"Оптика и спектроскопия"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19020036
Министерство образования и науки РФ , государственное задание , 16.9789.2017/БЧ
Бабичев А.В. 1, Денисов Д.В.2,3, Lavenus P.4, Jacopin G.5, Tchernycheva M. 4, Julien F.H.4, Zhang H.4,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Centre for Nanoscience and Nanotechnology (C2N Orsay), CNRS UMR, Univ. Paris Sud, Univ. Paris Saclay, Orsay, France
5Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, C Lausanne, Switzerland
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Представлены результаты отработки технологических режимов формирования и исследования оптических свойств светодиодных микропирамид на основе InGaN/GaN. Структуры сформированы методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Светодиодные гетероструктуры на основе одиночных микропирамид демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 520-590 nm, которая сдвигается в коротковолновую область с увеличением токовой накачки. Данные источники излучения представляют интерес для формирования точечных источников света высокой интенсивности для биосенсорных применений. -18
  • Kim T.-i., McCall J.G., Jung Y.H., Huang X., Siuda E.R., Li Y., Song J., Song Y.M., Pao H.A., Kim R.-H., Lu C., Lee S.D., Song I.-S., Shin G., Al-Hasani R., Kim S., Tan M.P., Huang Y., Omenetto F.G., Rogers J.A., Bruchas M.R. // Science. 2013. V. 340. P. 211-216. doi 10.1126/science.1232437
  • Koester R., Hwang J.-S., Salomon D., Chen X., Bougerol C., Barnes J.-P., Dang D.L.S., Rigutti L. Bugallo A.L., Jacopin G., Tchernycheva M., Durand C., Eymery J. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 4839--4845. doi 10.1021/nl202686n
  • Bi Z., Gustafsson A., Lenrick F., Lindgren D., Hultin O., Wallenberg L.R., Ohlsson B.J., Monemar B., Samuelson L. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. P. 025102. doi 10.1063/1.5010237
  • Martensson T., Svensson C.P.T., Wacaser B.A., Larsson M.W., Seifert W., Deppert K., Gustafsson A., Wallenberg L.R., Samuelson L. // Nano Lett. 2004. V. 4. P. 1987-1990. doi 10.1021/nl0487267
  • Largeau L., Dheeraj D.L., Tchernycheva M., Cirlin G.E., Harmand J.C. // Nanotechnology. 2008. V. 19. P. 155704. doi 10.1088/0957-4484/19/15/155704
  • Calarco R., Meijers R.J., Debnath R.K., Stoica T., Sutter E., Luth H. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 2248-2251. doi 10.1021/nl0707398
  • Kumaresan V., Largeau L., Madouri A., Glas F., Zhang H., Oehler F., Cavanna A., Babichev A., Travers L., Gogneau N., Tchernycheva M., Harmand J.-C. // Nano Lett. 2016. V. 16. P. 4895-4902. doi 10.1021/acs.nanolett.6b01453
  • Kumaresan V., Largeau L., Madouri A., Glas F., Zhang H., Oehler F., Cavanna A., Babichev A., Travers L., Gogneau N., Tchernycheva M., Harmand J.-C. // European Microscopy Congress 2016: Proceedings. 2016. P. 668-669. doi 10.1002/9783527808465.emc2016.6807
  • Fernandez-Garrido S., Ramsteiner M., Gao G., Galves L.A., Sharma B., Corfdir P., Calabrese G., de Souza Schiaber Z., Pfuller C., Trampert A., Lopes J.M.J., Brandt O., Geelhaar L. // Nano Lett. 2017. V. 17. P. 5213-5221. doi 10.1021/acs.nanolett.7b01196
  • Fernandez-Garrido S., Ramsteiner M., Gao G., Galves L.A., Sharma B., Corfdir P., Calabrese G., de Souza Schiaber Z., Pfuller C., Trampert A., Lopes J.M.J., Brandt O., Geelhaar L. // Proc. SPIE. 2018. V. 10532. P. 105321U. doi 10.1117/12.2288233
  • Guan N., Dai X., Babichev A.V., Julien F.H., Tchernycheva M. // Chem. Sci. 2017. V. 8. P. 7904-7911. doi 10.1039/c7sc02573d
  • Tian Z., Li Y., Su X., Feng L., Wang S., Ding W., Li Q., Zhang Y., Guo M., Yun F., Lee S.W.R. // Opt. Express. 2018. V. 26. P. 1817. doi 10.1364/oe.26.001817
  • Choi J.H., Cho E.H., Lee Y.S., Shim M.-B., Ahn H.Y., Baik C.-W., Lee E.H., Kim K., Kim T.H., Kim S., Cho K.-S., Yoon J., Kim M., Hwang S. // Adv. Opt. Mater. 2013. V. 2. P. 267-274. doi 10.1002/adom.201300435
  • Kato Y., Kitamura S., Hiramatsu K., Sawaki N. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 144. P. 133-140. doi 10.1016/0022-0248(94)90448-0
  • Kitamura S., Hiramatsu K., Sawaki N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. L1184-L1186. doi 10.1143/jjap.34.l1184
  • Bidnyk S., Little B.D., Cho Y.H., Krasinski J., Song J.J., Yang W., McPherson S.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2242-2244. doi 10.1063/1.121689
  • Ko Y.-H., Kim J.-H., Jin L.-H., Ko S.-M., Kwon B.-J., Kim J., Kim T., Cho Y.-H. // Adv. Mater. 2011. V. 23. P. 5364-5369. doi 10.1002/adma.201102534
  • Stankevic T., Mickevicius S., Schou Nielsen M., Kryliouk O., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O., Ciechonski R., Vescovi G., Bi Z., Mikkelsen A., Samuelson L., Gundlach C., Feidenhans'l R. // J. Appl. Crystallogr. 2015. V. 48. P. 344-349. doi 10.1107/s1600576715000965
  • Song D.Y., Chandolu A., Stojanovic N., Nikishin S.A., Holtz M. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 064309. doi 10.1063/1.2978382
  • Tong G., Jia W., Fan T., Dong H., Li T., Jia Z., Xu B. // Mater. Lett. 2018. V. 224. P. 86-88. doi 10.1016/j.matlet.2018.04.089
  • Tchernycheva M., Lavenus P., Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G., Shahmohammadi M., Julien F.H., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 2456-2465. doi 10.1021/nl5001295
  • Stankevivc T., Hilner E., Seiboth F., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O., Johansson U., Samuelson L., Wellenreuther G., Falkenberg G., Feidenhans'l R., Mikkelsen A. // ACS Nano 2015. V. 9. P. 6978-6984. doi 10.1021/acsnano.5b01291
  • Kempa T.J., Lieber C.M. // Pure Appl. Chem. 2014. V. 86. P. 13-26. doi 10.1515/pac-2014-5010
  • Tchernycheva M., Neplokh V., Zhang H., Lavenus P., Rigutti L., Bayle F., Julien F.H., Babichev A., Jacopin G., Largeau L., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O. // Nanoscale. 2015. V. 7. P. 11692-11701. doi 10.1039/c5nr00623f
  • Hultin O., Otnes G., Borgstrom M.T., Bjork M., Samuelson L., Storm K. // Nano Lett. 2015. V. 16. P. 205-211. doi 10.1021/acs.nanolett.5b03496
  • Thompson A.C., Stoddart P.R., Jansen E.D. // Curr. Mol. Imaging. 2015. V. 3. P. 162-177. doi 10.2174/2211555203666141117220611
  • Gob ler C., Bierbrauer C., Moser R., Kunzer M., Holc K., Pletschen W., Kohler K., Wagner J., Schwaerzle M., Ruther P., Paul O., Neef J., Keppeler D., Hoch G., Moser T., Schwarz U.T. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 205401. doi 10.1088/0022-3727/47/20/205401
  • Ayub S., Gossler C., Schwaerzle M., Klein E., Paul O., Schwarz U.T., Ruther P. // IEEE 29th Int. Conf. MEMS. 2016. P. 379. doi 10.1109/memsys.2016.7421640
  • Soltan A., McGovern B., Drakakis E., Neil M., Maaskant P., Akhter M., Lee J.S., Degenaar P. // IEEE Trans. Biomed. Circuits Syst. 2017. V. 11. P. 347-359. doi 10.1109/tbcas.2016.2623949
  • Metzner S., Bertram F., Karbaum C., Hempel T., Wunderer T., Schwaiger S., Lipski F., Scholz F., Wachter C., Jetter M., Michler P., Christen J. // Phys. Stat. Solidi B. 2011. V. 248. P. 632-637. doi 10.1002/pssb.201046500
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.