Вышедшие номера
Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP2
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20070164
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-32-00322
Ноздрин В.С. 1, Чучупал С.В. 1,2, Командин Г.А. 1, Курлов В.Н. 3, Породинков О.Е. 1, Спектор И.Е. 1, Катыба Г.М. 1,3,4, Schunemann P.G. 5, Zawilski K.T.5
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
4Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
5BAE Systems, Inc., Nashua, New Hampshire, USA
Email: no315@yandex.ru, MirrorMan@yandex.ru, gakomandin@mail.ru, kurlov59@gmail.com, oleg.porodinkov@yandex.ru, igor.spector@yandex.ru, micalych@mail.ru, peter.g.schunemann@baesystems.com, kevin.zawilski@baesystems.com
Выставление онлайн: 24 апреля 2020 г.

Выполненные в интервале температур от 80 до 300 K методами терагерцовой (ТГц) импульсной и инфракрасной фурье-спектроскопии измерения спектров пропускания и отражения монокристалла CdSiP2 выявили существенное влияние постростовых дефектов на поглощение в ТГц области частот. Обнаружено, что это поглощение слабо зависит от температуры в отличие от ранее полученных результатов для другого кристалла семейства халькопирита с существенно меньшей концентрацией дефектов. При охлаждении были минимизированы собственные механизмы поглощения и выделен вклад дефектов в поглощение. Ключевые слова: генерация терагерцового излучения, нелинейно-оптические кристаллы, несобственное поглощение.
  1. Carnio B.N., Schunemann P.G., Zawilski K.T., Elezzabi A.Y. // Opt. Lett. 2017. V. 42. N 19. P. 3920-3923. doi 10.1364/OL.42.003920
  2. Piyathilaka H.P., Sooriyagoda R., Dewasurendra V., Johnson M.B., Zawilski K.T., Schunemann P.G., Bristow A.D. // Opt. Expr. 2019. V. 27. N 12. P. 16958-16965. doi 10.1364/OE.27.016958
  3. Itoh N., Fujinaga T., Nakau T. // Jap. J. Appl. Phys. 1978. V. 17. N 5. P. 951-952. doi 10.1143/JJAP.17.951
  4. Vodopyanov K.L., Ganikhanov F., Maffetone J.P., Zwieback I., Ruderman W. // Opt. Lett. 2000. V. 25. N 11. P. 841-843. doi 10.1364/OL.25.000841
  5. Lambrecht W.R.L., Jiang X. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 045204. doi 10.1103/PhysRevB.70.045204
  6. Kemlin V., Brand P., Boulanger B., Segonds P., Schunemann P.G., Zawilski K.T., Menaert B., Debray J. // Opt. Lett. 2011. V. 36. N 10. P. 1800-1802. doi 10.1364/OL.36.001800
  7. Kemlin V., Boulanger B., Petrov V., Segonds P., Menaert B., Schunemann P.G., Zawilski K.T. // Opt. Materials Express. 2011. V. 1. N 7. P. 1292-1300. doi 10.1364/OME.1.001292
  8. Marchev G., Tyazhev A., Petrov V., Schunemann P.G., Zawilski K.T., Stoppler G., Eichhorn M. // Lasers, Sources, and Related Photonic Devices. OSA Technical Digest (CD) (Optical Society of America, 2012). Paper AM1A.3. doi 10.1364/ASSP.2012.AM1A.3
  9. Rowley J.D., Bas D.A., Zawilski K.T., Schunemann P.G., Bristow A.D. // J. Opt. Soc. Am. B. 2013. V. 30. N 11. P. 2882-2888. doi 10.1364/JOSAB.30.002882
  10. Zhang G., Tao X., Wang S., Liu G., Shi Q., Jiang M. // J. Crystal Growth. 2011. V. 318. Is. 1. P. 717-720. doi 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.038
  11. Scherrer E.M., Kananen B.E., Golden E.M., Hopkins F.K., Zawilski K.T., Schunemann P.G., Halliburton L.E., Giles N.C. // Optical Materials Express. 2017. V. 7. N 3. P. 658-664. doi 10.1364/OME.7.000658
  12. Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov M.A., Masagutova R.V., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. // Physica Status Solidi (a). 1978. V. 50. N 2. P. 379-384. doi 10.1002/pssa.2210500202
  13. Giles N.C., Bai L., Chirila M.M., Garces N.Y., Stevens K.T., Schunemann P.G., Setzler S.D., Pollak T.M. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N 11. P. 8975-8981. doi 10.1063/1.1572195
  14. Chuchupal S.V., Komandin G.A., Zhukova E.S., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Gribenyukov A.I. // Phys. Solid State. 2015. V. 57. N 8. P. 1607-1612. doi 10.1134/S1063783415080041
  15. Schunemann P.G., Zawilski K.T. US Patent No 8379296, 2013
  16. Zawilski K.T., Schunemann P.G., Pollak T.C., Zelmon D.E., Fernelius N.C., Hopkins F.K. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. Is. 8. P. 1127-32. doi 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.034
  17. Kozlov G., Volkov A. // Topics in Appl. Phys. 1998. V. 74. P. 51-109. doi 10.1007/BFb0103420
  18. Командин Г.А., Гавдуш А.А., Гончаров Ю.Г., Породинков О.Е., Ноздрин В.С., Чучупал С.В., Спектор И.Е. // Опт. и спектр. 2019. Т. 126. N 5. C. 596-603. doi 10.21883/OS.2019.05.47658.7-19; Komandin G.A., Gavdush A.A., Goncharov Yu.G., Porodinkov O.E., Nozdrin V.S., Chuchupal S.V., Spektor I.E. // Opt. Spectrosc. 2019. V. 126. Is. 5. P. 514-522. doi 10.1134/S0030400X1905014X
  19. Volkov A.A., Gorshunov B.P., Irisov A.A., Kozlov G.V., Lebedev S.P. // Intern. J. Infrared and Millimeter Waves. 1982. V. 3. N 1. P. 19-43. doi 10.1007/BF01007199
  20. Komandin G.A., Anzin V.B., Ulitko V.E., Gavdush A.A., Mukhin A.A., Goncharov Y.G., Porodinkov O.E., Spektor I.E. // Opt. Engin. 2019. V. 59. N 6. P. 061603. doi 10.1117/1.OE.59.6.061603
  21. Guliano B.M., Gavdush A.A., Muller B., Zaitsev K.I., Gassi T., Palumbo M.E., Baratta G.A., Scire S., Komandin G.A., Yurchenko S.O., Casseli P. // Astronomy and Astrophysics. 2019. V. 629. A112. doi 10.1051/0004-6361/201935619
  22. Komandin G.A., Chuchupal S.V., Goncharov Y.G., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Zawilski K.T., Schunemann P.G. // Materials Research Express. 2019. V. 6. N 2. P. 026204. doi 10.1088/2053-1591/aaeec6
  23. Stolen R., Dransfeld K. // Phys. Rev. 1965. V. 139. N 4A. P. 1295-1303. doi 10.1103/PhysRev.139.A1295
  24. Sparks M., King D.F., Mills D.L. // Phys. Rev. B. 1982. V. 26. N 12. P. 6987-7003. doi 10.1103/PhysRevB.26.6987
  25. Komandin G.A., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Volkov A.A. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. N 10. P. 2045-2050. doi 10.1134/S1063783409100096

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.