Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2018, выпуск 11 » Статья стр. 588
<<<>>>
Применение вейвлет-преобразований к анализу компонентов 2D-пика рамановского спектра трех- и четырехслойного графена
DOI: 10.21883/OS.2018.11.46815.153-18
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18110322
Тимофеева Т.Е. 1, Неустроев Е.П. 1, Попов В.И. 1, Винокуров П.В. 1, Тимофеев В.Б. 1
1Северо-восточный федеральный университет, Якутск, Россия
Email: titamara2013@mail.ru, titamara2013@mail.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
PDF версия
Предложен новый подход к анализу компонент 2D-пика рамановского спектра мультислойного графена, основанный на применении вейвлетов. В результате применения непрерывного вейвлет-преобразования визуализируются компоненты (подпики) 2D-пика рамановского спектра, определяются их число и частоты. Обнаружено, что для двухслойного и трехслойного графена с берналовской упаковкой (ABA) пик полосы 2D рамановского спектра состоит из четырех и пяти компонент, соответственно. В случае четырехслойного графена с ромбоэдрической упаковкой (ABC) 2D-пик содержит пять компонент. Число детектируемых компонент и их частоты совпадают с экспериментальными данными. -18
  1. Mak K.F., Shan J., Heinz T.F. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 104. P. 176404 (4). doi 10.1103/PhysRevLett.104.176404
  2. Guinea F., Castro Neto A.H., Peres N.M.R. // Solid State Commun. 2007. V. 143. P. 116. doi 10.1016/j.ssc.2007.03.053
  3. Guinea F., Castro Neto A.H., Peres N.M.R. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 245426. doi 10.1103/PhysRevB.73.245426
  4. Lui C.H., Li Zh., Chen Zh., Klimov P.V., Brus L.E., Heinz T.F. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 164. doi 10.1021/nl1032827
  5. Aoki M.H., Amawashi H. // Sol. State Comm. 2007. V. 142. P. 123. doi 10.1016/j.ssc.2007.02.013
  6. Tabert C.J., Nicol E.J. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. P. 075439. doi 10.1103/PhysRevB.86.075439
  7. Koshino M., McCann E. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. P. 45420. doi 10.1103/PhysRevB.87.045420
  8. Zhang F., Sahu B., Min H., MacDonald A.H. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. P. 035409. doi 10.1103/PhysRevB.82.035409
  9. Bao C., Yao W., Wang E., Chen C., Avila J., Asensio M.C. et al. // Nano Lett. 2017. V. 17. P. 1564. doi 10.1021/acs.nanolett.6b04698
  10. Craciun M.F., Russo S., Yamamoto М., Oostinga J.B., Morpurgo A.F. and Tarusha S. // Nature Nanotechnology. 2009. V. 4. P. 383. doi 10.1038/nnano.2009.89
  11. Bao W., Jing L., Velasco Jr., Lee Y., Liu G., Tran D., et al. // Nature Phys. 2011. V. 7. P. 948. doi 10.1038/nphys2103
  12. Avetisyan A.A., Partoens B., Peeters F.M. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 115432. doi 10.1103/PhysRevB.81.115432
  13. Khodkov T., Khrapach I., Craciun M.F., Russo S. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 4429. doi 0.1021/acs.nanolett.5b00772
  14. Grushina A.L., Ki D-K., Koshino M., Nicolet A.A.L., Faugeras C., McCann E. et al. // Nat. Commun. 2015. V. 6. P. 6419. doi 10.1038/ncomms7419
  15. Nam Y., Ki D.-K., Koshino M., McCann E., Morpurgo A.F. // 2D Materials. 2016. V. 3. P. 045014
  16. Koshino M., Sugisawa K., McCann E. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. P. 235311. doi 10.1103/PhysRevB.95.235311
  17. Myhro K., Che S., Shi Y., Lee Y., Thilahar K., Bleich K. et al. Электронный ресурс. Код доступа: arXiv:1803.03222. 2018
  18. Malard L.M., Guimaraes M.H.D., Mafra D.L., Mazzoni M.S.C., Jorio A. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 125426. doi 10.1103/PhysRevB.79.125426
  19. Saha S.K., Waghmare U.V., Krishnamurthy H.R., Sood A.K. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. P. 165421. doi 10.1103/PhysRevB.78.165421
  20. Gupta A., Chen G., Joshi P., Tadigadapa S., Eklund P. // Nano Lett. 2006. V. 6. P. 2767. doi 10.1021/nl061420a
  21. Jiang J.W., Tang H., Wang B.S., Su Z.B. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 235421. doi 10.1103/PhysRevB.77.235421
  22. Yan J., Zhang Y., Kim P., Pinczuk A. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 98. P. 166802. doi 10.1103/PhysRevLett.98.166802
  23. Lui C.H., Cappelluti E., Li Zh., and Heinz T.F. // Phys. Rev. Lett. 2013. V. 110. P. 185504. doi 10.1103/PhysRevLett.110.185504
  24. Mak K.F., Sfeir M.Y., Misewich J.A., Heinz T.F. // Proc. Natl. Acad. Sci. 2010. V. 107. P. 14999. doi 10.1073/pnas.1004595107
  25. Havener R.W., Liang Y., Brown L., Yang L., Park J. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 3353. doi 10.1021/nl500823k
  26. Patel H., Havener R.W., Brown L., Liang Y., Yang L., Park J. et al. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 5932. doi 10.1021/acs.nanolett.5b02035
  27. Sharma R., Baik J.H., Perera C.J., Strano M.S. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 398. doi 10.1021/nl902741x
  28. Ferrari A.C, Basko D.M. // Nature nanotechnology. 2013. V. 8. P. 235. doi 10.1038/nnano.2013.46
  29. Ferrari A.C. // Solid State Comm. 2007. V. 143. P. 47. doi 10.1016/j.ssc.2007.03.052
  30. Malard L.M., Nilsson J., Elias D.C., Brant J.C, Plentz F., Alved E.S. et al. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 201401. doi 10.1103/PhysRevB.76.201401
  31. Graf D., Molitor F., Ensslin K., Stampfer C., Jungen A., Hierold C. et al. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 238. doi 10.1021/nl061702a
  32. Das A., Chakraborty B., Sood A.K. // Bull. Mater. Sci. 2008. V. 31. P. 579. doi 10.1007/s12034-008-0090-5
  33. Bayle M., Reckinger N., Felten A., Landois P., Lancry O., Dutertre B. et al. // J. Raman Spectrosc. 2018. V. 49. P. 36. doi 10.1002/jrs.5279
  34. Yoon D., Moon H., Cheong H., Choi J., Choi J., Park B. // J. Korean Phys. Soc. 2009. V. 55. P. 1299. doi 10.3938/jkps.55.1299
  35. Rao R., Podila R., Tsuchikawa R., Katoch J. et al. // ACS Nano. 2011. V. 5. P. 1594. doi 10.1021/nn1031017
  36. Herziger F., Tyborski C., Ochedowski O., Schleberger M., Maultzsch J. // Carbon. 2018. V. 133. P. 254. doi 10.1016/j.carbon.2018.03.026
  37. Park J.S., Reina A., Saito R., Kong J., Dresselhausd G., Dresselhaus M.S. // Carbon. 2009. V. 47. P. 1303. doi 10.1016/j.carbon.2009.01.009
  38. Ferrari A.C., Meyer J.C., Scardaci V., Casiraghi C., Lazzeri M., Mauri F. et al. // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 97. P. 187401. doi 10.1103/physrevlett.97.187401
  39. Malard L.M., Pimenta M.A., Dresselhaus G., Dresselhaus M.S. // Phys. Rep. 2009. V. 473. P. 51. doi 10.1016/j.physrep.2009.02.003
  40. Ni Z., Wang Y., Yu T., Shen Z. // Nano Research. 2008. V. 1. P. 273. doi 10.1007/s12274-008-8036-1
  41. Cong C., Yu T., Sato K., Shang J., Saito R., Dresselhaus G.F., Dresselhaus M.S. // ACS Nano. 2011. V. 5. P. 8760. doi 10.1021/nn203472f
  42. Hao Y., Wang Y., Wang L., Ni Z., Wang Z., Wang R. et al. // Small. 2010. V. 6. P. 195. doi 10.1002/smll.200901173
  43. Смоленцев Н.К. Основы теории вейлетов. Вейвлеты в MATLAB. М.: ДМК, 2005. 303 с
  44. Астафьева Н.М. // УФН. 1996. Т. 166. N 11. С. 1145.; Astafieva N.M. // Phys. Usp. 1996. V. 39. P. 1085. doi 10.3367/UFNr.0166.199611a.1145
  45. Rioul O., Vetterli M. // IEEE Signal Processing Magazine. 1991. V. 8. P. 14. doi 10.1109/79.91217
  46. Misiti M., Misiti Y., Oppenheim G., Poggi J.M. Wavelets and Their Applications.London: ISTE, 2007. doi 10.1002/9780470612491.fmatter
  47. Blake P., Hill E.W., Castro Neto A.H., Novoselov K.S., Jiang D., Yang R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 063124. doi 10.1063/1.2768624
  48. Koh Y.K., Bae M.-H., Cahill D.G., Pop E. // ACS Nano. 2011. V. 5. P. 269. doi 10.1021/nn102658a
  49. Тимофеева Т.Е., Смагулова С.А., Попов В.И. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 6. С. 834. Timofeeva T.E., Smagulova S.A., Popov V.I. // Semiconductors. 2015. V. 49. P. 834. doi 10.1134/S1063782615060251

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme