Вышедшие номера
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур \LT-GaAs/GaAs:Si\
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20070097
Russian Fund for Fundamental Research, mol-a-ved, 18-32-20207
Russian Fund for Fundamental Research, 19-52-55004
Russian Fund for Fundamental Research, 17-00-00270
Ministry of Science and Higher Education within the State assignment FSRC «Crystallography and Photonics» RAS
Клочков А.Н. 1, Климов Е.А.1, Солянкин П.М.2, Конникова М.Р.2, Васильевский И.С.3, Виниченко А.Н.3, Шкуринов А.П.2,4, Галиев Г.Б.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
2Институт проблем лазерных и информационных технологий --- филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет и Международный учебно-научный лазерный центр, Москва, Россия
Email: klochkov_alexey@mail.ru, soluankp@yandex.ru, konnikovamaria@gmail.com
Выставление онлайн: 24 апреля 2020 г.

Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Si. При мощности оптической накачки 19 mW и напряжении смещения 30 V фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре LT-GaAs/GaAs : Si (111)А испускала ТГц импульсы со средней мощностью 2.3 μW при частоте следования импульсов 80 MHz, эффективность преобразования составила 1.2· 10-4. Показано, что зависимость интегральной мощности ТГц импульсов антенны на основе LT-GaAs/GaAs : Si (111)А структуры от приложенного напряжения является суперлинейной, а от мощности оптической накачки имеет вид кривой насыщения. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии биологических растворов. Ключевые слова: импульсная терагерцовая спектроскопия, фотопроводящая антенна, низкотемпературный GaAs.
  1. Krotkus A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 273001. doi 10.1088/0022-3727/43/27/273001
  2. Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. N 1. P. 010901. doi 10.1117/1.OE.56.1.010901
  3. Lepeshov S., Gorodetsky A., Krasnok A., Rafailov E., Belov P. // Laser \& Photonics Reviews. 2017. V. 11. N 1. P. 1600199. doi 10.1002/lpor.201600199
  4. Yachmenev A.E., Lavrukhin D.V., Glinskiy I.A., Zenchenko N.V., Goncharov Y.G., Spektor I.E., Khabibullin R.A., Otsuji T., Ponomarev D.S. // Optical Engineering. 2019. V. 59(6). P. 061608. doi 10.1117/1.OE.59.6.061608
  5. Yardimci N.T., Jarrahi M. // Small. 2018. V. 14. N 44. P. 1802437. doi 10.1016/0039-6028(95)00750-4
  6. Yang S.H., Hashemi M.R., Berry C.W., Jarrahi M. // IEEE Trans. on Terahertz Science and Tech. 2014. V. 4(5). P. 575-581. doi 10.1109/TTHZ.2014.2342505
  7. Krotkus A., Coutaz J.L. // Semiconductor science and technology. 2005. V. 20. N 7. P. S142. doi 10.1088/0268-1242/20/7/004
  8. Lavrent'eva L.G., Vilisova M.D., Preobrazhenskii V.V., Chaldyshev V.V. // Russian Physics Journal. 2002. V. 45. N 8. P. 735. doi 10.1023/A:1021965211576
  9. Stellmacher M., Nagle J., Lampin J.F., Santoro P., Vaneecloo J., Alexandrou A. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N 10. P. 6026. doi 10.1063/1.1285829
  10. Gregory I.S., Baker C., Tribe W.R., Evans M.J., Beere H.E., Linfield E.H., Missous M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. N 20. P. 4199. doi 10.1063/1.1628389
  11. Moon K., Choi J., Shin J.H., Han S.P., Ko H., Kim N., Park K.H. // ETRI Journal. 2014. V. 36. N 1. P. 159. doi 10.4218/etrij.14.0213.0319
  12. Krotkus A., Bertulis K., Dapkus L., Olin U., Marcinkevicius S. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. N 21. P. 3336. doi 10.1063/1.125343
  13. Eusebe H., Roux J.F., Coutaz J.L., Krotkus A. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. N 3. P. 033711. doi 10.1063/1.2001151
  14. Liu X., Prasad A., Chen W.M., Kurpiewski A., Stoschek A., Liliental-Weber Z., Weber E.R. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 23. P. 3002-3004. doi 10.1063/1.112490
  15. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Копылов В.Б., Пушкарев C.C. // ФТП. 2019. Т. 53. N 2. С. 258; Galiev G.B., Klimov E.A., Klochkov A.N., Kopylov V.B., Pushkarev S.S. // Semicond. 2019. V. 53. N 2. P. 246. doi 10.1134/S1063782619020088
  16. Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh., Kornienko V.V., Klimov E.А., Klochkov A.N., Leontyev A.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P. // Laser Phys. Lett. 2018. V. 15. P. 076201. doi 10.1088/1612-202X/aac7bb
  17. Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х., Климов Е.А., Клочков А.Н., Коленцова О.С., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С. // ФТП. 2017. Т. 51. N 3. С. 322; Galiev G.B., Grekhov M.M., Kitaeva G.Kh., Klimov E.A., Klochkov A.N., Kolentsova O.S., Kornienko V.V., Kuznetsov K.A., Maltsev P.P., Pushkarev S.S. // Semicond. 2017. V. 51. N 3. P. 310. doi 10.1134/S1063782617030071
  18. Галиев Г.Б., Трунькин И.Н., Васильев А.Л., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Климов Е.А., Клочков А.Н., Мальцев П.П., Пушкарев С.С. // Кристаллография. 2019. Т. 64. N 2. С. 184; Galiev G.B., Trunkin I.N., Vasiliev A.L., Vasil'evskii I.S., Vinichenko A.N., Klimov E.A., Klochkov A.N., Maltsev P.P., Pushkarev S.S. // Crystallogr. Reports. 2019. V. 64. P. 205
  19. Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Пушкарев С.С., Мальцев П.П. // ФТП. 2018. Т. 52. N 3. С. 395; Galiev G.B., Klimov E.A., Klochkov A.N., Pushkarev S.S., Maltsev P.P. // Semiconductors. 2018. V. 52. N 3. P. 376. doi 10.1134/S1063782618030119
  20. Nazarov M.M., Shkurinov A.P., Kuleshov E. A., Tuchin V.V. // Quantum electronics. 2008. V. 38. N 7. P. 647. doi 10.1070/QE2008v038n07ABEH013851
  21. Zhang X.C., Xu J. Introduction to THz wave photonics. New York : Springer, 2010. V. 29. 246 p
  22. Tani M., Matsuura S., Sakai K., Nakashima S.I. // Appl. Optics. 1997. V. 36. N 30. P. 7853. doi 10.1364/AO.36.007853
  23. Zhang J., Hong Y., Braunstein S.L., Shore K.A. // IEE Proceedings-Optoelectronics. 2004. V. 151. N 2. P. 98. doi 10.1049/ip-opt:20040113
  24. Jepsen P.U., Jacobsen R.H., Keiding S.R. // JOSA B. 1996. V. 13. N 11. P. 2424. doi 10.1364/JOSAB.13.002424
  25. Nazarov M.M., Cherkasova O.P., Shkurinov A.P. // Quantum Electronics. 2016. V. 46. N 6. P. 488. doi 10.1070/QEL16107
  26. Smolyanskaya O.A, Chernomyrdin N.V., Konovko A.A., Zaytsev K.I., Ozheredov I.A., Cherkasova O.P., Nazarov M.M., Guillet J.P., Kozlov S.A., Kistenev Yu.V., Coutaz J.-L., Mounaix P., Vaks V.L., Son J.-H., Cheon H., Wallace V.P., Feldman Yu., Popov I., Yaroslavsky A.N., Shkurinov A.P., Tuchin V.V. // Progress in Quantum Electronics. 2018. V. 62. P. 1. doi 10.1016/j.pquantelec.2018.10.001
  27. Shiraga K., Adachi A., Nakamura M., Tajima T., Ajito K., Ogawa Y. // J. Chem. Phys. 2017. V. 146. N 10. P. 105102. doi 10.1063/1.4978232
  28. Nazarov M., Shkurinov A., Tuchin V.V., Zhang X.C. // Handbook of photonics for biomedical science / Ed. by V.V. Tuchin, CRC Press, 2010, P. 591
  29. Angeluts A.A., Balakin A.V., Evdokimov M.G., Esaulkov M.N., Nazarov M.M., Ozheredov I.A., Sapozhnikov D.A., Solyankin P.M., Cherkasova O.P., Shkurinov A.P. // Quantum Electronics. 2014. V. 44. N 7. P. 614
  30. Cherkasova O.P., Nazarov M.M., Angeluts A.A., Shkurinov A.P. // Optics and Spectroscopy. 2016. V. 120. N 1. P. 50
  31. Raicu V., Feldman Y. Dielectric relaxation in biological systems: Physical principles, methods, and applications. New York: Oxford University Press, 2015
  32. Nazarov M.M., Cherkasova O.P., Shkurinov A.P. // J. Infrared Millimeter and Terahertz Waves. 2018. V. 39. N 9. P. 840-853. doi 10.1007/s10762-018-0513-3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.