Вышедшие номера
Структура центров излучательной туннельной рекомбинации в эмульсионных микрокристаллах AgBr(I)
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18020182
Тюрин А.В.1, Жуков С.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Email: zhukov@onu.edu.ua
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Для установления структуры центров излучательной туннельной рекомбинации в эмульсионных микрокристаллах бромида серебра с примесью иода AgBr(I) и роли эмульсионной среды в их формировании исследованы зависимости спектров люминесценции от температуры в интервале от 77 до 120 K и кинетики нарастания максимального значения ее интенсивности на lambda~560 nm, а также спектр "вспышки" люминесценции, стимулируемой инфракрасным светом. Для исследований использовались два типа микрокристаллов AgBr1-x(Ix) (x = 0.03): полученные в водном растворе и на желатиновой основе. Установлено, что центрами излучательной туннельной рекомбинации в AgBr1-x(Ix) (x = 0.03) с максимумом свечения на lambda~560 nm являются донорно-акцепторные комплексы (I a-Ia-)Agi+ - ионы иода Ia-, расположенные в соседних анионных узлах кристаллической решетки AgBr(I), рядом с которыми находится межузельный ион серебра Agi+. С повышением температуры центры (Ia-Ia-)Agi+ подвергаются структурному преобразованию в центры (Ia-Ia-)Agin+, где n = 2,3.... При этом центры (Ia-Ia-)Agin+, n = 2, после захвата ими электрона и дырки также обеспечивают туннельную рекомбинацию с максимумом свечения на lambda~ 720 nm. Влияние эмульсионной среды сводится к тому, что желатина, взаимодействуя с поверхностными центрами локализации электронов - межузельными ионами серебра Agin+, n = 1, 2, образует с ними комплексы Agin0G+, n = 1, 2. Последние являются более глубокими ловушками для электронов с малым сечением захвата по сравнению с центрами Agin+, n = 1, 2, и проявляются в том, что кинетика нарастания люминесценции в AgBr(I) до стационарного уровня на lambda~ 560 nm характеризуется наличием "вспышечного разгорания". При этом "вспышка" люминесценции, стимулируемая ИК светом, за которую ответственны центры локализации электронов Agin+, n = 1, 2, отсутствует. Предполагается, что электроны, локализованные на комплексах Agin0G+, n = 2, сохраняют способность к излучательной туннельной рекомбинации с дырками, локализованными на парных иодных центрах, с максимумом свечения на lambda~750 nm. DOI: 10.21883/OS.2018.02.45520.182-17