings. 2016. P. 668-669. doi 10.1002/9783527808465.emc2016.6807
  9. Fernandez-Garrido S., Ramsteiner M., Gao G., Galves L.A., Sharma B., Corfdir P., Calabrese G., de Souza Schiaber Z., Pfuller C., Trampert A., Lopes J.M.J., Brandt O., Geelhaar L. // Nano Lett. 2017. V. 17. P. 5213-5221. doi 10.1021/acs.nanolett.7b01196
  10. Fernandez-Garrido S., Ramsteiner M., Gao G., Galves L.A., Sharma B., Corfdir P., Calabrese G., de Souza Schiaber Z., Pfuller C., Trampert A., Lopes J.M.J., Brandt O., Geelhaar L. // Proc. SPIE. 2018. V. 10532. P. 105321U. doi 10.1117/12.2288233
  11. Guan N., Dai X., Babichev A.V., Julien F.H., Tchernycheva M. // Chem. Sci. 2017. V. 8. P. 7904-7911. doi 10.1039/c7sc02573d
  12. Tian Z., Li Y., Su X., Feng L., Wang S., Ding W., Li Q., Zhang Y., Guo M., Yun F., Lee S.W.R. // Opt. Express. 2018. V. 26. P. 1817. doi 10.1364/oe.26.001817
  13. Choi J.H., Cho E.H., Lee Y.S., Shim M.-B., Ahn H.Y., Baik C.-W., Lee E.H., Kim K., Kim T.H., Kim S., Cho K.-S., Yoon J., Kim M., Hwang S. // Adv. Opt. Mater. 2013. V. 2. P. 267-274. doi 10.1002/adom.201300435
  14. Kato Y., Kitamura S., Hiramatsu K., Sawaki N. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 144. P. 133-140. doi 10.1016/0022-0248(94)90448-0
  15. Kitamura S., Hiramatsu K., Sawaki N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. L1184-L1186. doi 10.1143/jjap.34.l1184
  16. Bidnyk S., Little B.D., Cho Y.H., Krasinski J., Song J.J., Yang W., McPherson S.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2242-2244. doi 10.1063/1.121689
  17. Ko Y.-H., Kim J.-H., Jin L.-H., Ko S.-M., Kwon B.-J., Kim J., Kim T., Cho Y.-H. // Adv. Mater. 2011. V. 23. P. 5364-5369. doi 10.1002/adma.201102534
  18. Stankevic T., Mickevicius S., Schou Nielsen M., Kryliouk O., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O., Ciechonski R., Vescovi G., Bi Z., Mikkelsen A., Samuelson L., Gundlach C., Feidenhans'l R. // J. Appl. Crystallogr. 2015. V. 48. P. 344-349. doi 10.1107/s1600576715000965
  19. Song D.Y., Chandolu A., Stojanovic N., Nikishin S.A., Holtz M. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 064309. doi 10.1063/1.2978382
  20. Tong G., Jia W., Fan T., Dong H., Li T., Jia Z., Xu B. // Mater. Lett. 2018. V. 224. P. 86-88. doi 10.1016/j.matlet.2018.04.089
  21. Tchernycheva M., Lavenus P., Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G., Shahmohammadi M., Julien F.H., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 2456-2465. doi 10.1021/nl5001295
  22. Stankevivc T., Hilner E., Seiboth F., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O., Johansson U., Samuelson L., Wellenreuther G., Falkenberg G., Feidenhans'l R., Mikkelsen A. // ACS Nano 2015. V. 9. P. 6978-6984. doi 10.1021/acsnano.5b01291
  23. Kempa T.J., Lieber C.M. // Pure Appl. Chem. 2014. V. 86. P. 13-26. doi 10.1515/pac-2014-5010
  24. Tchernycheva M., Neplokh V., Zhang H., Lavenus P., Rigutti L., Bayle F., Julien F.H., Babichev A., Jacopin G., Largeau L., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O. // Nanoscale. 2015. V. 7. P. 11692-11701. doi 10.1039/c5nr00623f
  25. Hultin O., Otnes G., Borgstrom M.T., Bjork M., Samuelson L., Storm K. // Nano Lett. 2015. V. 16. P. 205-211. doi 10.1021/acs.nanolett.5b03496
  26. Thompson A.C., Stoddart P.R., Jansen E.D. // Curr. Mol. Imaging. 2015. V. 3. P. 162-177. doi 10.2174/2211555203666141117220611
  27. Gob ler C., Bierbrauer C., Moser R., Kunzer M., Holc K., Pletschen W., Kohler K., Wagner J., Schwaerzle M., Ruther P., Paul O., Neef J., Keppeler D., Hoch G., Moser T., Schwarz U.T. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 205401. doi 10.1088/0022-3727/47/20/205401
  28. Ayub S., Gossler C., Schwaerzle M., Klein E., Paul O., Schwarz U.T., Ruther P. // IEEE 29th Int. Conf. MEMS. 2016. P. 379. doi 10.1109/memsys.2016.7421640
  29. Soltan A., McGovern B., Drakakis E., Neil M., Maaskant P., Akhter M., Lee J.S., Degenaar P. // IEEE Trans. Biomed. Circuits Syst. 2017. V. 11. P. 347-359. doi 10.1109/tbcas.2016.2623949
  30. Metzner S., Bertram F., Karbaum C., Hempel T., Wunderer T., Schwaiger S., Lipski F., Scholz F., Wachter C., Jetter M., Michler P., Christen J. // Phys. Stat. Solidi B. 2011. V. 248. P. 632-637. doi 10.1002/pssb.201046500

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.