Вышедшие номера
Плазмон-экситонное взаимодействие в планарных наноструктурах с квантовыми точками*
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18110085
Чмерева Т.М.1, Кучеренко М.Г.1, Кислов Д.А.1, Налбандян В.М.1
1Оренбургский государственный университет, Оренбург, Россия
Email: chmereva@yandex.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Теоретически исследованы режимы слабой и сильной связи квантовых точек с поверхностными плазмонами в планарной наноструктуре. Проведены расчеты скоростей безызлучательной передачи энергии от квантовой точки к проводящей подложке и дисперсионных зависимостей гибридных плазмон-экситонных состояний при различных значениях параметров рассматриваемой системы. Показано, что скорость переноса энергии при межзонном переходе электрона и при переходе квантовых точек из экситонного состояния в основное может значительно превосходить скорость излучательной рекомбинации электрона и дырки. Установлено, что при определенных условиях величина расщепления Раби может достигать 100 meV и более. -18